Диод шоттки в схеме: Страница не найдена | Практическая электроника

Содержание

Схемы Подключения Диодов Шоттки — tokzamer.ru

На всех пределах измерения сопротивления, мультиметр отобразит в обе стороны бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание. К достоинствам последних относят чрезвычайно малый обратный ток, который для отдельных диодов Шоттки может составлять единицы пикоампер, возможность работы компонентов отдельных марок на частотах до сотен гигагерц и даже выше.


Причем в обоих случаях запаха гари вы не почувствуете и дыма не увидите, так как в корпусе встроена специальная защита против таких происшествий.

Доступная стоимость диодов Шоттки позволяет сделать это практически в любой момент без особых трат. При использовании типичного мультиметра может отображаться полная работоспособность элемента при работе прибора в режиме «диод».
Солнечные панели с диодами Шоттки

Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Для изготовления переходов Шоттки в качестве полупроводника обычно используют кремний, а применяемые металлы и химические соединения — это золото, силицид платины, молибден и .


И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего.

Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков.

Изделие стабильнее в работе, чем другие полупроводниковые аналоги, а простота изготовления и устройства диода Шоттки делают его очень доступным вариантом.

Главное — понимать специфику его работы и использовать его корректно.

Принцип работы диода

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

Как уже говорилось, прямое падение напряжения Forward voltage drop у диодов с барьером Шоттки очень мало. Так обеспечивается минимальная собственная емкость диода Шоттки, что делает возможным с большей эффективностью использовать его в устройствах с высокими и сверхчастотами. Возможно, дело связано именно с диодами, и каждый может разобрать процессор и посмотреть, что внутри случилось.


Между металлом и полупроводником возникнет электрическое поле, тормозящее и возвращающее обратно основные носители заряда полупроводника. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех.

Использование диодов Шоттки в мостах обусловлено низким падением напряжения на диоде, что влечет за собой меньшие потери на мосту и снижает его нагрев.

Осмотреть на предмет механических повреждений, присутствия следов разрушительных химических реакций.

Если в полупроводнике или диодном мосту возникнет обрыв, тогда он вообще перестанет пропускать ток.

Технология изготовления этих электронных элементов очень проста, поэтому он и является самым дешевым. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, — диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов. При идентичных параметрах собранных таким образом элементов обеспечивается надежность работы всего устройства, в первую очередь, за счет единой температуры.
Последовательное соединение диодов

2.4. Гетеропереходы

В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон. Прямое падение напряжения на переходе Шоттки меньше, чем у типового электронно-дырочного перехода.

Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты. Они имеют довольно небольшие размеры. Однако большой процент обратного тока является очевидным недостатком.


Как известно: ниже емкость — выше частота. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто почти всегда с общим катодом.

Металл-полупроводник: принцип работы перехода Структура элемента Принцип работы диода Шоттки основан на особенностях барьера. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. При любом из этих состояний ИБП блокируется благодаря встроенной схеме защиты. В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Поэтому, сборку или отдельный элемент необходимо сначала демонтировать из схемы для проверки.


При идентичных параметрах собранных таким образом элементов обеспечивается надежность работы всего устройства, в первую очередь, за счет единой температуры. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием единицы наносекунд — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями. Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Доступный, надежный, отличается широкой сферой применения благодаря особенностям в своей конструкции. Особенности и принцип работы диода Шоттки Как работает диод Шоттки?

На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя.

В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона: Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника.
Обзор диодов шоттки с общим анодом и общим катодом. Тест транзистора 13007

Особенности и принцип работы диода Шоттки

Если есть, то нужно их достать и заменить новым полупроводником, устранив неполадки самостоятельно, но лучше обратиться за помощью к профессионалам. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Рассмотрим их: Если в полупроводниковом элементе возникнет пробоина, то он просто перестает держать ток и становится проводником.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Однако большой процент обратного тока является очевидным недостатком. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку.

Еще по теме: Правила прокладки кабеля в земле снип

Отличие от других полупроводников

Сдвоенный диод — это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод.

Понравилась статья? Чаще всего выбирается кремний, возможно применение арсенида галлия.

Разновидности диодов Шоттки

Главное, за что радиолюбители их так ценят — высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе — максимум 0,55 вольт — при невысокой цене данных компонентов. В металле отсутствуют неосновные носители заряда, и инжекция не- 35 Москатов Е.

Есть и более простые схемы, где диоды Шоттки очень малы. Подобные элементы используются в современных батареях и транзисторах, работа которых обеспечивается сенечной энергией. Нерабочее состояние возникает при: утечке на корпус; электроприборе.

Диоды в солнечной энергетике. Надо ли их ставить?

Схема подключения диода шоттки — Яхт клуб Ост-Вест

Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки.

В диодах Шоттки в качестве барьера Шоттки используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n-переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n-перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n-переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной ёмкостью.

Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода Шоттки. В первую очередь — это величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются металлы Ag, Au, Pt, Pd, W, которые наносятся на полупроводник и дают величину потенциального барьера 0,2. 0,9 эВ.

Допустимое обратное напряжение выпускаемых диодов Шоттки ограничено 1200 вольтами (CSD05120 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяются в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.

Содержание

Свойства диодов Шоттки [ править | править код ]

Номенклатура диодов Шоттки [ править | править код ]

Диоды Шоттки — составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:

  • МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996) — основной компонент синхронных выпрямителей. В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками (так как представляет собой обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.
  • Так называемые ORing [3] -диоды и ORing-сборки — силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью p-n-перехода и низкими удельными плотностями тока.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике
  • Тестирование и взаимозаменяемость

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:

Но иногда можно увидеть и такое обозначение:

Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.

Вольтамперная характеристика светодиода (ВАХ)

ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.

Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.

Проверка диода Шоттки мультиметром

Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

Очень часто в электротехнике или различных схемах электрических цепей встречается такое понятие, как диод Шоттки. Прежде всего, это специальный диод-полупроводник, имеющий при прямом включении маленькое падение напряжения,и состоящий из полупроводника и металла. Свое название получил в честь изобретателя из Германии Вальтера Шоттки, который изобрел этот электронный элемент.

Допустимое обратное напряжение в электронном элементе в промышленных целях ограничено 250 вольтами. На практике применяется в основном в низковольтных цепях, чтобы предотвратить течение тока в обратную сторону. По своей мощности разделяются на несколько групп: маломощные, среднемощные и мощные.

Само устройство состоит из металла — полупроводника, пассивации стеклом, защитного кольца и металла. Когда по цепи начинает идти электрический ток, то на защитном кольце и по всей области барьера-полупроводника будут скапливаться положительные и отрицательные заряды, но в разных частях корпуса, при котором будет возникать электрическое поле и выделяется тепло, что является большим плюсом для некоторых опытов в физике.

Отличие от других полупроводников

Этот электронный элемент отличается от других тем, что в нем в качестве преграды используется металл — полупроводник, который имеет одностороннюю электропроводимость, и обладающий многими другими отличительными свойствами. Такими металлами-полупроводниками могут быть арсенид галлий, золото, карбид кремния, вольфрам, германий, палладий, платина и так далее.

От выбранного металла будет зависеть и вся работа электронного элемента Шоттки. Особенно часто используют кремний, потому что он надежнее других, хорошо работает на больших мощностях. Также чаще других металлов используют полупроводник на основе арсенида галлия (GaAs) — химическое соединение мышьяка и галлия, реже — на основе германия (Ge). Технология изготовления этих электронных элементов очень проста, поэтому он и является самым дешевым.

Также диод Шоттки отличается от других стабильной работой при подаче тока. Для стабильности используют внедрение в корпус этого электронного элемента специальных кристаллов, что является очень тонкой работой, потому что халатность или невнимательность может привести к неисправности устройства. Этим редко занимаются люди, чаще всего эту работу выполняет специальный робот — автомат, запрограммированный для такой операции.

Диод Шоттки обозначение и маркировка

Как и все электронные детали и элементы имеют обозначения, на принципиальных схемах этот электронный элемент изображается вот так (см. рис. 1), что несколько отличается от обозначения обычного полупроводника.

Еще на схемах можно встретить изображение сдвоенного диода Шоттки (см. рис. 2). Это два смонтированных электронных элемента в одном общем корпусе. Аноды или катоды у них спаяны, поэтому имеют три вывода.

Этот электронный элемент, как и большинство, маркируется сбоку. И если непонятны буквы и цифры на обозначении, то можно посмотреть по радиотехническому справочнику их расшифровку.

Достоинства и недостатки

У этого устройства есть свои положительные стороны и свои недостатки.

  1. Хорошо удерживает электрический ток в цепи;
  2. Маленькая емкость барьера из металлов — полупроводников, что увеличивает долгосрочную работоспособность диода;
  3. В отличие от других полупроводников, в диоде Шоттки наблюдается низкое падение напряжения;
  4. В электрической цепи данный диод Шоттки быстро действует.

Большой минус в том, что бывает очень большим обратный ток. В некоторых случаях, например, превышение нужного уровня обратного тока даже на несколько ампер, электронный элемент просто ломается или выходит из строя в самый неподходящий момент вне зависимости от того, новый он или старый. Также часто можно наблюдать утечки диодов, что может привести в некоторых случаях к печальным последствиям, если относится к проверке полупроводников с пренебрежением.

Диод Шоттки применение

Эти электронные элементы, представленные выше, можно встретить в нашем мире практически везде: в компьютерах, стабилизаторах, бытовой технике, радиовещании, телевидении, блоках питания, солнечных батареях, транзисторах и во многих других приборах из всех сферах жизни.

Во всех случаях поднимает эффективность и работоспособность, уменьшает численность потерь динамики напряжения, восстанавливает обратное сопротивление тока, принимает на себя излучение альфа, бета и гамма- зарядов, позволяет работать достаточно много времени без пробоев, удерживает ток в напряжении электрической цепи.

Диагностика диодов Шоттки

Можно провести диагностику электронного элемента Шоттки, если возникнет такая необходимость, но на это уйдет немного времени. Прежде всего, необходимо выпаять один элемент из диодного моста или электронной схемы. Осмотреть визуально и проверить тестером. В результате этих простых технических операций узнаете исправный ли полупроводник или нет. Хотя и необязательно выпаивать всю сборку, ведь это лишняя работа, а самое главное — затраты времени.

Также можно проверить данный диод или диодный мост мультиметром, при этом учитывайте то, что на приборе изготовитель пишет ток сбоку. Мы включаем мультиметр и подводим его щупы к концам анода и катода, и он покажет нам напряжение диода.

Иногда бывает так, что диод Шоттки может стать неисправным по некоторым причинам. Рассмотрим их:

  1. Если в полупроводниковом элементе возникнет пробоина, то он просто перестает держать ток и становится проводником.
  2. Если в полупроводнике или диодном мосту возникнет обрыв, тогда он вообще перестанет пропускать ток.

Причем в обоих случаях запаха гари вы не почувствуете и дыма не увидите, так как в корпусе встроена специальная защита против таких происшествий. Если вдруг в одном транзисторе сгорел вышесказанный диод, то убедитесь, что это единственное устройство, где вы нашли неисправность, потому что диоды обязательно нужно проверять все.

Хотя иногда может и не быть такой возможности для того, чтобы проверить диоды на исправность, когда это будет необходимо. Иногда бывает так, что компьютер начинает тормозить, включаться очень долго, «зависает». Возможно, дело связано именно с диодами, и каждый может разобрать процессор и посмотреть, что внутри случилось.

Нужно, прежде всего, обесточить компьютер и открыть блок питания в системном блоке. Сразу же можно заметить диоды. Проверьте, есть ли в них пробоины или обрывы. Если есть, то нужно их достать и заменить новым полупроводником, устранив неполадки самостоятельно, но лучше обратиться за помощью к профессионалам.

Полупроводники Шоттки в современном мире

Диоды Шоттки получили широкую популярность и распространение во всех сферах современной жизни, особенно в электронике. Их можно найти как сдвоенные выпрямительные диоды, где два полупроводника установлены в одном корпусе и концы анодов или катодов связаны между собой, так и простые, также бывают очень маленькими (например, очень часто встречается в мелких электрических деталях).

Этот полупроводник очень часто используют в импульсных блоках питания в бытовой технике, что значительно снижает потери и улучшает тепловой режим работы. Также данные электронные элементы используются в транзисторах в качестве выпрямителей тока, и в таких специальных диодах, которые используют для объединения параллельных источников питания.

Как работают диоды Шоттки

Подобно другим диодам, диод Шоттки в зависимости от направления течения тока в электрической цепи влияет на ток. В мире электроники эти устройства работают так же, как улицы с односторонним движением – они позволяют току течь только от анода к катоду. Тем не менее, в отличие от обычных полупроводниковых диодов, диод Шоттки известен благодаря низкому падению напряжения при его прямом включении и способностью к быстрому переключению. Это делает его идеальным выбором для использования в высокочастотных устройствах, а также в устройствах, где используются низкие напряжения. Диод Шоттки может применяться в самых разных устройствах, например:

  • Для выпрямления тока большой мощности. Диоды Шоттки могут использоваться в мощных устройствах благодаря низкому падению напряжения при прямом включении. Эти диоды затрачивают меньше энергии, что способствует уменьшению размеров радиатора;

  • В универсальных источниках питания. Диоды Шоттки также могут помогать разделять питание при использовании блоков двойного электропитания, использующих энергию электрической сети и аккумуляторов;

  • В элементах солнечных батарей. Диоды Шоттки могут помочь добиться максимальной эффективности элементов солнечной батареи благодаря низкому падению напряжения при прямом включении. Также они помогают защищать ячейки от обратного заряда;

  • В качестве защелки. Диоды Шоттки могут также использоваться в качестве защелки в транзисторных схемах, а также в цепях с логическими элементами 74LS или 74S.

Одним из главных преимуществ использования диода Шоттки вместо обычного диода является низкое сопротивление его перехода металл-полупроводник, приводящее к тому, что напряжение падает при его прямом включении. Таким образом диод Шоттки потребляет меньшее напряжение, чем обычный диод. На его p-n-переходе падает лишь 0,3-0,4 В. На графике ниже вы можете видеть прямое падение напряжение, составляющее приблизительно 0,3 В. Ток через диод Шоттки значительно возрастает при увеличении напряжения сверх указанного. Через обычный диод ток не растет до напряжения приблизительно 0,6 В.

На рисунках ниже показаны две электрические цепи в качестве иллюстрации преимуществ низкого падения напряжения при прямом включении. В цепи слева обычный диод, а справа – диод Шоттки. У обеих цепей источник питания дает напряжение 2 В постоянного тока.

Обычный диод потребляет 0,7 В, отдавая нагрузке лишь 1,3 В. Благодаря низкому падению напряжения при прямом включении, диод Шоттки потребляет только 0,3 В, отдавая нагрузке 1,7 В. Если нагрузке необходимы 1,5 В, то для такой задачи подойдет только диод Шоттки.

Другие преимущества использования диода Шоттки вместо обычного диода:

  • Малое время обратного восстановления. Диод Шоттки накапливает небольшой заряд, что делает его идеальным для использования в схемах, требующих быстрого переключения — они широко используются при конструировании высокочастотных печатных плат;

  • Пониженный уровень помех. Диод Шоттки добавляет в схему меньшее количество нежелательного шума по сравнению с типичным диодом с p-n-переходом;

  • Более высокие характеристики. Диод Шоттки потребляет меньше энергии, поэтому подходит по техническим требованиям для использования в низковольтных устройствах.

Также следует помнить о нескольких недостатках диодов Шоттки. Диод Шоттки, на который подано обратное напряжение смещения, будет пропускать больший обратный ток, чем обычный диод. Это приводит к тому, что в цепи с обратным включением диода Шоттки ток утечки больше.

Максимальное обратное напряжение диода Шоттки также меньше, чем у обычных диодов, и обычно составляет не более 50 В. При превышении этого напряжения происходит пробой диода Шоттки, в результате чего он начинает пропускать большой ток в обратном направлении. До этой величины обратного напряжения существует лишь небольшой ток утечки через диод Шоттки, впрочем, как и у других диодов.

В обычном диоде полупроводники p-типа и n-типа образуют p-n-переход. В диоде Шоттки вместо полупроводника p-типа используется металл. Этот металл может быть разным – от платины до вольфрама, молибден, золото и т. д.

Металл и полупроводник n-типа образуют переход металл-полупроводник. Он называется барьером Шоттки. Свойства барьера Шоттки различны при отсутствии напряжения смещения, при прямом и при обратном смещении.

При отсутствии напряжения смещения свободные электроны будут перемещаться из полупроводника n-типа в металл, чтобы восстановить равновесие. Этот поток электронов создает барьер Шоттки, где встречаются отрицательные и положительные ионы. Чтобы свободные электроны смогли преодолеть этот барьер, требуется приложение внешнего напряжения большего, чем потенциал поля перехода металл-полупроводник.

Если положительную клемму батарейки подключить к выводу диода, подключенного к металлической части перехода метал-полупроводник, а отрицательную – к выводу диода, подключенного к полупроводнику, то таким образом мы подадим на диод прямое смещение. В этом состоянии, если напряжение больше 0,2 В, то электроны могут преодолеть переход металл-полупроводник и перейти из полупроводника n-типа в металл. Это приведет к возникновению тока через диод. Так работают все диоды.

Если отрицательную клемму батарейки подключить к выводу диода, подключенного к металлической части перехода метал-полупроводник, а положительную – к выводу диода, подключенного к полупроводнику, то таким образом мы подадим на диод обратное смещение. Так мы увеличим ширину барьера Шоттки, не давая току течь через диод. Тем не менее, если напряжение обратного смещения будет возрастать, то, в конце концов, барьер будет пробит. После чего ток потечет в обратном направлении и может повредить этот и другие электронные компоненты.

Существуют различные способы изготовления диода Шоттки. Самый простой способ изготовить диод Шоттки – это присоединить к поверхности полупроводника металлический провод, сделав точечный контакт. Некоторые диоды Шоттки до сих пор производятся таким способом, но осуществить контроль качества готовых диодов сложно.

Самая популярная технология использует вакуумное нанесение металла на поверхность полупроводника. Этот метод обладает недостатком, заключающимся в пробое диода вследствие воздействия электрических полей по краям пластины проводника. Для устранения этой проблемы производители защищают полупроводниковую пластину оксидным охранным кольцом. Кроме того, это охранное кольцо защищает переход металл-полупроводник от разрушения вследствие физического воздействия. Такие диоды изготавливаются в том числе в форм-факторе, допускающем поверхностный монтаж компонентов.

Ниже приведен перечень характеристик, на основании которых следует подбирать диод Шоттки для использования в вашем следующем электронном проекте.

Полезно увидеть, как эти характеристики обычно приводятся на сайте изготовителя или в спецификации. Ниже приведены два примера:

1N5711 – это ультрабыстрый диод Шоттки, обладающий высоким пробивным напряжением, низким падением напряжения при прямом включении и охранным кольцом для защиты перехода металл-полупроводник.

1N5828 – это диод Шоттки в корпусе штыревого типа, используемый для выпрямления тока.

Вы планируете поработать над высокочастотным или мощным устройством, в котором требуется применение низкого напряжения? Ваш выбор – диоды Шоттки! Эти диоды широко известны благодаря их низкому падению напряжения при прямом включении и высокой скорости переключения. Используются ли они в ячейках солнечных батарей или для выпрямления тока, нет других подобных устройств, обладающих падением напряжения всего 0,3 В, дающее дополнительную эффективность. Современные ПО для разработки электронных устройств уже имеют множество готовых к использованию бесплатных библиотек, содержащих диоды Шоттки. Самому не нужно ничего делать. Попробуйте уже сегодня!

Сдвоенные диоды шоттки справочник. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодных сборок в SOT323 и по 3000 в корпусе SOT23.

Диоды Шоттки от 1 Ампера

Маркировка диода Шоттки Макс. обратное напряжение Макс. ток Имп. прямой ток Макс. прямое напряжение Максимальный обратный ток Тип корпуса диода Характеристики диода Склад Заказ
SM5819 40В 25A 0,6В 1,0мА при 25°С и 10мА при 100°С MELF SS14 40В 30А 0,5В SMA SS16 60В 30А 0,7В 0,5мА при 25°С и 50мА при 100°С SMA S100 100В 30А 0,85В 0,5мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA MS120 200В 30А 0,9В 0,002мА при 25°С и 20мА при 125°С SMA SR24 40В 50A 0,5В SMA SR26 60В 50A 0,7В 0,5 мАпри 25°С и 20мА при 100°С SMA SX34 (SK34А) 40В 80А 0,5В 0,2мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SX36 60В 80А 0,75В 0,1мА при 25°С и 20мА при 100°С SMA SK34 40В 100А 0,5В 0,5 мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB310 (SK39 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 20мА при 100°С SMC MB510 (SK59 PanJit) 100В 100А 0,8В 0,05мА при 25°С и 10мА при 100°С SMC SVC10120VB 120В 10А 200А 0,79В 0,010мА TO-277B
Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 5000 диодов Шоттки в TO-277B и MELF, по 3000 в SMC. В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1800 диодов Шоттки в SMA.

Быстрые диоды Шоттки

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 диодов Шоттки в SOD123FL.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто увидеть сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом.


Так как оба диода размещены в едином корпусе и собраны при одинаковом технологическом процессе, то их технические параметры почти идентичны. При подобном размещение в одном корпусе, во время работе они будут находится в одном температурном режиме, а это один из главный факторов увеличения надежность работы устройства в целом.

Достоинства


Падение напряжения на диоде при прямом включении всего 0,2-0,4 вольт, в то время, как на типовых кремниевых диодах, этот параметр составляет 0,6-0,7 вольта. Такое низкое падение напряжения на полупроводнике, при прямом включении, свойственно только диодам Шоттки с обратным напряжением максимум десятки вольт, но в случае повышения уровня приложенного напряжения, падение напряжения на диоде Шоттки уже сопоставимо с кремниевым диодом, что достаточно сильно ограничивает использование диодов Шоттки в современной электронике.
Теоретически любой диод Шоттки может обладает малой емкостью барьера. Отсутствие в явном виде классического p-n перехода позволяет существенно увеличить рабочую частоту прибора. Этот параметр нашел широкое применение в производстве интегральных микросхем, где диодами Шоттки шунтируют переходы транзисторов, используемых в роле логических элементов. В силовой электронике важен другой параметр диодов Шоттки, а именно, низкое время восстановления дает возможность использовать силовые выпрямители на частоты от сотни кГц и выше. Например, радиокомпонент MBR4015 (на 15 В и 40 А), используется для выпрямления ВЧ напряжения, а его время восстановления всего 10 кВ/мкс.
Благодаря указанным выше положительным свойствам, выпрямители построенные на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на стандартных диодах более низким уровнем помех, поэтому их применяют в аналоговых вторичных блоках питания.

Минусы


В случае краткосрочного превышении допустимого уровня обратного напряжения диод Шоттки выходит из строя, в отличие от типовых кремниевых диодов, которые просто перейдут в режим обратимого пробоя, при условии, что рассеиваемая мощность кристалла не выше допустимых значений, а после снижения напряжения диод полностью восстанавливает свои характеристики.
Диодам Шоттки свойственны более высокие значения обратных токов, увеличивающиеся с ростом температуры кристалла и в случае неудовлетворительных условий работы теплоотвода при работе с высокими токами приводят к тепловому пробою радиокомпонента.

Диоды Шоттки, как я уже отметил выше, активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Они используются в низковольтных и сильноточных частях схемы компьютерных ИБП на + 3,3 вольта и + 5,0 вольт. Чаще всего применяются сдвоенные диоды с общим катодом. Именно использование сдвоенных диодов считаться признаком высококачественного .

Сгоревший диод Шоттки одна из наиболее типовых неисправностей при . У диода может быть два нерабочих состояния: электрический пробой и утечка на корпус. При любом из этих состояний ИБП блокируется благодаря встроенной схеме защиты.

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. Во случае утечки вентилятор компьютерного БП может «подёргиваться» и на выходе могут появляются пульсации выходного напряжения, периодически пропадающие. То есть модуль защиты периодически срабатывает, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки 100% сгорели, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или сильно пованивает горелым от них.

Следует сказать пару слов о том, что при ремонте ИБП после замены диодов, особенно с подозрением на утечку на корпус, следует прозвонить все силовые транзисторы работающие в ключевом режиме. А также в случае замены ключевых транзисторов проверка диодов является обязательной и строго необходимой.

Методика проверки диода Шоттки такая же, как и стандартного типового диода. Но и тут есть небольшие отличия. Очень трудно проверить диод этого типа уже впаянный в схему. Поэтому, сборку или отдельный элемент необходимо сначала демонтировать из схемы для проверки. Достаточно просто можно определить полностью пробитый элемент. На всех пределах измерения сопротивления, мультиметр отобразит в обе стороны бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание.

Сложнее проверить с подозрением на утечку. Если проводить проверку типичным мультиметром, например DT-830 в режиме «диода» то мы увидим исправный компонент. Однако если сделать измерение в режиме омметра, то обратное сопротивление на пределе «20 кОм» определяется как бесконечно огромное (1). Если же элемент показывает какое-то сопротивление, например 5 кОм, то этот диод лучше считать подозрительный и заменить на точно работоспособный. Иногда лучше сразу заменить диодов Шоттки по шинам +3,3V и +5,0V в компьютерном ИБП.

Их иногда используют в приемники альфа и бета излучения (дозиметрах), фиксаторах нейтронного излучения, а кроме того на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей которые питают электроэнергией космические аппараты бороздящие просторы нашей необъятной вселенной.

Диоды Шоттки или более точно — диоды с барьером Шоттки — это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Исследуя контакт металла и полупроводника можно видеть, что если вблизи поверхности полупроводника имеется область обедненная основными носителями заряда, то в области контакта этого полупроводника с металлом со стороны полупроводника образуется область пространственного заряда ионизированных акцепторов и доноров, при этом реализуется блокирующий контакт — тот самый барьер Шоттки. В каких условиях возникает этот барьер? Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности твердого тела определяет уравнение Ричардсона:

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла — станут накапливаться объемные заряды — положительные в полупроводнике и отрицательные — в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.


Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения — регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе — Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, — диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие — быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки — это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец — выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще — катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят — высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе — максимум 0,55 вольт — при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то — в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 — 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:


Но иногда можно увидеть и такое обозначение:


Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.


ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.


Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.


Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки — именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) — Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А — пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.



STPS3045CW — Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.


Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:



Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:


Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Диод штоки. Диод шоттки — принцип работы, назначение. Общая информация и принцип работы

Многие великие ученые исследовали свойства p-n перехода. Как вы уже догадались, это обычный диод, который можно увидеть в любой электронной схеме. На момент его изобретения это был элемент, который произвел настоящую революцию и изменил все представления о будущем электроники. Также без внимания не оставалась и технология его изготовления. Появился диод Зеннера и Ганна. Еще был изобретен диод Шоттки,

обладающий интересными свойствами. Его использование в электронике не было таким сенсационным, как у его знаменитых “собратьев”. Особые свойства этого элемента ранее применялись в узкоспециализированных схемах и не находили широкого применения. Тем интереснее, что в последнее время диод Шоттки начал использоваться как основной элемент в импульсных источниках питания. Он работает практически во всех электронных бытовых приборох: телевизорах, магнитофонах, персональных компьютерах, ноутбуках и т.д.

Особые свойства прибора проявляются в низком падении напряжения на р-n переходе. Оно не превышает 0,4 Вольта. То есть по этому параметру он максимально приближен к идеальному элементу, который используется в расчетах. Правда, при напряжении более 50 вольт эти свойства пропадают. Но тем не менее, диод Шоттки стал широко использоваться в схемах с Питание таких схем не превышало 15 Вольт постоянного напряжения, что позволяло в полной мере воспользоваться свойствами этого прибора. Он мог стоять в цепи обратной связи в качестве ограничительного элемента или участвовать в работе регуляторов.

Кроме такого немаловажного свойства, как на p-n переходе, диод Шоттки обладает небольшой емкостью. Это позволяет ему работать в высокочастотных схемах. Практически “идеальные” свойства этого элемента не искажают сигнал высокой частоты. Именно поэтому его стали ставить в импульсные блоки питания, устройства связи и регуляторы.

Но кроме положительных качеств необходимо отметить и недостатки. Диоды Шоттки очень чувствительны даже к кратковременному превышению обратного напряжения от допустимого значения. Это приводит к выходу элемента из строя. В отличие от своих кремниевых “собратьев” он не восстанавливается. Тепловой пробой приводит либо к появлениям токов утечки, либо к “превращению” прибора в проводник.

Первая неисправность приведет к нестабильной работе всего электронного устройства. Ее достаточно сложно найти и устранить. Что касается теплового пробоя, то, например, в это приведет к срабатыванию защиты от После замены неисправного элемента блок питания будет нормально работать.

Современная промышленность выпускает достаточно мощные диоды Шоттки. Импульсный ток в таких приборах может достигать 1,2 кА. Постоянный рабочий ток в некоторых типах доходит до 120 А. Такие приборы обладают широким токовым диапазоном и неплохими эксплуатационными характеристиками. Они с успехом применяются в бытовых приборах и промышленной электронике.

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является , который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки — именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) — Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А — пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.


STPS3045CW — Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:


Также выпускаются , которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:

Высоковольтные силовые диоды Шоттки с напряжением до 1200 В

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Большинство современных радиосхем использует диод Шоттки. Его действие основано на физическом эффекте, который открыл немецкий ученый Вальтер Шоттки, поэтому он и носит его имя. Этот элемент имеет много таких же параметров, как и обычные диоды, но есть у него и существенные отличия.

Принцип действия и обозначение

Если обычный полупроводниковый диод основан на свойствах p-n перехода, то принцип работы диода Шоттки основан на свойствах перехода при контакте металла и полупроводника. Такой контакт получил в физике получил название «барьер Шоттки». В качестве полупроводника чаще всего используется арсенид галлия (GaAs), а из металлов применяют в основном следующие:

На радиотехнических схемах обозначение диода Шоттки похоже на обозначение обычного полупроводникового элемента, но есть заметное различие: со стороны катода, где есть небольшая перпендикулярная к основной линии черта, у нее дополнительно загибаются края в разные стороны под прямым углом или с плавным изгибом.

Иногда на принципиальных схемах затруднительно графически обозначить этот элемент, его рисуют, как обычный диод, а в спецификации дополнительно указывают тип.

Положительные и отрицательные качества

Полупроводниковый элемент Шоттки широко применяется в различных электронных и радиотехнических устройствах из-за своих положительных свойств. К ним относят следующие:

  • очень низкое падение напряжения на переходе, максимальное значение которого составляет всего 0,55 В;
  • большая скорость срабатывания;
  • малая емкость барьера (перехода), что дает возможность применять диод Шоттки в схемах с высокой частотой тока.

Но есть и несколько отрицательных свойств, которые необходимо учитывать при использовании этого радиотехнического элемента. А именно:

  • мгновенный необратимый выход из строя даже при кратковременном повышении обратного напряжения выше предельного значения;
  • возникновение теплового пробоя на обратном токе из-за выделения тепла;
  • часто встречаются утечки диодов, которые определить затруднительно.

Сфера применения и популярные модели

Полупроводниковый радиотехнический элемент Шоттки характеризуется отсутствием диффузной емкости из-за отсутствия неосновных носителей. Поэтому этот элемент в первую очередь — это СВЧ-диод широкого спектра применения. Его используют в роли следующих элементов:

  • тензодатчик;
  • приемник излучения;
  • модулятор света;
  • детектор ядерного излучения;
  • выпрямитель тока высокой частоты.

Малое падение напряжения, к сожалению, наблюдается у большинства этих элементов при рабочем напряжении в пределах 55−60 В. Если напряжение выше этого значения, то диод Шоттки имеет такие же качества, как и обычный полупроводниковый элемент на кремниевой основе. Максимум обратного напряжения обычно составляет порядка 250 В, но есть особые модели, которые выдерживают и 1200 В (например, VS-10ETS12-M3).

Из сдвоенных моделей популярной среди радиолюбителей является 60CPQ150. Этот радиоэлемент имеет максимум обратного напряжения 150 В, а каждый отдельный диод из сборки рассчитан на пропускание тока в прямом включении силой 30 А. В мощных импульсных источниках питания иногда можно встретить модель VS-400CNQ045, у которой сила тока на выходе после выпрямления достигает 400 А.

У радиолюбителей пользуются популярностью диоды Шоттки серии 1N581x. Такие образцы, как 1N5817, 1N5818, 1N5819 имеют максимальный номинальный прямой ток 1 А, а обратное напряжение у них составляет 20−40 В . Падение напряжения на барьере (переходе) в диапазоне от 0.45 до 0.55 В. Также в радиолюбительской практике встречается элемент 1N5822 с прямым током до 3 А.

На печатных платах используют миниатюрные диоды серий SK12 — SK16. Несмотря на очень небольшие размеры, они выдерживают прямой ток до 1 А, а напряжение «обратки» составляет от 20 до 60 В. Есть и более мощные диоды, например, SK36. У него прямой ток доходит до 3 А.

Диагностика возможных неисправностей

Существует всего три вида возможных неисправностей. Это пробой, обрыв и утечка. Если первые два вида можно диагностировать самостоятельно в домашних условиях с помощью обычного мультиметра, то третья неисправность в домашних условиях практически не поддается диагностике.

Для надежного определения выхода из строя диода его необходимо выпаять из схемы, иначе шунтирование через другие элементы схемы будет искажать полученные показания. При пробое элемент ведет себя как обычный проводник. При замере его сопротивления в обоих направлениях измерительный прибор будет составлять «0». При обрыве деталь вообще не пропускает электрический ток в любом направлении. Его сопротивление равно бесконечности в каждом направлении.

Косвенным признаком утечки в элементе является его нестабильная работа. Иногда может срабатывать встроенная защита в блоке питания компьютера, монитора и т. д.

Мультиметром определить утечку невозможно, так как она возникает при работе элемента, а замеры необходимо производить при его отключении от схемы.

Диод Шоттки – это полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником

Эффект Шотки возникает при контакте металла с полупроводниковым материалом. В самых старых диодах (точечных) использовалось металлическое остриё. В металле при его соприкосновении с полупроводником образуется область пространственного заряда, что позволяет току течь в одном направлении, но не пропускает его в другом. Диоды Шотки являются развитием этой технологии. Современные диоды Шотки имеют структуру, изображённую на Рис.1

Рис.1 Структура современного диода Шоттки

Выпрямительный переход создаётся слоем металла (обычно золота, платины, алюминия или палладия), нанесённого на поверхность слаболегированного полупроводника. Применяемый металл и уровень легирования влияют на характеристики выпрямления. Свойство выпрямления возникает вследствие разности энергетических уровней материалов. Тыльная сторона полупроводника легируется сильнее, а контакт с обратной стороны называется омическим, так как энергетические уровни материалов очень близки, и область контакта по своим свойствам напоминает резистор. Ток течёт через диод Шотки вследствие того, что под воздействием прямого напряжения смещения p-n-перехода электроны в металле преодолевают потенциальный барьер. Поэтому диоды Шоттки называются также диодами с «горячими» носителями заряда.

а)

б)

в)

г)

д)

Рис 2. Схема контакта металл — полупроводник (а) и его энергетическая диаграмма при нулевом (б), прямом (г) и обратном (д) смещении

Рассмотрим особенности работы диода с барьером Шоттки на основе контакта металла с полупроводником n-типа для случая, когда работа выхода металла больше, чем работа выхода полупроводника (Рис 2 а). При образовании контакта электроны переходят из материала с меньшей работой выхода в материал с большей работой выхода, в результате чего уровни Ферми металла и полупроводника выравниваются. При этом полупроводник оказывается заряженным положительно, а возникающее внутреннее электрическое поле препятствует переходу электронов в металл. Между металлом и полупроводником возникает контактная разность потенциалов Uк=Aп-Ам (Ап и Ам работа выхода полупроводника и металла соответственно).

Благодаря разности работ выхода металла и полупроводника между ними происходит обмен электронами. Электроны из полупроводника, имеющего меньшую работу выхода, переходят в металл с большей работой выхода. В равновесном состоянии (рис. 2 а) металл заряжается отрицательно, в результате чего возникает электрическое поле, прекращающее однородный переход электронов.

Из-за резкого различия концентраций свободных электронов по обе стороны от контакта практически все падение напряжения приходится на приконтактную область полупроводника. Приложенное внешнее напряжение изменяет высоту барьера лишь со стороны полупроводника. Электроны зоны проводимости отталкиваются возникшим контактным полем. Создается обедненный слой с пониженной концентрацией подвижных носителей. Около контакта вследствие изгиба границ зон полупроводник n-типа переходит в полупроводник p-типа.

Распределение электрического поля (рис. 2 в) и объемного заряда в этом случае описывается теми же уравнениями, что и для резкого p-n-перехода. В полупроводнике возникает область, обедненная основными носителями заряда с пониженной проводимостью, ширина которой зависит от уровня легирования полупроводника. В состоянии равновесия поток электронов (основных носителей полупроводника) в металл уравновешивается потоком электронов из металла в полупроводник.

При прямом смещении (рис. 2 г) потенциальный барьер со стороны полупроводника понижается и число переходов электронов в металл увеличивается. При обратном смещении (рис. 2 д), напротив, ток из полупроводника уменьшается, стремясь с ростом напряжения к нулю. Ток электронов из металла все время остается неизменным: роль его незначительна при прохождении прямого тока, им же обусловлен ток утечки при обратном смещении. Величина этого обратного тока в приборах с барьером Шоттки порядка единиц микроампер.

В реальных контактах линейная зависимость высоты барьера от работы выхода металла наблюдается редко ввиду того, что на поверхности полупроводника из-за её неидеальности, имеются поверхностные заряды. При нанесении металла такой поверхностный заряд экранирует влияние металла, вследствие чего высота потенциального барьера в основном определяется состоянием поверхности полупроводника. Кроме того, на свойства контакта металл — полупроводник влияют токи утечки, токи генерации — рекомбинации носителей заряда в обедненной области и возможность туннельного перехода электронов в случае сильнолегированного полупроводника.

Диоде Шоттки отсутствуют накопление неосновных носителей заряда в областях диода при прямом напряжении и рассасывание этого заряда при изменении знака напряжения. Это улучшает быстродействие диода, т. е. частотные и импульсные свойства. Время восстановления обратного сопротивления с диодом Шоттки при использовании кремния и золота — примерно 10 нс и меньше.

Достоинством диода Шоттки при современном уровне технологии является также то, что его вольт-амперная характеристика оказывается очень близкой к характеристике идеализированного p-n-перехода.

Ток в полупроводниковом материале представляет собой поток электронов. Электроны — основные носители заряда, и скорость протекания тока выше, чем p-материале плоскостного диода. Поэтому диоды Шоттки — самые быстродействующие из всех диодов. Поскольку в области перехода отсутствуют неосновные носители заряда, диод запирается сразу же, как только прикладываемое напряжение снижается до нуля. Однако процесс заряда ёмкости перехода вызывает протекание обратного тока. Эта ёмкость весьма мала, поэтому и обратный ток имеет чрезвычайно низкую величину. Диоды Шотки характеризуются практически нулевым временем прямого и обратного восстановления, потому что их проводимость не зависит от неосновных носителей заряда.

Прямое падение напряжения у кремниевого диода Шоттки очень мало, обычно порядка 0.2…0.45 В. Падение напряжения пропорционально максимальному обратному напряжению. Например, падение напряжения на диоде с обратным напряжением 10 В может составлять всего лишь 0.3 В. Чем выше максимальное обратное напряжение и номинальный ток, тем больше прямое падение напряжения вследствие увеличения толщины n-слоя. Диод с повышенной предельно допустимой температурой имеет большее прямое падение напряжения, которое уменьшается с понижением температуры перехода. Этот отрицательный температурный коэффициент по току позволяет снизить рассеивание мощности, но усложняет параллельное включение диодов.

Для многих видов диодов (таких как выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды, импульсные диоды и т.д.), основным физическим процессом, ограничивающим диапазон рабочих частот, оказывался процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода. Другой физический процесс – перезаряд барьерной ёмкости выпрямляющего электрического перехода – имел в рассмотренных диодах второстепенное значение и сказывался на их частотных свойствах только при определенных условиях. Поэтому были выдвинуты требования к конструкции и технологии изготовления диодов, выполнение которых обеспечивало бы ускорение рассасывания накопленных в базе за время действия прямого напряжения неосновных носителей заряда. Понятно, что если исключить инжекцию неосновных носителей заряда при работе диода, то не было бы накопления этих неосновных носителей в базе и соответственно относительно медленного процесса их рассасывания. Здесь можно перечислить несколько возможностей практически полного устранения инжекции неосновных носителей заряда при сохранении выпрямительных свойств полупроводниковых диодов.

1. Использование в качестве выпрямляющего электрического перехода (гетероперехода), т.е. электрического перехода, образованного в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещённой зоны. Инжекция неосновных носителей при прямом включении будет отсутствовать при выполнении ряда условий и, в частности, при одинаковом типе электропроводности полупроводников, образующих гетеропереход. Этот способ устранения инжекции неосновных носителей заряда пока не нашел широкого применения в промышленном производстве монокристаллических полупроводниковых диодов из-за технологических трудностей.

2. Использование для выпрямления эффекта туннелирования.

3. Инвертирование диодов, т.е. использование для выпрямления только обратной ветви ВАХ вместе с участком, соответствующим лавинному пробою. Этот способ не нашёл применения из-за необходимости иметь для каждого диода своё напряжение смещения, почти равное напряжению пробоя. Кроме того, в начальной стадии лавинного пробоя в диоде возникают шумы.

4. Использование выпрямляющего перехода Шоттки, т.е. выпрямляющего электрического перехода, образованного в результате контакта между металлом и полупроводником. На таком переходе высота потенциального барьера для электронов и дырок может существенно отличаться. Поэтому при включении выпрямляющего перехода Шоттки в прямом направлении прямой ток возникает благодаря движению основных носителей заряда полупроводника в металл, а носители другого знака (неосновные для полупроводника) практически не могут прейти из металла в полупроводник из-за высокого для них потенциального барьера на переходе.

Таким образом, на основе выпрямляющего перехода Шоттки могут быть созданы выпрямительные, импульсные и сверхвысокочастотные полупроводниковые диоды, отличающиеся от диодов с p-n-переходом лучшими частотными свойствами.

Выпрямительные диоды Шоттки

На частотные свойства диодов Шоттки основное влияние должно оказывать время перезарядки барьерной ёмкости перехода. Постоянная времени перезарядки зависит и от сопротивления базы диода. Поэтому выпрямляющий переход Шоттки целесообразнее создавать на кристалле полупроводника с электропроводностью n-типа – подвижность электронов больше подвижности дырок. По той же причине должна быть большой и концентрация примесей в кристалле полупроводника.

Однако толщина потенциального барьера Шоттки, возникающего в полупроводнике вблизи границы раздела с металлом, должна быть достаточно большой. Только при большой толщине потенциального барьера (перехода Шоттки) можно будет, во-первых, устранить вероятность туннелирования носителей заряда сквозь потенциальный барьер, во-вторых, получить достаточные значении пробивного напряжения и, в-третьих, получить меньшие значения удельной (на единицу площади) барьерной ёмкости перехода. А толщина перехода или потенциального барьера зависит от концентрации примесей в полупроводнике: чем больше концентрация примесей, тем тоньше переход. Отсюда следует противоположное требование меньшей концентрации примесей в полупроводнике.

Учёт этих противоречивых требований к концентрации примесей в исходном полупроводнике приводит к необходимости создания двухслойной базы диода Шоттки (рис. 3). Основная часть кристалла – подложка толщиной около 0,2 мм – содержит большую концентрацию примесей и имеет малое удельное сопротивление. Тонкий монокристаллический слой того же самого полупроводника (толщиной в несколько микрометров) с той же электропроводностью n-типа может быть получен на поверхности подложки методом эпитаксиального наращивания. Концентрация доноров в эпитаксиальном слое должна быть значительно меньше, чем концентрация доноров в подложке.

Рис. 3. Варианты структур диодов Шоттки с двухслойной базой

В качестве исходного полупроводникового материала для выпрямительных диодов Шоттки можно использовать кремний или арсенид галлия. Однако в эпитаксиальных слоях арсенида галлия не удаётся пока достичь малой концентрации дефектов и достаточно низкой концентрации доноров. Поэтому пробивное напряжение диодов Шотки на основе арсенида галлия оказывается низким, что является существенным недостатком для выпрямительных диодов.

Металлический электрод на эпитаксиальный слой полупроводника обычно наносят методом испарения в вакууме с последующим осаждением на поверхность эпитаксиального слоя. Перед нанесением металлического электрода целесообразно методами фотолитографии создать окна в оксидном слое на поверхности полупроводника. Так легче получить выпрямляющий переход Шотки необходимой площади и конфигурации.

Выпрямительные низкочастотные диоды предпочтительнее изготовлять с p-n-переходом. Выпрямительные диоды Шоттки в области низких частот могут в перспективе иметь преимущество перед диодами с p-n-переходом, связанное с простотой изготовления.

Наибольшие преимущества перед диодами с p-n-переходом диоды Шоттки должны иметь при выпрямлении больших токов высокой частоты. Здесь кроме лучших частотных свойств диодов Шоттки следует отметить такие их особенности: меньшее прямое напряжение из-за меньшей высоты потенциального барьера для основных носителей заряда полупроводника; большая максимально допустимая плотность прямого тока, что связано, во-первых, с меньшим прямым напряжением и, во-вторых, с хорошим теплоотводом от выпрямляющего перехода Шоттки. Действительно, металлический слой, находящийся с одной стороны перехода Шоттки, по своей теплопроводности превосходит любой сильнолегированный слой полупроводника. По этим же причинам выпрямительные диоды Шоттки должны выдерживать значительно большие перегрузки по току по сравнению с аналогичными диодами с p-n-переходом на основе того же самого полупроводникового материала.

Ещё одна особенность диодов Шотки заключается в идеальности прямой ветви ВАХ. При этом с изменением прямого тока в пределах нескольких порядков зависимость близка к линейной, или в показателе экспоненты при изменении тока не появляется дополнительных множителей. Учитывая эту особенность, диоды Шоттки можно использовать в качестве быстродействующих логарифмических элементов.

На рис. 4 показаны ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219, рассчитанного на максимально допустимый прямой ток 10 А. Прямое напряжение на диоде при максимально допустимом прямом токе не более 0,6 В, максимально допустимое обратное напряжение для диода 2Д219Б 20 В. Эти диоды допускают прохождение импульсов тока длительностью до 10 мс с периодом повторения не менее 10 мин с амплитудой, в 25 раз превышающей максимально допустимый прямой ток. Диоды рассчитаны на частоту выпрямляемого тока 0,2 МГц.

диод устройство полупроводник Шотки

Рис. 4. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах

Импульсные диоды Шоттки.

Исходным полупроводниковым материалом для этих диодов может быть, так же как и для выпрямительных диодов Шоттки, кремний или арсенид галлия. Но предпочтение здесь должно быть отдано арсениду галлия, так как в этом материале время жизни неосновных носителей заряда может быть менее с. Несмотря на практическое отсутствие инжекции неосновных носителей заряда через переход Шоттки при его включении в прямом направлении (что уже было отмечено ранее), при больших прямых напряжениях и плотностях прямого тока существует, конечно, некоторая составляющая прямого тока, связанная с инжекцией неосновных носителей заряда в полупроводник. Поэтому требование малости времени жизни неосновных носителей в исходном полупроводниковом материале остается и для импульсных диодов Шотки.

Главный недостаток диодов Шоттки — большой обратный ток утечки. Он имеет экспоненциальную зависимость от температуры и возрастает при повышении температуры и обратного напряжения. Максимальный ток утечки определяется технологией производства диодов. Чем выше декларируемые номинальное обратное напряжение диода и максимальная температура перехода, тем меньше утечка.

Электротехника и радиоэлектроника пестрят многими понятиями, одним из которых является диод Шоттки, используемый в многочисленных схемах электроцепей. Многие задаются вопросами о том, что такое диод Шоттки, как он обозначается на схемах, а также каков принцип работы диода Шоттки.

Общая информация и принцип работы

Диод Шоттки – диодное полупроводниковое изделие, которое при прямолинейном включении в цепь выдает малый показатель уменьшения напряжения. Состоит данный элемент из металла и полупроводника. Назван диод в честь известного немецкого физика-испытателя В. Шоттки, какой в 38 году 20 века изобрел его.

В промышленности применяется такой диод с ограниченным обратным напряжением – до 250 В, но на практике в бытовых целях для предотвращения движения тока в противоположную сторону применяются в основном низковольтные варианты – 3-10В.

Диоды Шоттки можно разделить на 3 класса по мощностным характеристикам:

  • высокомощные;
  • среднемощные;
  • маломощные.

Диод с барьером Шоттки (более точное наименование изделия) состоит из проводника, для контакта с каким используется металл, кольца защиты и пассивации стеклом.

В тот момент, когда по электроцепи проходит ток, в разных участках корпуса по всей области полупроводникового барьера и на защитном кольце собираются отрицательные и положительные заряды, что приводит к возникновению электрополя и выделению тепловой энергии – это большой плюс диода для многих физических опытов.

Диодные сборки этого типа могут выпускаться в нескольких вариациях:

  • диоды Шоттки с общим анодом;
  • диодные изделия, имеющие вывод с общего катода;
  • диоды, собранные по схеме удвоения.

Технические характеристики популярных модификаций диодов Шоттки

Наименование Предельное обратное пиковое напряжение Предельный выпрямительный электроток Пиковый прямой электроток Предельный обратный электроток Предельное прямое напряжение
Ед. измерения В А оС А µА В
1N5817 20 1 90 25 1 0,45
1N5818 30 1 90 25 1 0,55
1N5819 40 1 90 25 1 0,6
1N5821 30 3 95 80 2 0,5
1N5822 40 3 95 80 2 0.525

Различия от иных полупроводников

Диоды Шоттки различаются от иных диодных изделий тем, что имеют преграду в виде перехода – полупроводник-металл, характеризующийся односторонней электропроводностью. Металлом в них могут выступать кремний, арсенид галлия, реже могут использоваться соединения германия, вольфрама, золота, платины и прочие.

Работа этого электронного компонента будет полностью зависеть от выбранного металла. Чаще всего в таких конструкциях встречается кремний, так как отличается большей надежностью и отличными рабочими характеристиками на высоких мощностях. Могут также использоваться соединения галлия и мышьяка, германия. Производственная технология этого электронного изделия проста, что обуславливает его низкую стоимость.

Изделие Шоттки характеризуется более стабильным функционированием при подаче электротока, чем прочие типы полупроводниковых диодов. Достигается это за счет того, что в его корпус внедряются специальные кристаллические образования.

Достоинства и недостатки

Вышеописанные диоды имеют некоторые достоинства, которые заключаются в следующем:

  • электроток отлично удерживается в цепи;
  • небольшая емкость барьера Шоттки увеличивает срок службы изделия;
  • низкое падение электронапряжения;
  • быстродействие в электроцепи.

Самым же существенным недостатком компонента является огромный обратный ток, что даже при скачке этого показателя в несколько единиц приводит к выходу диода из строя.

Обратите внимание! При эксплуатации электроэлемента Шоттки в цепях с мощным электротоком при неблагоприятных условиях теплового обмена случается теплопробой.

Диод Шоттки: обозначение и маркировка

Диод Шоттки на электросхемах обозначается практически точно так же, как и обычные полупроводники, но с некоторыми особенностями.

Стоит отметить, что на схемах могут встречаться и сдвоенные варианты диода Шоттки. Представляет собой такая конструкция два соединенных диода в общем корпусе, имеющие спаянные катоды или аноды, что ведет к образованию трех выводов.

Маркировка таких элементов проставляется сбоку в виде букв и символов. Каждый производитель осуществляет маркирование своих изделий по-своему, но выполняя определенные международные стандарты.

Важно! Если буквенно-цифирное обозначение на корпусе диода не понятно, то рекомендуется смотреть расшифровку в радиотехническом справочнике.

Область применение

Применение диодных конструкций с барьером Шоттки можно встретить во многих приборах и электротехнических структур. Наиболее часто они применяются на электросхемах в следующей технике:

  • электроприборы для дома и компьютеры;
  • блоки питания различного типа и стабилизаторы напряжения;
  • теле,- и радиоаппаратура;
  • транзисторы и батареи, работающие от солнечной энергии;
  • прочая электроника.

Столь широкая область применения связана с тем, что такой электротехнический элемент увеличивает многократно эффективность и работоспособность конечного изделия, восстанавливает обратное сопротивление электротока, сохраняет его в электросети, снижает численность утерь динамики электронапряжения, а также вбирает в себя довольно много различного типа излучений.

Диагностирование диодов Шоттки

Проверить исправность электроэлемента Шоттки несложно, однако для этого потребуется некоторое время. Для диагностики неисправностей необходимо проделать нижеследующее:

  1. Из электросхемы или диодного моста требуется изначально выпаять интересующий элемент;
  2. Провести визуальный осмотр на возможные механические повреждения, наличие следов химических и прочих реакций;
  3. Проверить диод тестером или мультиметром;
  4. Если проверка проводится мультиметром, то необходимо после его включения подвести щупы к концам катода и анода, в итоге прибор выдаст реальное напряжение диодной сборки.

Важно! При проведении проверочных мероприятий мультиметром, следует учитывать электроток, который обычно указан сбоку изделия.

Итогом этих простых действий станет установление технического состояния полупроводника. Неисправным же диод может стать по следующим причинам:

  1. При возникновении пробоин элемент Шоттки перестает удерживать электроток, соответственно из полупроводника превращается в проводника;
  2. Когда в диодном мосту или самом диодном элементе случается обрыв, то пропуск электротока прекращается вообще.

Стоит отметить, что при таких происшествиях не будет видно ни дыма, ни запаха гари, соответственно, проверять потребуется все диоды, а лучше всего обратиться в специализированные мастерские.

Диод Шоттки – простой и неприхотливый, но в то же время крайне необходимый элемент в современной электронике, так как именно благодаря ему удается обеспечить бесперебойную работу многих приборов и технических изделий.

Видео

Мощные диоды Шоттки 2ДШ2942 — Изделия с приемкой ВП АО «ФЗМТ»

Изделия / Приемка ВП / 2ДШ2942

Мощные диоды Шоттки 2ДШ2942 с приемкой ВП

Область применения

Кремниевые эпитаксиально — планарные мощные выпрямительные диоды с барьером Шоттки 2ДШ2942 и диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом, по схеме удвоения (далее по тексту — «диоды и диодные сборки») в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.

Категория качества диодов и диодных сборок — «ВП».

Классификация, основные параметры и размеры

Диоды изготавливают одного типа семи типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02, семи типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02 и семи типономиналов в корпусах ПБВК.432122.004.

Диодные сборки изготавливают трех типов двадцати одного типономинала в корпусах КТ-111А-1.02, двадцати одного типономинала в корпусах КТ-111А-2.02, двадцати одного типономинала в корпусах ПБВК.432122.004.

Диодные сборки с общим катодом относятся к первому типу, диодные сборки с общим анодом относятся ко второму типу, диодные сборки по схеме удвоения относятся к третьему типу.

Основные и классификационные характеристики диодов и диодных сборок приведены в таблице ниже.

Схемы разводки диодов и диодов в составе диодных сборок в корпусе, нумерация выводов корпуса приведены на рисунках ниже.

Диоды и диодные сборки изготавливаются в исполнении, предназначенные для ручной сборки (монтажа) аппаратуры.

Условное обозначение диодов и диодных сборок при заказе и в конструкторской документации другой продукции:

  • Диод 2ДШ2942А АЕЯР.432120.555ТУ.
  • Диодная сборка 2ДШ2942АС1 АЕЯР.432120.555ТУ.
  • Диод 2ДШ2942А1 АЕЯР.432120.555ТУ.
  • Диодная сборка 2ДШ2942АС11 АЕЯР.432120.555ТУ.
  • Диод 2ДШ2942А2 АЕЯР.432120.555ТУ.
  • Диодная сборка 2ДШ2942АС12 АЕЯР.432120.555ТУ.

Основные и классификационные параметры диодов и диодных сборок.

Условное обозначение Код ОТК Основные и классификационные параметры в нормальных климатических условиях1, буквенное обозначение, единица измерения, (режим измерения) Условное обозначение корпуса по ГОСТ 18472 Обозначение габаритного чертежа Обо­зна­че­ни­е схемы со­е­ди­не­ни­я2 Обозначение комплекта конструкторской документации
Uобр max, В Uпр, В Iпр, А Iобр, мА
Диоды
2ДШ2942А 6341315885 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-1.02 ПБВК.432122.001ГЧ Д ПБВК.432122.001
2ДШ2942Б 6341315895 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.001-01
2ДШ2942В 6341315905 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.001-02
2ДШ2942Г 6341315915 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-03
2ДШ2942Д 6341315925 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-04
2ДШ2942Е 6341315935 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-05
2ДШ2942Ж 6341315945 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-06
2ДШ2942А1 6341320255 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-2.02 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.002
2ДШ2942Б1 6341320265 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.002-01
2ДШ2942В1 6341320275 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.002-02
2ДШ2942Г1 6341320285 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-03
2ДШ2942Д1 6341320295 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-04
2ДШ2942Е1 6341320305 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-05
2ДШ2942Ж1 6341320315 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-06
2ДШ2942А2 6341316565 25 0,7 20 1,0 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.004
2ДШ2942Б2 6341316575 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.004-01
2ДШ2942В2 6341316585 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.004-02
2ДШ2942Г2 6341316595 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-03
2ДШ2942Д2 6341316605 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-04
2ДШ2942Е2 6341316615 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-05
2ДШ2942Ж2 6341316625 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-06
Сборки с общим катодом
2ДШ2942АС1 6341315955 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-1.02 ПБВК.432122.001ГЧ ОК ПБВК.432122.001-10
2ДШ2942БС1 6341315965 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.001-11
2ДШ2942ВС1 6341315975 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.001-12
2ДШ2942ГС1 6341315985 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-13
2ДШ2942ДС1 6341315995 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-14
2ДШ2942ЕС1 6341316005 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-15
2ДШ2942ЖС1 6341316015 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-16
2ДШ2942АС11 6341320325 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-2.02 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.002-10
2ДШ2942БС11 6341320335 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.002-11
2ДШ2942ВС11 6341320345 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.002-12
2ДШ2942ГС11 6341320355 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-13
2ДШ2942ДС11 6341320365 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-14
2ДШ2942ЕС11 6341320375 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-15
2ДШ2942ЖС11 6341320385 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-36
2ДШ2942АС12 6341320535 25 0,7 20 1,0 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.004-10
2ДШ2942БС12 6341320545 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.004-11
2ДШ2942ВС12 6341320555 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.004-12
2ДШ2942ГС12 6341320565 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-13
2ДШ2942ДС12 6341320575 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-14
2ДШ2942ЕС12 6341320585 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-15
2ДШ2942ЖС12 6341320595 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-16
Сборки с общим анодом
2ДШ2942АС2 6341316025 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-1.02 ПБВК.432122.001ГЧ ОА ПБВК.432122.001-20
2ДШ2942БС2 6341316035 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.001-21
2ДШ2942ВС2 6341316045 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.001-22
2ДШ2942ГС2 6341316055 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-23
2ДШ2942ДС2 6341316065 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-24
2ДШ2942ЕС2 6341316075 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-25
2ДШ2942ЖС2 6341316085 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-26
2ДШ2942АС21 6341320395 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-2.02 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.002-20
2ДШ2942БС21 6341320405 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.002-21
2ДШ2942ВС21 6341320415 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.002-22
2ДШ2942ГС21 6341320425 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-23
2ДШ2942ДС21 6341320435 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-24
2ДШ2942ЕС21 6341320445 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-25
2ДШ2942ЖС21 6341320455 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-26
2ДШ2942АС22 6341320605 25 0,7 20 1,0 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.004-20
2ДШ2942БС22 6341320615 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.004-21
2ДШ2942ВС22 6341320625 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.004-22
2ДШ2942ГС22 6341320635 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-23
2ДШ2942ДС22 6341320645 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-24
2ДШ2942ЕС22 6341320655 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-25
2ДШ2942ЖС22 6341320665 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-26
Сборки по схеме удвоения
2ДШ2942АС3 6341316095 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-1.02 ПБВК.432122.001ГЧ СУ ПБВК.432122.001-30
2ДШ2942БС3 6341316105 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.001-31
2ДШ2942ВС3 6341316115 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.001-32
2ДШ2942ГС3 6341316125 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-33
2ДШ2942ДС3 6341316135 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-34
2ДШ2942ЕС3 6341316145 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.001-35
2ДШ2942ЖС3 6341316155 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.001-36
2ДШ2942АС31 6341320465 25 0,7 20 1,0 КТ-111А-2.02 ПБВК.432122.001ГЧ ПБВК.432122.002-30
2ДШ2942БС31 6341320475 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.002-31
2ДШ2942ВС31 6341320485 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.002-32
2ДШ2942ГС31 6341320495 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-33
2ДШ2942ДС31 6341320505 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-34
2ДШ2942ЕС31 6341320515 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.002-35
2ДШ2942ЖС31 6341320525 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.002-36
2ДШ2942АС32 6341320675 25 0,7 20 1,0 ПБВК.432122.001ГЧ СУ ПБВК.432122.004-30
2ДШ2942БС32 6341320685 60 0,8 20 1,0 ПБВК.432122.004-31
2ДШ2942ВС32 6341320695 80 0,9 20 1,0 ПБВК.432122.004-32
2ДШ2942ГС32 6341320705 100 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-33
2ДШ2942ДС32 6341320715 150 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-34
2ДШ2942ЕС32 6341320725 200 1,0 20 1,0 ПБВК.432122.004-35
2ДШ2942ЖС32 6341320735 300 1,0 15 1,0 ПБВК.432122.004-36

Примечания:

  1. Параметры диодов А1—Ж1, А2—Ж2 и диодов в составе диодных сборок АС1—ЖС1, АС11—ЖС11, АС12—ЖС12, АС2—ЖС2, АС21—ЖС21, АС22—ЖС22, АС3—ЖС3, АС31—ЖС31, АС32—ЖС32 соответствуют параметрам одиночных диодов с индексами А—Ж.
  2. Обозначение схемы соединения:
    Д — диод.
    ОК — диодная сборка из двух диодов с общим катодом.
    ОА — диодная сборка из двух диодов с общим анодом.
    СУ — диодная сборка из двух последовательно соединенных диодов — схема удвоения.

Справочные данные диодов и диодных сборок.

Диод шоттки 50 вольт. Диод Шоттки. Особенности и обозначение на схеме. Применение диодов Шоттки в источниках питания

Развитие электроники требует все более высоких стандартов от радиодеталей. Для работы на высоких частотах используют диод Шоттки, который по своим параметрам превосходит кремниевые аналоги. Иногда можно встретить название диод с барьером Шоттки, что в принципе означает то же самое.

  • Конструкция
  • Миниатюризация
  • Использование на практике

Конструкция

Отличается диод Шоттки от обыкновенных диодов своей конструкцией, в которой используется металл-полупроводник, а не p-n переход. Понятно, что свойства здесь разные, а значит, и характеристики тоже должны отличаться.

Если часть определена с помощью. Запуск моделирования показывает, что диод имеет прямое падение напряжения 2 мВ. Опять же, чтобы избежать орфографических ошибок, легче выделить имя модели и скопировать ее. Прямое падение напряжения должно составлять 290 мВ.

Если вы столкнулись с ошибками, проверьте следующее. Аналогичную процедуру можно использовать для импорта более сложных моделей. Из-за значительного изменения ориентации клиентов на экологически чистые продукты, чистых источников энергии, спрос на рынке растет в сторону электронных устройств, что позволяет достичь низких потерь и высокоэффективного преобразования энергии. Ожидается, что карбид кремния, дальний полупроводник, станет одним из материалов для устройств с низким уровнем потерь и высокого напряжения следующего поколения, поскольку его критическое поле пробоя более чем в восемь раз больше, чем у кремния.

Действительно, металл-полупроводник обладает такими параметрами:

  • Имеет большое значение тока утечки;
  • Невысокое падение напряжения на переходе при прямом включении;
  • Восстанавливает заряд очень быстро, так как имеет низкое его значение.

Диод Шоттки изготавливается из таких материалов, как арсенид галлия, кремний; намного реже, но также может использоваться – германий. Выбор материала зависит от свойств, которые нужно получить, однако в любом случае максимальное обратное напряжение, на которое могут изготавливаться данные полупроводники, не выше 1200 вольт – это самые высоковольтные выпрямители. На практике же намного чаще их используют при более низком напряжении – 3, 5, 10 вольт.

Основное управляющее устройство с барьерной конструкцией Шоттки

Независимые функции температурного восстановления
Диод представляет собой двухконтактное устройство, имеющее два активных электрода, среди которых ток может передаваться только в одном направлении. Диоды известны своим свойством однонаправленного тока, в котором электрический ток пропускается в одном направлении. В принципе, диоды используются для создания осциллограмм в случае выпрямителей, их можно использовать внутри источников питания или внутри радиодетекторов. Они также могут использоваться в цепях, где необходим эффект циркуляции только в одном направлении.

На принципиальной схеме диод Шоттки обозначается таким образом:

Но иногда можно увидеть и такое обозначение:


Это означает сдвоенный элемент: два диода в одном корпусе с общим анодом или катодом, поэтому элемент имеет три вывода. В блоках питания используют такие конструкции с общим катодом, их удобно использовать в схемах выпрямителей. Часто на схемах рисуется маркировка обычного диода, но в описании указывается, что это Шоттки, поэтому нужно быть внимательными.

Быстрые диоды Шоттки

Большинство диодов являются кремниевыми полупроводниками, однако иногда используется германий. Диоды, позвольте нам назвать более специализированными, выполнять определенные функции, такие как изменение мощности в зависимости от напряжения, регулирования напряжения, излучения света в дополнение к другим менее используемым, но с очень специфическими функциями. Некоторые из различных типов диодов заключаются в следующем.

Варикапный диод представляет собой диод, имеющий переменную емкость в зависимости от приложенного напряжения. Они в основном представляют собой диоды, специально сконструированные для работы в качестве переменных конденсаторов, емкость которых изменяется в зависимости от приложенного напряжения.

Диодные сборки с барьером Шоттки выпускаются трех типов:

Диод с обратной полярностью может работать как конденсатор, емкость которого изменяется в зависимости от применяемого напряжения.

Сечение общего фотодиода кремния. Это, в свою очередь, довольно тонкое, а его толщина связана с длиной волны света, который должен быть обнаружен.

Фотодиод может работать в фотогальваническом режиме, то есть без какой-либо поляризации. Поскольку генерируемое напряжение очень низкое, обычно используется операционный усилитель. В этой схеме выходные импульсы инвертируются относительно световых импульсов на входе.

1 тип – с общим катодом;

2 тип – с общим анодом;

3 тип – по схеме удвоения.

Для экономии на платежах за электроэнергию наши читатели советуют «Экономитель энергии Electricity Saving Box». Ежемесячные платежи станут на 30-50% меньше, чем были до использования экономителя. Он убирает реактивную составляющую из сети, в результате чего снижается нагрузка и, как следствие, ток потребления. Электроприборы потребляют меньше электроэнергии, снижаются затраты на ее оплату.


В режиме фотокондуктора фотодиод поляризуется потенциалом от внешнего источника. Два контура показывают использование с операционными усилителями. Диод должен работать с обратным смещением. Металлические и полупроводниковые переходные диоды не являются последними.

Обычно на краю слой оксида, чтобы избежать нежелательных эффектов наиболее интенсивного электрического поля в этой зоне.

Основной изюминкой диода Шоттки является более короткое время восстановления, поскольку отсутствует рекомбинация нагрузок на диоды. Другим преимуществом является более высокая плотность тока, что означает меньшее падение прямого напряжения, чем общий диод соединения. Этот аналог представляет собой больший обратный ток, который может препятствовать использованию в некоторых цепях.

Такое соединение помогает увеличить надежность элемента: ведь находясь в одном корпусе, они имеют одинаковый температурный режим, что важно, если нужны мощные выпрямители, например, на 10 ампер.

Но есть и минусы. Все дело в том, что малое падение напряжения (0,2–0,4 в) у таких диодов проявляется на небольших напряжениях, как правило – 50–60 вольт. При более высоком значении они ведут себя как обычные диоды. Зато по току эта схема показывает очень хорошие результаты, ведь часто бывает необходимо – особенно в силовых цепях, модулях питания – чтобы рабочий ток полупроводников был не ниже 10а.

Они в основном используются в высокочастотных цепях, высокоскоростном переключении. В этой ситуации область истощения очень узкая, в диапазоне «нескольких десятков атомов» по ​​толщине. Близость активных частей слоев позволяет туннельный эффект. Результатом является отрицательное сопротивление, т.е. ток уменьшается с увеличением напряжения в части прямой поляризационной кривой. Отрицательная характеристика сопротивления позволяет создавать простые осцилляторы, подобные схеме рисунка. Высокое легирование означает, что большинство носителей — это дырки и электроны, которые имеют очень быстрое действие.

Еще один главный недостаток: для этих приборов нельзя превышать обратный ток даже на мгновение. Они тут же выходят из строя, в то время как кремниевые диоды, если не была превышена их температура, восстанавливают свои свойства.

Но положительного все-таки больше. Кроме низкого падения напряжения, диод Шоттки имеет низкое значение емкости перехода. Как известно: ниже емкость – выше частота. Такой диод нашел применение в импульсных блоках питания, выпрямителях и других схемах, с частотами в несколько сотен килогерц.

Таким образом, он может работать на высоких частотах. Тоннельные диоды мало используются сегодня. Основными недостатками являются низкая мощность и стоимость, факторы с преимуществом в других технологиях. На самом деле это микроволновый генератор.


Они построены с тремя слоями. Центральный слой имеет более низкий уровень легирования. Устройство имеет отрицательную характеристику сопротивления. Полупроводниковым материалом может быть арсенид галлия или нитрид галлия, последний для более высоких частот.


ВАХ такого диода имеет несимметричный вид. Когда приложено прямое напряжение, видно, что ток растет по экспоненте, а при обратном – ток от напряжения не зависит.

Все это объясняется, если знать, что принцип работы этого полупроводника основан на движении основных носителей – электронов. По этой же самой причине эти приборы и являются такими быстродействующими: у них отсутствуют рекомбинационные процессы, свойственные приборам с p-n переходами. Для всех приборов, имеющих барьерную структуру, свойственна несимметричность ВАХ, ведь именно количеством носителей электрического заряда обусловлена зависимость тока от напряжения.



Эффект приводит к среднему заряду на слое, который позволяет проводить проводимость. При нулевой или обратной поляризации нет сохраненного заряда, и диод ведет себя как конденсатор параллельно с установленным сопротивлением. На более высоких частотах, периоды короче, чем длительность нагрузок, сопротивление представляет собой характерное изменение тока. Это дает разнообразные приложения на высоких частотах.

Их схематическое представление выглядит следующим образом. Диод представляет собой фундаментальный электронный компонент, наиболее важной функцией которого является то, что ток протекает только в одном направлении. Когда диод непосредственно поляризован, он проводит и позволяет потоку течь.

Миниатюризация

С развитием микроэлектроники стали широко применяться специальные микросхемы, однокристальные микропроцессоры. Все это не исключает использования навесных элементов. Однако если для этой цели использовать радиоэлементы обычных размеров, то это сведет на нет всю идею миниатюризации в целом. Поэтому были разработаны бескорпусные элементы – smd компоненты, которые в 10 и более раз меньше обычных деталей. ВАХ таких компонентов ничем не отличается от ВАХ обычных приборов, а их уменьшенные размеры позволяют использовать такие запчасти в различных микросборках.

Если он поляризован обратно, он не позволяет циркулировать ток. Мы можем сравнить диод с гидравлическим клапаном, который позволяет передавать воду в одном направлении и предотвращать ее в противоположном направлении. Эти заряды состоят из положительных и отрицательных ионов. Барьер, который занимает смежное пространство перехода и противостоит смещениям нагрузок с одной стороны, а другая сторона перехода называется потенциальным барьером, зона, где возникает этот барьер, называется зоной истощения.

Практическое использование различных диодов

Чтобы знать полярность диода, диод имеет стрелку, обозначающую конец, соответствующий катоду.

Диод — Особенности и приложения
Диод представляет собой устройство, состоящее из соединения двух полупроводниковых материалов, одного из нео-типа другого типа р-типа или полупроводникового материала и металла, обычно представленного символом фиг.


Компоненты smd имеют несколько типоразмеров. Для ручной пайки подходят smd размера 1206. Они имеют размер 3,2 на 1,6 мм, что позволяет их впаивать самостоятельно. Другие элементы smd более миниатюрные, собираются на заводе специальным оборудованием, и самому, в домашних условиях, их паять невозможно.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Это устройство позволяет пропускать ток, легко, в одном направлении и обеспечивает большую устойчивость к его прохождению в противоположном направлении. Таким образом, когда анод имеет положительный потенциал относительно катода, диод проводит, и ток будет иметь направление, указанное стрелкой.

Диод непосредственно поляризован. Когда анод имеет отрицательный потенциал относительно катода, диод не проводит, и ток, который будет иметь противоположное направление по отношению к стрелке, не пропускается. В этих условиях говорят, что диод обратно поляризован.

Принцип работы smd компонента также не отличается от его большого аналога, и если, к примеру, рассматривать ВАХ диода, то она в одинаковой степени будет подходить для полупроводников любого размера. По току изготавливаются от 1 до 10 ампер. Маркировка на корпусе часто состоит из цифрового кода, расшифровка которого приводится в специальных таблицах. Протестировать на пригодность их можно тестером, как и большие аналоги.

Обратите внимание на разные шкалы в 1-м и 3-м квадрантах. Происхождение этих обозначений связано с тем, что это устройство ведет себя аналогично термоионным диодам, терминалы которых названы. Напряжение и ток считаются положительными, когда устройство напрямую поляризовано. При комнатной температуре мы имеем. Такое поведение может быть аппроксимировано в некоторых приложениях по сравнению с идеальным диодом или линеаризованной характеристикой.

Поляризация в прямом направлении


Рисунок 3: Характеристические кривые и соответствующие электрические модели диодов. Установление этого электрического поля, как правило, уменьшает эффект потенциального барьера или даже отменяет его. Чтобы сделать сквозное соединение, необходимо преодолеть потенциальный барьер. Поэтому для достижения этого результата необходимо наложить достаточное напряжение на соединительные клеммы. Для некоторых германиевых соединений требуется минимум 0, 1 или 0, 2 В, чтобы стать обходными.

Использование на практике

Выпрямители Шоттки используется в импульсных блоках питания, стабилизаторах напряжения, импульсных выпрямителях. Самыми требовательными по току – 10а и более – это напряжения 3,3 и 5 вольт. Именно в таких цепях вторичного питания приборы Шоттки используют чаще всего. Для усиления значений по току их включают вместе по схеме с общим анодом или катодом. Если каждый из сдвоенных диодов будет на 10 ампер, то получится значительный запас прочности.

Поляризация в обратном направлении

Это соединение усиливает потенциальный барьер. Затем соединение считается заблокированным. Однако некоторые неосновные носители могут проходить через соединение. Как только переход проходит, его движение облегчается, с одной стороны, основными зарядами, составляющими потенциальный барьер, а с другой — потенциалами, приложенными к конечностям. Ток, вызванный неосновными носителями, может быть подтвержден с помощью микроаммиметра, вставленного во внешний контур.

Эффект Зенера — эффект лавины

Из некоторого обратного напряжения вторичные носители приобретают скорость, достаточную для вытягивания электронов из атомов. Явление является кумулятивным и вызывает быстрое снижение удельного сопротивления. Этот эффект используется в специальном типе и диодах для регулирования напряжения. В настоящее время существуют различные типы диодов, которые, хотя и имеют аналогичные электрические характеристики, адаптированы для выполнения определенных функций. Символ, представленный выше, представляет собой диод, обычно используемый для выпрямления и обработки сигналов на его основе.

Одна из самых частых неисправностей импульсных модулей питания – выход из строя этих самых диодов. Как правило, они либо полностью пробиваются, либо дают утечку. В обоих случаях неисправный диод нужно заменить, после чего проверить мультиметром силовые транзисторы, а также замерить напряжения питания.

Тестирование и взаимозаменяемость

Проверить выпрямители Шоттки можно так же, как и обычные полупроводники, так как они имеют похожие характеристики. Мультиметром необходимо прозвонить его в обе стороны – он должен показать себя так же, как и обычный диод: анод-катод, при этом утечек быть не должно. Если он показывает даже незначительное сопротивление – 2–10 килоом, это уже повод для подозрений.


Диод с общим анодом или катодом можно проверить как два обычных полупроводника, соединенных вместе. Например, если анод общий, то это будет одна ножка из трех. На анод ставим один щуп тестера, другие ножки – это разные диоды, на них ставится другой щуп.

Можно ли его заменить на другой тип? В некоторых случаях диоды Шоттки меняют на обычные германиевые. К примеру, Д305 при токе 10 ампер давал падение всего 0,3 вольта, а при токах 2–3 ампера их вообще можно ставить без радиаторов. Но главная цель установки Шоттки – это не малое падение, а низкая емкость, поэтому заменить получится не всегда.

Как видим, электроника не стоит на месте, и дальнейшие варианты применения быстродействующих приборов будет только увеличиваться, давая возможность разрабатывать новые, более сложные системы.

Диод Шоттки еще одна разновидность типичного полупроводникового диода, его отличительная особенность это малое падение напряжения при прямом включении. Название свое он получил в честь немецкого физика изобретателя Вальтера Шоттки. В этих диодах в роли потенциального барьера применяется переход металл-полупроводник, а не p-n переход. Допустимое обратное напряжение диодов Шоттки обычно около 1200 вольт, например CSD05120 и его аналоги, на практике они используются в низковольтных цепях при обратном напряжении до нескольких десятков вольт.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто увидеть сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом.

Так как оба диода размещены в едином корпусе и собраны при одинаковом технологическом процессе, то их технические параметры почти идентичны. При подобном размещение в одном корпусе, во время работе они будут находится в одном температурном режиме, а это один из главный факторов увеличения надежность работы устройства в целом.

Достоинства


Падение напряжения на диоде при прямом включении всего 0,2-0,4 вольт, в то время, как на типовых кремниевых диодах, этот параметр составляет 0,6-0,7 вольта. Такое низкое падение напряжения на полупроводнике, при прямом включении, свойственно только диодам Шоттки с обратным напряжением максимум десятки вольт, но в случае повышения уровня приложенного напряжения, падение напряжения на диоде Шоттки уже сопоставимо с кремниевым диодом, что достаточно сильно ограничивает использование диодов Шоттки в современной электронике.
Теоретически любой диод Шоттки может обладает малой емкостью барьера. Отсутствие в явном виде классического p-n перехода позволяет существенно увеличить рабочую частоту прибора. Этот параметр нашел широкое применение в производстве интегральных микросхем, где диодами Шоттки шунтируют переходы транзисторов, используемых в роле логических элементов. В силовой электронике важен другой параметр диодов Шоттки, а именно, низкое время восстановления дает возможность использовать силовые выпрямители на частоты от сотни кГц и выше. Например, радиокомпонент MBR4015 (на 15 В и 40 А), используется для выпрямления ВЧ напряжения, а его время восстановления всего 10 кВ/мкс.
Благодаря указанным выше положительным свойствам, выпрямители построенные на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на стандартных диодах более низким уровнем помех, поэтому их применяют в аналоговых вторичных блоках питания.

Минусы


В случае краткосрочного превышении допустимого уровня обратного напряжения диод Шоттки выходит из строя, в отличие от типовых кремниевых диодов, которые просто перейдут в режим обратимого пробоя, при условии, что рассеиваемая мощность кристалла не выше допустимых значений, а после снижения напряжения диод полностью восстанавливает свои характеристики.
Диодам Шоттки свойственны более высокие значения обратных токов, увеличивающиеся с ростом температуры кристалла и в случае неудовлетворительных условий работы теплоотвода при работе с высокими токами приводят к тепловому пробою радиокомпонента.

Диоды Шоттки, как я уже отметил выше, активно используются в компьютерных блоках питания и импульсных стабилизаторах напряжения. Они используются в низковольтных и сильноточных частях схемы компьютерных ИБП на + 3,3 вольта и + 5,0 вольт. Чаще всего применяются сдвоенные диоды с общим катодом. Именно использование сдвоенных диодов считаться признаком высококачественного .

Сгоревший диод Шоттки одна из наиболее типовых неисправностей при . У диода может быть два нерабочих состояния: электрический пробой и утечка на корпус. При любом из этих состояний ИБП блокируется благодаря встроенной схеме защиты.

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. Во случае утечки вентилятор компьютерного БП может «подёргиваться» и на выходе могут появляются пульсации выходного напряжения, периодически пропадающие. То есть модуль защиты периодически срабатывает, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки 100% сгорели, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или сильно пованивает горелым от них.

Следует сказать пару слов о том, что при ремонте ИБП после замены диодов, особенно с подозрением на утечку на корпус, следует прозвонить все силовые транзисторы работающие в ключевом режиме. А также в случае замены ключевых транзисторов проверка диодов является обязательной и строго необходимой.

Методика проверки диода Шоттки такая же, как и стандартного типового диода. Но и тут есть небольшие отличия. Очень трудно проверить диод этого типа уже впаянный в схему. Поэтому, сборку или отдельный элемент необходимо сначала демонтировать из схемы для проверки. Достаточно просто можно определить полностью пробитый элемент. На всех пределах измерения сопротивления, мультиметр отобразит в обе стороны бесконечно низкое сопротивление или короткое замыкание.

Сложнее проверить с подозрением на утечку. Если проводить проверку типичным мультиметром, например DT-830 в режиме «диода» то мы увидим исправный компонент. Однако если сделать измерение в режиме омметра, то обратное сопротивление на пределе «20 кОм» определяется как бесконечно огромное (1). Если же элемент показывает какое-то сопротивление, например 5 кОм, то этот диод лучше считать подозрительный и заменить на точно работоспособный. Иногда лучше сразу заменить диодов Шоттки по шинам +3,3V и +5,0V в компьютерном ИБП.

Их иногда используют в приемники альфа и бета излучения (дозиметрах), фиксаторах нейтронного излучения, а кроме того на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей которые питают электроэнергией космические аппараты бороздящие просторы нашей необъятной вселенной.

Барьерный диод Шоттки »Электроника

Диод Шоттки или барьерный диод Шоттки используется во многих приложениях, где необходимы низкие прямые падения напряжения.


Учебное пособие по диодам с барьером Шоттки Включает:
диод с барьером Шоттки Технология диодов Шоттки Характеристики диода Шоттки Выпрямитель мощности на диоде Шоттки

Другие диоды: Типы диодов


Диод Шоттки или диод с барьером Шоттки используется в различных схемах.

Хотя это был один из первых когда-либо созданных типов диодов, на диод Шоттки широко распространяются судебные иски, поскольку он способен обеспечить очень низкое прямое падение напряжения.

В результате диод с барьером Шоттки используется во множестве приложений, от ВЧ-проектирования до выпрямления мощности и многих других.

Хотя наиболее широко используемым именем для этого типа диодов является диод Шоттки, ему также дали ряд других названий, которые могут использоваться время от времени. Эти названия включают диод с поверхностным барьером, диод с барьером Шоттки, диод с горячим носителем или даже диод с горячим электроном.

Условное обозначение диода Шоттки

Обозначение схемы диода Шоттки основано на основном обозначении схемы диода. Символ Шоттки отличается от других типов диодов добавлением двух дополнительных ножек на полосе символа.

Обозначение схемы диода с барьером Шоттки

Преимущества диода Шоттки

Диоды Шоттки

используются во многих местах, где другие типы диодов не работают. Они предлагают ряд преимуществ, которые можно использовать:

  • Низкое напряжение включения: Напряжение включения диода находится в пределах 0.2 и 0,3 вольт для кремниевого диода Шоттки, тогда как стандартный кремниевый диод имеет напряжение включения от 0,6 до 0,7 вольт. Это снижает резистивные потери при использовании в качестве выпрямителя мощности и позволяет обнаруживать более низкие сигналы при использовании в качестве ВЧ-детектора.
  • Низкая емкость перехода: Ввиду очень маленькой активной площади диода Шоттки уровни емкости очень малы.
  • Быстрое время восстановления: Быстрое время восстановления из-за небольшого количества накопленного заряда означает, что его можно использовать для приложений высокоскоростного переключения.

Преимущества диода Шоттки означают, что его характеристики во многих областях могут намного превосходить характеристики других диодов.

VI характеристика диода Шоттки

Применение диода Шоттки

Диоды с барьером Шоттки широко используются в электронной промышленности, находя множество применений в качестве диодного выпрямителя. Его уникальные свойства позволяют использовать его в ряде приложений, где другие диоды не могут обеспечить такой же уровень производительности. В частности, он используется в таких областях, как:

Диод Шоттки или диод с барьером Шоттки используется во многих приложениях.Это необычно тем, что он используется как для обнаружения сигнала очень низкой мощности, так и для выпрямления высокой мощности. Свойства диода Шоттки позволяют использовать его на обоих концах спектра.

Диод Шоттки также используется в ряде других устройств, от фотодиодов до MESFET. Таким образом, эта форма диодов не только находит применение во многих схемах в своем дискретном формате, но также является важной частью многих других компонентов и технологий.

Другие электронные компоненты: Резисторы
Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Работа диода Шоттки и его применение

Диод Шоттки — это один из типов электронных компонентов, также известный как барьерный диод. Он широко используется в различных приложениях, таких как смеситель, в радиочастотных приложениях и в качестве выпрямителя в энергетических приложениях. Это низковольтный диод. Падение мощности ниже по сравнению с диодами с PN переходом. Диод Шоттки назван в честь ученого Шоттки. Его также иногда называют диодом с горячими носителями, диодом с горячими электронами и даже диодом с поверхностным барьером.В этой статье рассказывается, что такое диод Шоттки, конструкция, применение, характеристики и преимущества.

Что такое диод Шоттки?

Диод Шоттки также известен как диод с горячей несущей; это полупроводниковый диод с очень быстрым переключением, но с низким прямым падением напряжения. Когда через диод протекает ток, на выводах диода возникает небольшое падение напряжения. В нормальном диоде падение напряжения составляет от 0,6 до 1,7 вольт, в то время как в диоде Шоттки падение напряжения обычно находится в диапазоне от 0.15 и 0,45 вольт. Это меньшее падение напряжения обеспечивает более высокую скорость переключения и лучшую эффективность системы. В диоде Шоттки между полупроводником и металлом образуется переход полупроводник-металл, создавая таким образом барьер Шоттки. Полупроводник N-типа действует как катод, а металлическая сторона действует как анод диода.


Диод Шоттки

Конструкция диода Шоттки

Это односторонний переход. Переход металл-полупроводник формируется на одном конце, а другой контакт металл-полупроводник формируется на другом конце.Это идеальный омический двунаправленный контакт без потенциала между металлом и полупроводником, и он не выпрямляющий. Встроенный потенциал на диоде с разомкнутой цепью с барьером Шоттки характеризует диод Шоттки.

Физическая структура диода Шоттки

Диод Шоттки является функцией падения температуры. Снижается и увеличивается температурная концентрация легирования в полупроводнике N-типа. Для производственных целей металлы диода с барьером Шоттки, такие как молибден, платина, хром, вольфрам, алюминий, золото и т. Д., используются полупроводники N-типа.

Диод с барьером Шоттки

Диод с барьером Шоттки также известен как диод Шоттки или диод с горячей несущей. Диод с барьером Шоттки — это металл-полупроводник. Переход формируется путем приведения металла в контакт с умеренно легированным полупроводниковым материалом N-типа. Диод с барьером Шоттки представляет собой однонаправленное устройство, в котором ток течет только в одном направлении (обычный ток, протекающий от металла к полупроводнику)

Барьерный диод Шоттки

VI Характеристики барьерного диода Шоттки

Характеристики VI диода с барьером Шоттки ниже

  • Прямое падение напряжения на диоде с барьером Шоттки очень мало по сравнению с обычным диодом с PN переходом.
  • Прямое падение напряжения составляет от 0,3 до 0,5 вольт.
  • Прямое падение напряжения барьера Шоттки состоит из кремния.
  • Прямое падение напряжения увеличивается одновременно с увеличением концентрации легирования полупроводника N-типа.
  • ВАХ диода с барьером Шоттки очень крутые по сравнению с ВАХ нормального диода с PN переходом из-за высокой концентрации носителей тока.
Компоненты тока в диоде Шоттки

Ток в диоде с барьером Шоттки протекает через основные носители, которыми являются электроны в полупроводнике N-типа.Формула в диоде с барьером Шоттки:

I T = I Диффузия + I Туннелирование + I Термоэлектронная эмиссия

Где I Диффузия — градиентный диффузионный ток за счет концентрации плотность тока Дж n = D n * q * dn / dx для электронов, где D n — константа диффузии электронов, q — заряд электрона = 1.6 * 10 19 кулонов, dn / dx — градиент концентрации электронов.
ITunneling — это туннельный ток из-за квантово-механического туннелирования через барьер. Вероятность туннелирования увеличивается с уменьшением барьера или встроенного потенциала и уменьшением ширины обедненного слоя. Этот ток прямо пропорционален вероятности туннелирования.
I Термоэлектронная эмиссия — это ток, обусловленный током термоэлектронной эмиссии. Из-за теплового перемешивания некоторые носители имеют энергию, равную или превышающую энергию зоны проводимости для границы раздела металл-полупроводник и для тока.Это известно как ток термоэлектронной эмиссии.
Так как ток, протекающий непосредственно через диод с барьером Шоттки, проходит через основные носители заряда. Следовательно, он подходит для высокоскоростных коммутационных приложений, поскольку прямое напряжение очень низкое, а время обратного восстановления очень короткое.

Применение диода Шоттки

Диоды Шоттки используются для ограничения напряжения и предотвращения насыщения транзистора из-за высокой плотности тока в диоде Шоттки.Кроме того, диод Шоттки отличается низким прямым падением напряжения, он теряется в меньшем количестве тепла, что делает их эффективным выбором для чувствительных и очень эффективных приложений. Поскольку диод Шоттки используется в автономных фотоэлектрических системах для предотвращения разряда батарей для солнечных панелей в ночное время, а также в системах, подключенных к сети, несколько цепочек соединяются параллельно. Диоды Шоттки также используются в качестве выпрямителей в источниках питания.

Преимущества диода Шоттки

Диоды Шоттки используются во многих приложениях по сравнению с другими типами диодов, которые не работают должным образом.

  • Низкое напряжение включения: Напряжение включения диода составляет от 0,2 до 0,3 вольт. Для кремниевого диода оно составляет от 0,6 до 0,7 вольт у стандартного кремниевого диода.
  • Быстрое время восстановления: Быстрое время восстановления означает небольшой накопленный заряд, который можно использовать для приложений высокоскоростного переключения.
  • Низкая емкость перехода: Он занимает очень небольшую площадь после результата, полученного при точечном контакте кремния.Так как уровни емкости очень маленькие.
Характеристики диода Шоттки

Диод Шоттки в основном включает следующие характеристики:

  • Повышенный КПД
  • Низкое прямое падение напряжения
  • Низкая емкость
  • Низкопрофильный корпус для поверхностного монтажа, сверхмалый
  • Встроенное защитное кольцо для защиты от напряжения

Итак, это все о работе диода Шоттки, его принципе работы и применениях. Мы надеемся, что вы лучше понимаете эту концепцию.Кроме того, при любых сомнениях относительно этой статьи или проектов в области электрики и электроники, пожалуйста, дайте свои ценные предложения в разделе комментариев ниже. Вот вам вопрос, какова основная функция диода Шоттки?

Фото:

Диод Шоттки — работа, характеристики, применение

Что такое диод Шоттки?

Диод Шоттки — это устройство, которое относится к типу диодов с переходом металл-полупроводник. Другие названия диодов Шоттки — это барьерный диод и низковольтные диоды.По сравнению с диодом с PN переходом падение мощности в диоде Шоттки меньше. Ученый по имени Уолтер Шоттки первым открыл диод Шоттки.

Обычно в устройстве с PN-переходом, когда положительный тип (p-тип) и отрицательный тип (n-тип) соединяются вместе, они образуют PN-переход. Однако в диоде Шоттки вместо полупроводников P-типа используются такие материалы, как алюминий или платина.

Символ диода Шоттки

На следующем изображении показан символ диода Шоттки.

Работа диода Шоттки

Наиболее важным физическим параметром этого диода Шоттки является их высокая скорость переключения и меньшее падение напряжения в прямом направлении. Это переход металл-полупроводник, который не способен накапливать заряды на стыке. Причина в отсутствии истощенного слоя.

Обычно падение напряжения происходит на выводах диода, когда через диод протекает ток. Падение напряжения на диоде Шоттки обычно находится в пределах 0.15 и 0,45 вольт по сравнению с обычным диодом. Нормальный диод с PN переходом имеет падение напряжения от 0,6 до 1,7 вольт. Для повышения эффективности и производительности падение напряжения должно быть низким. При изготовлении диода полупроводник N-типа действует как катод, а металлическая сторона действует как анод диода.

Когда на диод подается напряжение, ток течет в прямом направлении. Когда этот ток протекает через диод, на выводах диода будут минимальные потери напряжения.Эта потеря напряжения называется падением напряжения.

Конструкция диода Шоттки

Изготовлен из металла и полупроводника, образующих односторонний переход. Используется немного металлов, таких как золото, серебро, молибден, вольфрам или платина. Обычно используется полупроводник N-типа, в состав которого входит галлий. Кремний используется для работы на низких частотах.

Диод Шоттки напрямую связан с понижением температуры. В полупроводниках N-типа происходит уменьшение и увеличение температурной концентрации легирования.Между переходами полупроводник-металл образуется обедненный слой, известный как барьер Шоттки.

Этот барьер называется барьером потенциальной энергии. Барьеры Шоттки двух типов: выпрямляющие и непрямые. Когда металл и легированный полупроводник встречаются друг с другом, образуется барьер Шоттки. Последовательно, когда металл сталкивается с сильно легированным полупроводником, он образует непрямой барьер. Ширина обедненного слоя увеличивается с увеличением легирования полупроводника.В то же время при уменьшении ширины носители заряда проходят через туннель и достигают обедненного слоя. Когда уровень легирования увеличивается, переход не действует как выпрямитель, а становится омическим контактом.

В несмещенном состоянии электроны, накопленные на стороне полупроводника, будут иметь более низкий уровень энергии, чем электроны, присутствующие на металлической области. По этой причине электроны не могут проходить через барьер Шоттки. В условиях прямого смещения электрон, присутствующий на N-стороне, получает больше энергии, чтобы пересечь барьер перехода и войти в металл.Из-за этого электроны еще называют горячими носителями. Следовательно, диод называется диодом с горячей несущей.

Диод Шоттки можно представить в виде эквивалентной электрической схемы с типичными значениями компонентов, показанными ниже.

Указанная выше схема свернута, как показано ниже. Эта приближенная схема используется во многих приложениях.

Особенности диода Шоттки

  • Из-за отсутствия тока от металла к полупроводнику N-типа он действует как униполярное устройство.В то время как диод с PN-переходом является биполярным устройством.
  • В металле нет дырок, не накапливает заряд. По этой причине диод Шоттки имеет преимущество быстрого переключения с относительно низким уровнем шума.
  • Он имеет низкий барьерный потенциал по сравнению с PN-диодом.

Работа диода Шоттки

Несмещенный диод Шоттки

Свободные электроны, присутствующие внутри полупроводника n — типа, будут перемещаться из полупроводника n — типа в металл во время комбинации металла и полупроводника n — типа.Это приводит к достижению состояния равновесия. Когда свободные электроны перемещаются через соединение, они предоставляют дополнительный электрон атомам, присутствующим в атоме.

Благодаря этому атомы, присутствующие в металлическом переходе, получают дополнительный электрон. Атомы на переходе с отрицательной стороны теряют электроны и становятся положительными ионами. На стыке металла атомы получают дополнительные электроны и пытаются стать отрицательными ионами.

Следовательно, это приведет к образованию положительных ионов на отрицательной стороне и отрицательных ионов на положительной стороне металлического перехода.Когда эти положительные и отрицательные ионы объединяются, образуется область истощения. В несмещенном диоде Шоттки только меньшее количество электронов будет течь от полупроводника к металлу. Другой поток электронов останавливается из-за встроенного напряжения.

Диод Шоттки с прямым смещением

В полупроводнике n-типа, когда положительная клемма батареи соединена с металлом, а отрицательная клемма соединена с проводом n-типа, это называется диодом Шоттки с прямым смещением. Когда на диод подается напряжение прямого смещения, в металле и проводнике образуется больше электронов.

При приложении напряжения более 0,2 В свободные электроны не могут проходить через переходной барьер. Благодаря этому через диод будет течь ток. При увеличении значения напряжения область истощения становится тонкой и исчезает.

Диод Шоттки с обратным смещением

В полупроводнике n-типа, если отрицательная клемма батареи соединена с металлом, а положительная клемма соединена с проводом n-типа, это называется диодом Шоттки с обратным смещением.В то же время, если приложено обратное напряжение смещения, ширина обедненной области увеличивается.

Следовательно, текущий поток прекращается. В металлической пластине будет больше возбужденных электронов. Из-за этого будет протекать небольшой ток утечки. Когда обратное смещенное напряжение увеличивается дальше, ток также увеличивается из-за слабого барьера. Когда имеет место ненормальное увеличение напряжения смещения, электрический ток также внезапно увеличивается. Устройство будет повреждено, когда выйдет из строя область истощения.

Характеристики V-I барьерного диода Шоттки

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки показана на рисунке ниже. Вдоль графика вертикальная линия обозначает ток, а горизонтальная линия обозначает напряжение, приложенное к диоду Шоттки. Вольт-амперные характеристики диода Шоттки практически аналогичны характеристикам диода с P-N переходом.

Тем не менее, прямое падение напряжения диода Шоттки очень мало по сравнению с диодом с P-N переходом.Прямое падение напряжения составляет от 0,3 до 0,5 вольт. Барьер прямого падения напряжения выполнен из кремния. Прямое падение напряжения пропорционально концентрации легирования полупроводника N-типа. Из-за высокой концентрации носителей тока ВАХ диода Шоттки более крутая.

Применения диода Шоттки

Диоды Шоттки

используются в электронной промышленности для многих применений в диодных выпрямителях из-за своих свойств. Они используются для ограничения напряжения, чтобы предотвратить насыщение транзистора.Он используется как TTL Шоттки в цифровых устройствах, поскольку эти устройства требуют быстрого переключения. поскольку производительность цифровых компьютеров определяется скоростью переключения диодов, диод Шоттки является важным компонентом цифровых компьютеров.

диодов Шоттки: старые хороши, новые лучше

Компании начинают осознавать потенциал новых рынков и возможности получения доходов от переработки, поскольку они исследуют более комплексную модель «кремний для обслуживания», которая охватывает центр обработки данных и подвижный край.В частности, с сокращением ASP (средние цены продажи) и все более непомерно высокими затратами на проектирование на все более низких узлах многие компании ищут новые источники дохода в широком диапазоне вертикалей, включая Интернет вещей (IoT).

Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% ежегодно до 2020 года, безопасность в настоящее время воспринимается как серьезная возможность, так и серьезная проблема для полупроводниковой промышленности.

Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом (OSH) и построения микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты, поскольку компании стремятся сократить расходы и сократить время вывода на рынок разнородных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала кремния и услуг, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно исследовать будущее, в котором компании, производящие полупроводники, наряду с различными отраслями, организациями и правительственными учреждениями, будут играть открытую и совместную роль в помогая устойчиво монетизировать как микросхемы, так и услуги.

В 2016 и 2017 годах продолжались быстрые приобретения и консолидация отрасли:

  • Компания Analog Devices приобрела Linear Technology
  • Infineon приобрела International Rectifier
  • Компания ROHM приобрела Powervation
  • .
  • Renesas приобрела Intersil

Крупные производители полупроводников позиционируют себя, чтобы лучше конкурировать в нескольких вертикалях, включая облачные вычисления, искусственный интеллект (AI) и беспилотные автомобили.Согласно KPMG, многие компании все чаще рассматривают слияния и поглощения (M&A) как единственный способ стимулировать рост реальной выручки, делая новый акцент на вопросе «производить или покупать», при этом многие выбирают ответ «покупать».

Одновременно с этим продолжали расти затраты на разработку микросхем, что существенно влияло на количество разработок в усовершенствованных узлах. В частности, общее количество запусков SoC с расширенной производительностью многоядерных процессоров в первый раз практически не изменилось и выросло лишь незначительно за последние пять лет.Хотя цены на дизайн неуклонно растут с 40 нм, аналитиков больше всего беспокоит увеличение стоимости дизайна на 7 и 5 нм.

Рич Вавжиняк, старший аналитик Semico Research, подтверждает, что начало проектирования, превышающее 10 нм, будет сдерживаться ростом затрат на разработку. Хотя общее количество проектов, которые переносятся на новые узлы, может не сильно отличаться от предыдущих обновлений геометрии процесса, Вавжиняк говорит, что сроки для таких переходов большинством компаний будут более продолжительными.

Совершенно очевидно, что необходимы новые модели как для НИОКР, так и для доходов, поскольку усиление консолидации отрасли и ослабление АСП в долгосрочной перспективе невозможно. Именно поэтому отрасль стремится к Интернету вещей для создания дополнительных потоков доходов, и аналитики McKinsey Global Institute (MGI) оценивают, что IoT может иметь ежегодный экономический эффект от 3,9 до 11,1 триллиона долларов к 2025 году по нескольким вертикалям. Однако с учетом того, что количество установок Интернета вещей, как ожидается, будет увеличиваться примерно на 15–20% в год до 2020 года, безопасность считается как серьезной возможностью, так и проблемой для полупроводниковых компаний.

Таким образом, MGI рекомендует создавать решения безопасности, которые позволяют компаниям, производящим полупроводники, расширяться в смежные области бизнеса и разрабатывать новые бизнес-модели. Например, компании могут помочь создать предложения по обеспечению сквозной безопасности, которые необходимы для успеха Интернета вещей. В идеале, по мнению MGI, отрасль должна играть ведущую роль при разработке таких предложений, чтобы гарантировать, что они получат свою справедливую долю в цепочке создания стоимости.

С нашей точки зрения, решения для сквозной безопасности Интернета вещей, развернутые как платформа как услуга (PaaS), имеют решающее значение для помощи полупроводниковым компаниям в получении возобновляемых доходов от реализации конкретных услуг.Для клиентов PaaS предлагает простой способ безопасной разработки, запуска и управления приложениями и устройствами без сложностей, связанных с построением и обслуживанием сложной инфраструктуры.

Такие решения безопасности, которые также могут использовать аппаратный корень доверия, должны поддерживать идентификацию устройства и взаимную аутентификацию (верификацию), стандартные проверки аттестации, безопасные обновления устройств по беспроводной сети (OTA), аварийное восстановление и ключ управление, а также вывод из эксплуатации и переназначение ключей для лучшего управления устройствами и смягчения различных атак, включая распределенный отказ в обслуживании (DDoS).

Умные города

Недоступные микросхемы — такие как микросхемы, встроенные в инфраструктуру интеллектуального города Интернета вещей — могут предложить полупроводниковым компаниям возможность реализовать долгосрочную модель PaaS «кремний для обслуживания». Действительно, будущая инфраструктура умного города почти наверняка будет спроектирована с использованием микросхем в труднодоступных местах, включая подземные водопроводные трубы, воздуховоды для кондиционирования воздуха, а также под улицами и на парковках.

Интеллектуальное уличное освещение, гибкие вывески и Bluetooth-маяки нового поколения также требуют перспективных решений, чтобы избежать постоянного физического обслуживания и обновлений.Следовательно, микросхема, обеспечивающая питание инфраструктуры умного города, должна поддерживать безопасную конфигурацию функций в полевых условиях, а также различные услуги на основе PaaS, такие как расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное проактивное взаимодействие с клиентами.

Умные дома

Прогнозируется, что к 2020 году глобальный рынок умного дома достигнет стоимости не менее 40 миллиардов долларов. По данным Markets and Markets, рост пространства умного дома можно объяснить множеством факторов, в том числе значительными достижениями в секторе Интернета вещей; возрастающие требования к удобству, безопасности и защищенности потребителей; более выраженная потребность в энергосберегающих решениях с низким уровнем выбросов углерода.Однако, как мы уже обсуждали ранее, крайне важно обеспечить реализацию безопасности Интернета вещей на этапе проектирования продукта, чтобы предотвратить использование злоумышленниками устройств умного дома и прерывание обслуживания.

В дополнение к потенциально прибыльным возможностям кибербезопасности для компаний, производящих полупроводники, устройства «умный дом» обещают создать повторяющиеся потоки доходов для поддержки устойчивой модели «кремний для обслуживания». В качестве примера Кристопер Дин из MarketingInsider выделяет популярные устройства Echo от Amazon.Поскольку уже продано не менее 15 миллионов Echo, пользователи Echo, скорее всего, станут активными потребителями Amazon, используя устройство для отслеживания списков желаний и поиска товаров, которые им впоследствии предлагается купить. Между тем, Nest использует данные термостата в качестве платформы для предложения услуг по управлению энергопотреблением коммунальным компаниям в Соединенных Штатах, причем компании платят за значимую и действенную информацию о клиентах по подписке.

Автомобильная промышленность

По данным IC Insights, в период с 2016 по 2021 год продажи микросхем для автомобильных систем и Интернета вещей будут расти на 70% быстрее, чем общие доходы от IC.В частности, продажи интегральных схем для автомобилей и других транспортных средств, по прогнозам, вырастут с 22,9 млрд долларов в 2016 году до 42,9 млрд долларов в 2021 году, а доходы от функциональности Интернета вещей увеличатся с 18,4 млрд долларов в 2016 году до 34,2 млрд долларов в 2021 году.

Прогнозируемый рост продаж автомобильных микросхем неудивителен, поскольку современные автомобили по сути представляют собой сеть сетей, оснащенных рядом встроенных методов и возможностей связи. Однако это означает, что автомобили теперь более уязвимы для кибератак, чем когда-либо прежде.

Потенциальные уязвимости системы безопасности включают незащищенную связь между транспортными средствами, несанкционированный сбор информации о водителе или пассажирах, захват контроля над критически важными системами, такими как тормоза или акселераторы, перехват данных транспортного средства, вмешательство в работу сторонних ключей и изменение избыточного кода. обновления прошивки по воздуху (OTA). Что касается последнего, производители автомобилей сейчас сосредоточены на предоставлении безопасных обновлений OTA для различных систем, при этом глобальный рынок автомобильных обновлений OTA, по прогнозам, будет расти со среднегодовым темпом роста 18.2% с 2017 по 2022 год и достигнет 3,89 миллиарда долларов к 2022 году.

Производители автомобилей также работают над тем, чтобы в цепочке поставок транспортных средств не было украденных и контрафактных компонентов. Тем не менее, широкий спектр устройств с серого рынка все еще можно найти для питания дорогостоящих модулей, таких как бортовые информационно-развлекательные системы и фары, а также в критически важных системах безопасности, включая модули подушек безопасности, тормозные модули и органы управления трансмиссией. Таким образом, защита периферийных устройств и компонентов транспортных средств от несанкционированного доступа путем внедрения ряда многоуровневых аппаратных и программных решений безопасности стала приоритетной задачей для ряда производителей автомобилей.

Помимо внедрения многоуровневых решений безопасности, полупроводниковая промышленность явно выиграет от внедрения подхода IoT «как услуга» в автомобильном секторе. Например, компании могут развернуть автомобильные системы на основе датчиков, которые заранее обнаруживают потенциальные проблемы и неисправности. Это решение, которое в наиболее оптимальной конфигурации сочетает в себе микросхемы и услуги, может быть продано как аппаратный и программный продукт или развернуто как услуга с ежемесячной или ежегодной абонентской платой.

Медицина и здравоохранение

Имплантированные медицинские устройства с длительным сроком службы, несомненно, потребуют от полупроводниковой промышленности высокой степени готовности к будущему, чтобы избежать частых физических обновлений и технического обслуживания. Шрихари Яманур, специалист по дизайну в области исследований и разработок в Stellartech Research Corp., отмечает, что медицинские устройства в конечном итоге будут адаптированы для удовлетворения потребностей отдельных пациентов, что приведет к расширению применения точной медицины.

Кроме того, ожидается, что отрасль медицинского страхования будет использовать машинное обучение для оптимизации и снижения стоимости медицинского обслуживания, в то время как цифровые медицинские устройства также будут использоваться страховой отраслью для выявления пациентов из группы риска и оказания помощи.Поэтому медицинские устройства, особенно имплантируемые модели, должны быть спроектированы таким образом, чтобы поддерживать «модель перехода от кремния к услугам» через конфигурацию функций на месте и безопасные обновления OTA, а также услуги на основе PaaS, включая сбор и анализ соответствующих данных; проактивное обслуживание, продвинутые алгоритмы; и интуитивно понятный интерфейс как для пациентов, так и для врачей.

Аппаратное обеспечение с открытым исходным кодом и дезагрегированные чиплеты

Помимо услуг, оборудование с открытым исходным кодом, предлагаемое такими организациями и компаниями, как RISC-V и SiFive, начало положительно влиять на индустрию полупроводников, поощряя инновации, сокращая затраты на разработку и ускоряя вывод продукта на рынок.

Успех программного обеспечения с открытым исходным кодом — в отличие от закрытого, огороженного сада — продолжает создавать важный прецедент для полупроводниковой промышленности. Столкнувшись с непомерно высокими затратами на разработку, ряд компаний предпочитают избегать ненужных сборщиков дорожных сборов, уделяя больше внимания архитектуре с открытым исходным кодом, поскольку они работают над созданием новых потоков доходов, ориентированных на услуги.

Помимо аппаратного обеспечения с открытым исходным кодом, концепция построения кремния из предварительно проверенных чиплетов начинает набирать обороты, поскольку полупроводниковая промышленность движется к снижению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.По словам Энн Стефора Мутчлер из Semiconductor Engineering, концепция чиплета некоторое время находилась в стадии разработки, хотя исторически она воспринималась как потенциальное направление будущего, а не реальное решение в тени убывающего закона Мура. Это восприятие начинает меняться по мере увеличения сложности конструкции, особенно в усовершенствованных узлах (10/7 нм), а также по мере объединения новых рынков, требующих частично настраиваемых решений.

Концепция предварительно проверенных чиплетов вызвала интерес U.Агентство перспективных исследовательских проектов S. Defense (DARPA), которое недавно развернуло свою программу Общей гетерогенной интеграции и стратегий повторного использования IP (CHIPS). В сотрудничестве с полупроводниковой промышленностью для успешной реализации CHIPS будет виден ряд IP-блоков, подсистем и микросхем, объединенных на переходнике в корпусе, подобном 2.5D.

Инициатива CHIPS заняла центральное место в августе 2017 года, когда участники из военного, коммерческого и академического секторов собрались в штаб-квартире DARPA на официальном стартовом совещании по программе Агентства по стратегии общей гетерогенной интеграции и повторного использования интеллектуальной собственности (ИС).

Как сообщил на конференции д-р Дэниел Грин из DARPA, программа направлена ​​на разработку новой технологической структуры, в которой различные функции и блоки интеллектуальной собственности, в том числе хранение данных, вычисления, обработка сигналов, а также управление формой и потоком данных — можно разделить на небольшие чиплеты. Затем их можно смешивать, сопоставлять и комбинировать на промежуточном элементе, что-то вроде соединения частей головоломки. Фактически, говорит Грин, вся обычная печатная плата с множеством различных, но полноразмерных микросхем в конечном итоге может быть уменьшена до гораздо меньшего промежуточного устройства, содержащего кучу, но гораздо меньших микросхем.

Согласно DARPA, конкретные технологии, которые могут появиться в результате инициативы CHIPS, включают компактную замену целых печатных плат, сверхширокополосные радиочастотные (РЧ) системы и системы быстрого обучения для извлечения интересной и действенной информации из гораздо больших объемов обычных данных. .

Возможно, неудивительно, что полупроводниковая промышленность уже рассматривает дезагрегированный подход в виде микросхем SerDes и специализированных маломощных интерфейсов «кристалл-кристалл» для конкретных приложений.Безусловно, жизнеспособное разделение кремниевых компонентов может быть достигнуто путем перемещения высокоскоростных интерфейсов, таких как SerDes, на отдельные кристаллы в виде микросхем SerDes, смещения IP аналогового датчика на отдельные аналоговые микросхемы и реализации перехода кристалла с очень низким энергопотреблением и малой задержкой. die интерфейсы через MCM или через переходник с использованием технологии 2.5D.

Помимо использования заведомо исправной матрицы для SerDes в более зрелых узлах (N-1) или наоборот, ожидается, что дезагрегация упростит создание нескольких SKU при оптимизации затрат и снижении риска.Точнее, дезагрегирование приведет к разбивке SoC на более высокопроизводительные и меньшие матрицы и позволит компаниям создавать определенные конструкции с несколькими вариантами. Действительно, интерфейсы «от кристалла к кристаллу» могут более легко адаптироваться к различным приложениям, связанным с памятью, логикой и аналоговыми технологиями. Кроме того, для интерфейсов «от кристалла к кристаллу» не требуется согласованной скорости линии / передачи и количества полос, в то время как FEC может потребоваться, а может и не потребоваться в зависимости от требований к задержке.

Следует отметить, что несколько компаний активно занимаются агрегацией SoC / ASIC для коммутаторов и других систем.Точно так же полупроводниковая промышленность разрабатывает ASIC с интерфейсами «кристалл-кристалл» на ведущих узлах FinFET, в то время как по крайней мере один серверный чип следующего поколения разрабатывается с дезагрегированным вводом-выводом на отдельном кристалле.

Заключение

За последние пять лет полупроводниковая промышленность столкнулась с множеством сложных проблем. К ним относятся увеличение затрат на разработку, размытие ASP, насыщение рынка и повышенная, но неустойчивая деятельность по слияниям и поглощениям. В течение 2018 года полупроводниковая промышленность продолжает стремиться к возвращению к стабильности и органическому росту в рамках параметров новой бизнес-парадигмы, одновременно жизнеспособной и основанной на сотрудничестве.В этом контексте компании, производящие полупроводники, осознают потенциал новых рынков и возможности получения доходов в нисходящем направлении, поскольку они исследуют более комплексную модель «от кремния к услугам», которая охватывает центр обработки данных и мобильную периферию.

Сюда входят решения для сквозной безопасности IoT и услуги на основе PaaS, такие как конфигурация функций на месте, расширенная аналитика, предупреждения о профилактическом обслуживании, алгоритмы самообучения и интеллектуальное проактивное взаимодействие с клиентами. Помимо услуг, концепция оборудования с открытым исходным кодом и создание микросхем из разукрупненных, предварительно проверенных микросхем начинает набирать обороты, поскольку компании переходят к сокращению затрат и сокращению времени вывода на рынок гетерогенных конструкций.

Конкретные стратегии раскрытия всего потенциала полупроводников, несомненно, будут различаться, поэтому для нас важно изучить будущее, в котором отрасль, наряду с различными исследовательскими организациями и государственными учреждениями, будет играть открытую и совместную роль, помогая устойчивой монетизации и кремний, и сервисы.

Для получения дополнительной информации по этой теме посетите сайт Rambus.

Шрикант Лохокаре, доктор философии, является вице-президентом и исполнительным директором Global Semiconductor Alliance в Северной Америке.

Диод Шоттки — определение, символ, работа и применение

Шоттки определение диода

Шоттки Диод — это диод на переходе металл-полупроводник, который имеет меньше прямое падение напряжения, чем на диоде P-N перехода, и может быть используется в приложениях с высокоскоростной коммутацией.

Что такое диод шоттки?

В нормальный п-п переходной диод p-типа полупроводник и n-тип полупроводники используются для формирования p-n соединение.Когда полупроводник p-типа соединяется с Полупроводник n-типа, между P-типом образуется переход. и полупроводник N-типа. Этот переход известен как P-N. соединение.

В диод Шоттки, металлы, такие как алюминий или платина, заменяют полупроводник P-типа. Диод Шоттки назван в честь Немецкий физик Вальтер Х. Шоттки.

Шоттки диод также известен как диод с барьером Шоттки, поверхностный барьер диод, основной носитель, диод горячих электронов или горячий несущий диод. Диоды Шоттки широко используются в радиотехнике. частотные (RF) приложения.

Когда алюминий или металлическая платина соединяется с полупроводником N-типа, Между металлом и полупроводником N-типа образуется переход.Этот переход известен как переход металл-полупроводник или М-Ю развязка. Переход металл-полупроводник, образованный между металл и полупроводник n-типа создают барьер или истощение слой, известный как барьер Шоттки.

Шоттки диод может включаться и выключаться намного быстрее, чем диод с p-n переходом. Кроме того, диод Шоттки производит меньше нежелательных шумов, чем p-n. переходной диод.Эти две характеристики шоттки диод делает его очень полезным в высокоскоростной коммутации мощности схемы.

Когда достаточный на диод Шоттки подается напряжение, ток начинает течь в прямом направлении. Из-за этого при протекании тока на клеммах возникает небольшая потеря напряжения диода Шоттки.Эта потеря напряжения называется напряжением. уронить.

А кремниевый диод имеет падение напряжения от 0,6 до 0,7 вольт, а Диод Шоттки имеет падение напряжения от 0,2 до 0,3 вольт. Напряжение потеря или падение напряжения — это количество напряжения, потраченного впустую на включение на диоде.

В кремниевый диод, от 0,6 до 0,7 В тратится на включение диод, тогда как в диоде Шоттки 0.От 2 до 0,3 вольт тратится впустую включить диод. Следовательно, диод Шоттки потребляет меньшее напряжение для включения.

напряжение, необходимое для включения диода Шоттки, такое же, как и германиевого диода. Но германиевые диоды используются редко. потому что скорость переключения германиевых диодов очень мала, поскольку по сравнению с диодами Шоттки.

Символ диода Шоттки

Символ диода Шоттки показан на рисунке ниже. В диод Шоттки, металл действует как анод и n-тип полупроводник действует как катод.

Металл-полупроводник (M-S) развязка

металл-полупроводник (M-S) соединение — это тип соединения, образованного между металлическими и полупроводник n-типа, когда металл соединен с Полупроводник n-типа.Переход металл-полупроводник также иногда его называют соединением M-S.


переход металл-полупроводник может быть либо непрямым, либо исправление. Не выпрямляющий переход металл-полупроводник называется омическим контактом. Выпрямительный металл-полупроводник переход называется неомическим контактом.

Что такое барьер шоттки?

барьер Шоттки истощение слой, образованный на стыке металла и n-типа полупроводник.Проще говоря, барьер Шоттки — это потенциал энергетический барьер, сформированный на металл-полупроводник соединение. Электроны имеют чтобы преодолеть этот потенциальный энергетический барьер, чтобы течь через диод.

исправление переход металл-полупроводник образует выпрямляющий шоттки барьер. Этот выпрямляющий барьер Шоттки используется для создания устройство, известное как диод Шоттки.Неправильный переход металл-полупроводник образует не выпрямляющий шоттки барьер.

Один одной из важнейших характеристик барьера Шоттки является высота барьера Шоттки. Величина этой высоты барьера зависит от сочетания полупроводника и металла.

барьер Шоттки высота омического контакта (не выпрямляющий барьер) очень низкий, тогда как высота барьера Шоттки составляет неомический контакт (выпрямительный барьер) высокий.

В не исправляющий барьер Шоттки, высота барьера недостаточно высока для образовывать истощение область, край. Таким образом, область истощения незначительна или отсутствует в омический контактный диод.

Вкл. с другой стороны, при устранении барьера Шоттки барьер высота достаточно высока, чтобы образовать область истощения. Итак обедненная область присутствует в неомическом контактном диоде.

не выпрямляющий переход металл-полупроводник (омический контакт) предлагает очень низкое сопротивление электрическому току, тогда как выпрямление перехода металл-полупроводник обеспечивает высокое сопротивление электрическому току по сравнению с омическим контактом.

исправление барьер Шоттки образуется, когда металл находится в контакте с слаболегированный полупроводник, а не выпрямляющий барьер образуется, когда металл находится в контакте с сильно легированный полупроводник.

омический контакт имеет линейную вольт-амперную кривую (I-V), тогда как неомический контакт имеет нелинейный ток-напряжение (I-V) изгиб.

Энергия полосная диаграмма диода Шоттки

Зонная диаграмма полупроводника N-типа и металла показано на рисунке ниже.

уровень вакуума определяется как уровень энергии электронов, которые находятся вне материала.В работа выхода определяется как энергия требуется для перемещения электрона с уровня Ферми (E F ) на уровень вакуума (E 0 ).

работа выхода различна для металла и полупроводника. В работа выхода металла больше, чем работа выхода полупроводник. Следовательно, электроны n-типа полупроводник имеют более высокую потенциальную энергию, чем электроны в металл.

энергетические уровни металла и полупроводника различны. Уровень Ферми на стороне полупроводника N-типа лежит выше металлическая сторона.

ср знать, что электроны на более высоком уровне энергии имеют больше потенциальная энергия, чем электроны на более низком энергетическом уровне. Таким образом, электроны в полупроводнике N-типа имеют больше потенциальная энергия, чем электроны в металле.

зонная диаграмма металла и полупроводника n-типа после контакта показано на рисунке ниже.

Когда металл соединен с полупроводником n-типа, устройство создан известный как диод Шоттки. Встроенное напряжение (В би ) для диода Шоттки дается разница в работе функции металла и полупроводника n-типа.

Как диод шоттки работает?

Беспристрастный диод шоттки

Когда то металл соединен с полупроводником n-типа, проводимость зонные электроны (свободные электроны) в полупроводнике n-типа перейдет от полупроводника n-типа к металлу, чтобы установить состояние равновесия.

ср знаю, что когда нейтральный атом теряет электрон, он становится положительным ионом аналогично когда нейтральный атом получает дополнительный электрон, он становится отрицательный ион.

проводимость зонные электроны или свободные электроны, которые пересекают переход, обеспечат лишние электроны к атомам в металле. В результате атомы в металлическом переходе получают дополнительные электроны, и атомы на n-стороннем переходе теряют электроны.

атомы, теряющие электроны на n-стороннем переходе, станут положительные ионы, тогда как атомы, которые получают дополнительные электроны при металлический переход станет отрицательными ионами.Таким образом, положительный ионы создаются n-сторонним переходом, а отрицательные ионы создается на стыке металла. Эти положительные и отрицательные ионы — это не что иное, как область истощения.

С металл имеет море свободных электронов, ширина которого эти электроны движутся в металл, пренебрежимо тонкий, поскольку по сравнению с шириной внутри полупроводника n-типа.Итак в первую очередь присутствует встроенный потенциал или встроенное напряжение внутри полупроводника n-типа. Встроенное напряжение — это барьер, видимый электронами зоны проводимости n-типа полупроводник при попытке продвинуться в металл.

Кому преодолевая этот барьер, свободным электронам нужна энергия большей чем встроенное напряжение. В несмещенном диоде Шоттки только небольшое количество электронов будет вытекать из полупроводника n-типа к металлу.Встроенное напряжение предотвращает дальнейший поток электронов. из зоны проводимости полупроводника в металл.

перенос свободных электронов из полупроводника n-типа в металл приводит к изгибу энергетической зоны вблизи контакта.

Нападающий смещенный диод Шоттки

Если положительный полюс батареи соединен с металлом а отрицательная клемма аккумулятора подключена к полупроводник n-типа, диод Шоттки называется прямым пристрастный.

Когда к диоду Шоттки приложено напряжение прямого смещения, большое количество свободных электронов генерируется в n-типе полупроводник и металл. Однако свободные электроны в n-типе полупроводник и металл не могут пересекать переход, если приложенное напряжение больше 0,2 вольт.

Если приложенное напряжение больше 0.2 вольта, бесплатно электроны получают достаточно энергии и преодолевают встроенное напряжение области истощения. Как результат, электрический ток начинает течь через диод Шоттки.

Если приложенное напряжение постоянно увеличивается, истощение область становится очень тонкой и окончательно исчезает.

Реверс диод шоттки смещения

Если отрицательная клемма АКБ подключается к металлу а положительный полюс батареи подключен к полупроводник n-типа, диод Шоттки называется обратным пристрастный.

Когда к диоду Шоттки приложено напряжение обратного смещения, ширина истощения увеличивается. В результате электрический ток перестает течь. Однако протекает небольшой ток утечки из-за термически возбужденные электроны в металле.

Если напряжение обратного смещения постоянно увеличивается, электрический ток постепенно увеличивается из-за слабого барьера.

Если напряжение обратного смещения значительно увеличивается, внезапное повышение в электрическом токе имеет место. Этот внезапный рост электрического ток вызывает разрушение области истощения, что может безвозвратно повредить устройство.

V-I характеристики диода шоттки

V-I (вольт-амперная) характеристика диода Шоттки составляет показано на рисунке ниже.Вертикальная линия внизу на рисунке показан ток в диоде Шоттки и горизонтальная линия представляет напряжение, приложенное к диод шоттки.

Вольт-амперные характеристики диода Шоттки практически аналогичны характеристикам диода Шоттки. P-N переходной диод. Однако прямое падение напряжения диод Шоттки очень низкий по сравнению с P-N переходом диод.

прямое падение напряжения на диоде Шоттки от 0,2 до 0,3 вольт тогда как прямое падение напряжения кремниевого диода P-N перехода составляет от 0,6 до 0,7 вольт.

Если напряжение прямого смещения больше 0,2 или 0,3 вольт, электрический ток начинает течь через диод Шоттки.

В диод Шоттки, обратный ток насыщения возникает при очень низкое напряжение по сравнению с кремниевым диодом.

Разница между диодом Шоттки и диодом P-N перехода

основное различие между диодом Шоттки и диодом с p-n переходом выглядит следующим образом:

В диод Шоттки, свободные электроны несут большую часть электрического Текущий. Через отверстия проходит незначительный электрический ток. Так шоттки диод — устройство униполярное.В диоде P-N перехода оба свободны электроны и дырки переносят электрический ток. Итак, диод с P-N переходом — это биполярный аппарат.

обратное напряжение пробоя диода Шоттки очень мало, так как по сравнению с диодом с p-n переходом.

В диод Шоттки, обедненная область отсутствует или незначительна, тогда как в диоде с p-n переходом присутствует обедненная область.

напряжение включения диода Шоттки очень низкое по сравнению с к диоду p-n перехода.

В диод Шоттки, электроны являются основными носителями в обоих металл и полупроводник. В диоде с P-N переходом электроны большинство носителей в n-области и дырки составляют большинство носители в p-области.

Преимущества диода Шоттки

ср знаю, что емкость это способность хранить электрический заряд.В P-N переходный диод, обедненная область состоит из сохраненных обвинения. Значит, существует емкость. Эта емкость равна присутствует на стыке диода. Так он известен как емкость перехода.

В диод Шоттки, накопленные заряды или область истощения незначительный. Таким образом, диод Шоттки имеет очень низкую емкость.

  • Быстрая перемотка назад время восстановления

время, необходимое диоду, чтобы переключиться из включенного состояния в Состояние ВЫКЛ называется временем обратного восстановления.

В для переключения из состояния ON (проводимость) в состояние OFF (непроводящее) состояние, накопленные заряды в истощении область должна быть сначала разряжена или удалена до диода переключить в состояние ВЫКЛ. (непроводящее).

Диод P-N перехода не сразу переключается из включенного состояния в Состояние ВЫКЛ, потому что для разрядки или удаления требуется некоторое время. хранимые заряды в области истощения.Однако в шоттки диод, обедненная область незначительна. Итак, шоттки диод немедленно переключится из состояния ВКЛ в состояние ВЫКЛ.

ср знайте, что область истощения незначительна в Шоттки диод. Таким образом, приложения небольшого напряжения достаточно для получения большого напряжения. Текущий.

  • Низкий вперед падение напряжения или низкое напряжение включения

напряжение включения для диода Шоттки очень мало по сравнению к диоду P-N перехода.Напряжение включения для шоттки диод составляет от 0,2 до 0,3 вольт, тогда как для диода с P-N переходом От 0,6 до 0,7 вольт. Так что достаточно приложить небольшое напряжение, чтобы производят электрический ток в диоде Шоттки.

  • Высокая эффективность
  • Шоттки диоды работают на высоких частотах.
  • Шоттки диод производит меньше нежелательных шумов, чем диод с прямым переходом.

Недостатки из диод шоттки

  • Большой обратный ток насыщения

Шоттки диод производит больший обратный ток насыщения, чем p-n переходной диод.

Приложения диодов Шоттки

  • Шоттки диоды используются как выпрямители общего назначения.
  • Шоттки диоды используются в радиочастотных (RF) приложениях.
  • Шоттки диоды широко используются в источниках питания.
  • Шоттки диоды используются для обнаружения сигналов.
  • Шоттки диоды используются в логических схемах.

Типы диодов

различные типы диодов следующие:

  1. стабилитрон диод
  2. Лавинный диод
  3. Фотодиод
  4. Свет Излучающий диод
  5. Лазер диод
  6. Туннель диод
  7. Шоттки диод
  8. Варактор диод
  9. P-N переходной диод

Диод Шоттки

— характеристики, параметры и применение

Диод

является одним из основных компонентов, которые обычно используются в конструкциях электронных схем, его обычно можно встретить в выпрямителях, клипсаторах, зажимах и многих других широко используемых схемах.Это двухконтактное полупроводниковое устройство, которое позволяет току течь только в одном направлении, а именно от анода к катоду (+ к -), и блокирует ток в обратном направлении, то есть от катода к аноду. Причина в том, что он имеет ок. Нулевое сопротивление в прямом направлении и бесконечное сопротивление в обратном направлении. Существует много типов диодов, каждый со своими уникальными свойствами и возможностями применения. Мы уже узнали о стабилитронах и их работе, в этой статье мы узнаем о другом интересном типе диода под названием Schottky Diode и о том, как его можно использовать в наших схемах.

Диод Шоттки (названный в честь немецкого физика Вальтера Х. Шоттки) — это другой тип полупроводникового диода, но вместо PN перехода диод Шоттки имеет переход металл-полупроводник, что снижает емкость и увеличивает скорость переключения диода Шоттки. , и этим он отличается от других диодов. Диод Шоттки также имеет другие названия, такие как диод с поверхностным барьером , диод с барьером Шоттки, горячий носитель или диод горячих электронов.

Символ диода Шоттки

Символ диода Шоттки основан на общем символе диода, но вместо прямой линии он имеет S-образную структуру на отрицательном конце диода, как показано ниже.Этот схематический символ можно легко использовать, чтобы отличить диод Шоттки от других диодов при чтении принципиальной схемы. На протяжении всей статьи мы будем сравнивать диод Шоттки с обычным диодом для лучшего понимания.

Даже по внешнему виду компонента диод Шоттки похож на обычный диод, и часто бывает трудно определить разницу, не прочитав на нем номер детали. Но в большинстве случаев диод Шоттки будет казаться немного громоздким, чем обычные диоды, но это не всегда так.Изображение выводов диода Шоттки показано ниже.

Что делает диод Шоттки особенным?

Как обсуждалось ранее, диод Шоттки выглядит и работает очень похоже на обычный диод, но уникальными характеристиками диода Шоттки являются очень низкое падение напряжения и высокая скорость переключения . Чтобы лучше понять это, давайте подключим диод Шоттки и обычный диод к идентичной цепи и проверим, как она работает.

На приведенных выше изображениях у нас есть две схемы: одна для диода Шоттки, а другая — для типичного диода с PN переходом. Эти схемы будут использоваться для различения падений напряжения на обоих диодах. Таким образом, левая цепь предназначена для диода Шоттки, а правая — для типичного диода с PN-переходом. Оба диода запитаны 5В. Когда ток проходит от обоих диодов, диод Шоттки имеет падение напряжения только 0,3 В и оставляет 4,7 В для нагрузки, с другой стороны, типичный диод с PN-переходом имеет падение напряжения 0.7 вольт и оставляет 4,3 вольта на нагрузку. Таким образом, диод Шоттки имеет на меньшее падение напряжения, чем обычный диод с PN переходом . За исключением падения напряжения, диод Шоттки также имеет некоторые другие преимущества по сравнению с типичным диодом с PN-переходом, таким как диод Шоттки, имеет более высокую скорость переключения , меньший шум и лучшие характеристики , чем типичный диод с PN-переходом.

Недостатки диода Шоттки

Если диод Шоттки имеет очень низкое падение напряжения и высокую скорость переключения, обеспечивая лучшую производительность, тогда зачем нам вообще нужны диоды с обычным P-N переходом? Почему бы просто не использовать диод Шоттки во всех схемах?

Хотя это правда, что диоды Шоттки лучше, чем диоды с P-N переходом, и постепенно они становятся более предпочтительными, чем диоды с P-N переходом.Два основных недостатка диода Шоттки — это его , низкое обратное напряжение пробоя и высокий обратный ток утечки , по сравнению с обычным диодом. Это делает его непригодным для коммутации высокого напряжения. Также диоды Шоттки на сравнительно дороже на , чем обычные выпрямительные диоды.

Диод Шоттки против выпрямительного диода

Краткое сравнение PN-диода и диода Шоттки приведено в таблице ниже:

PN-переходной диод Диод Шоттки
Диод с PN-переходом — это биполярное устройство . означает, что токопроводимость происходит за счет как неосновных, так и основных носителей заряда. В отличие от диода с PN-переходом, диод Шоттки является униполярным устройством . означает, что токопроводимость происходит только за счет основных носителей заряда.
PN-диод имеет переход полупроводник-полупроводник. В то время как диод Шоттки имеет переход металл-полупроводник.
PN-переходный диод имеет большое падение напряжения . Диод Шоттки имеет небольшое падение напряжения .
Высокий По государственным потерям. Low On состояния потерь.
Медленная скорость переключения. Быстрая скорость переключения.
Высокое напряжение включения (0,7 В) Низкое напряжение включения (0,2 В)
Высокое обратное напряжение блокировки Низкое обратное напряжение блокировки
Низкий обратный ток Высокий обратный ток

Структура диода Шоттки Диоды Шоттки

построены с использованием перехода металл-полупроводник , как показано на рисунке ниже.Диоды Шоттки имеют соединение металла с одной стороны перехода и легированный кремний с другой стороны, поэтому диод Шоттки не имеет обедненного слоя . Из-за этого свойства диоды Шоттки известны как униполярные устройства, в отличие от типичных диодов с PN-переходом, которые являются биполярными устройствами.

Базовая структура диода Шоттки показана на изображении выше. Как вы можете видеть на изображении, диод Шоттки имеет металлическое соединение на одной стороне, которое может варьироваться от платины до вольфрама, молибдена, золота и т. Д.и полупроводник N-типа с другой стороны. Когда соединение металла и полупроводник N-типа объединяются, они создают переход металл-полупроводник. Этот переход известен как барьер Шоттки . Ширина барьера Шоттки зависит от типа металлических и полупроводниковых материалов, которые используются при формировании перехода.

Барьер Шоттки работает по-разному в несмещенном, прямом или обратном смещении. В состоянии прямого смещения , когда положительный вывод батареи соединен с металлом, а отрицательный вывод соединен с полупроводником n-типа, диод Шоттки пропускает ток.Но в состоянии обратного смещения , когда положительный вывод батареи соединен с полупроводником n-типа, а отрицательный вывод соединен с металлом, диод Шоттки блокирует ток. Однако, если напряжение с обратным смещением увеличится выше определенного уровня, оно сломает барьер , и ток начнет течь в обратном направлении, и это может повредить компоненты, подключенные к диоду Шоттки.

V-I характеристики диода Шоттки

Одной из важных характеристик, которую следует учитывать при выборе диода, является график зависимости прямого напряжения (В) от прямого тока (I).График VI наиболее популярных диодов Шоттки 1N5817, 1N5818 и 1N5819 показан ниже

.

Характеристики

V-I диода Шоттки очень похожи на типичный диод с PN-переходом. Наличие более низкого падения напряжения, чем у типичного диода с PN-переходом, позволяет диоду Шоттки потреблять меньшее напряжение, чем типичный диод. Из приведенного выше графика вы можете видеть, что 1N517 имеет наименьшее прямое падение напряжения по сравнению с двумя другими, также можно отметить, что падение напряжения увеличивается по мере увеличения тока через диод.Даже для 1N517 при максимальном токе 30 А падение напряжения на нем может достигать 2 В. Следовательно, эти диоды обычно используются в слаботочных приложениях.

Параметры, которые следует учитывать при выборе диода Шоттки

Каждый инженер-конструктор должен выбрать правильный диод Шоттки в соответствии с потребностями его применения. Для выпрямительных схем потребуются диоды с номинальными значениями высокого напряжения, низкого / среднего тока и низкой частоты.Для схем переключения номинальная частота диода должна быть высокой.

Некоторые общие и важные параметры диода, о которых следует помнить, перечислены ниже:

Падение напряжения в прямом направлении: Падение напряжения при включении диода с прямым смещением является падением напряжения в прямом направлении. Это зависит от разных диодов. Для диода Шоттки обычно предполагается, что напряжение включения составляет около 0,2 В.

Напряжение обратного пробоя: Определенная величина напряжения обратного смещения, после которой диод выходит из строя и начинает проводить в обратном направлении, называется напряжением обратного пробоя.Напряжение обратного пробоя для диода Шоттки составляет около 50 вольт.

Время обратного восстановления: Это время, необходимое для переключения диода из его прямого проводящего состояния или состояния «ВКЛ» в обратное состояние «ВЫКЛ». Наиболее важным различием между типичным диодом с PN-переходом и диодом Шоттки является время обратного восстановления. В типичном диоде с PN-переходом время обратного восстановления может варьироваться от нескольких микросекунд до 100 наносекунд. У диодов Шоттки нет времени восстановления, потому что диод Шоттки не имеет обедненной области на переходе.

Обратный ток утечки: Ток, проводимый полупроводниковым устройством при обратном смещении, является током обратной утечки. В диоде Шоттки повышение температуры значительно увеличивает обратный ток утечки.

Применение диода Шоттки Диоды Шоттки

благодаря своим уникальным свойствам находят множество применений в электронной промышленности. Вот некоторые из приложений:

1.Цепи ограничения / ограничения напряжения

Схемы ограничителей и схемы фиксаторов обычно используются в приложениях для формирования волн. Низкое падение напряжения делает диод Шоттки полезным в качестве ограничивающего диода.

2. Защита от обратного тока и разряда

Как мы знаем, диод Шоттки также называется блокирующим диодом , потому что он блокирует ток в обратном направлении; его можно использовать в качестве защиты от разряда.Например, в аварийной вспышке , диод Шоттки используется между суперконденсатором и двигателем постоянного тока, чтобы предотвратить разряд суперконденсатора через двигатель постоянного тока.

3. Цепи выборки и хранения

Диоды Шоттки с прямым смещением не имеют неосновных носителей заряда, и благодаря этому они могут переключаться быстрее, чем типичные диоды с PN-переходом. Таким образом, диоды Шоттки используются, потому что они имеют меньшее время перехода от выборки к шагу удержания, и это приводит к более точной выборке на выходе.

4. Выпрямитель мощности

Диоды Шоттки

имеют высокую плотность тока, а низкое прямое падение напряжения означает, что меньше энергии тратится впустую, чем у типичного диода с PN переходом, и это делает диоды Шоттки более подходящими для силовых выпрямителей.

Далее вы можете найти практическое применение диода во многих схемах, перейдя по ссылке.

Диоды и выпрямители Шоттки | Nexperia

с очень малым напряжением VF с очень малым напряжением VF
1PS66SB82; 1PS88SB82 15 В, 30 мА, низкоэлементные диоды с барьером Шоттки ACT
1PS88SB82 15 В, 30 мА, низкокалорийные диоды с барьером Шоттки Производство
1PS70SB82_84_85_86 Диоды с барьером Шоттки (двойные) ACT
1PS70SB82 Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
1PS70SB84 Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
1PS70SB85 Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
1ПС76СБ21; BAT721 серии Диоды с барьером Шоттки в малых корпусах ACT
1PS76SB21 Диоды с барьером Шоттки в малых корпусах Производство
BAT721 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT721A 40 В, 200 мА Двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT721C 40 В, 200 мА, двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT721S Двойной барьер Шоттки, 40 В, 200 мА Производство
1PSxSB17 4 В, 30 мА, низкий C_d барьер Шоттки, диод ACT
1PS66SB17 4 В, 30 мА, низкий C_d барьер Шоттки, диод Производство
1PS76SB17 4 В, 30 мА, низкий C_d барьер Шоттки, диод Производство
1PS79SB17 4 В, 30 мА диод с барьером Шоттки малой емкости Производство
Серия BAS40; 1PSxxSB4x серии Диоды Шоттки общего назначения ACT
1PS70SB40 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS70SB44 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS70SB45 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS70SB46 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS76SB40 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS79SB40 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS88SB48 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-04 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-04W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-05 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-05V Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-05W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-06 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-06W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40-07 Диоды Шоттки общего назначения Производство
БАС40-07В Диод Шоттки общего назначения Производство
BAS40H Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40L Диод Шоттки общего назначения Производство
BAS40W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS40XY Диоды Шоттки общего назначения Производство
Серия BAS70; 1PS7xSB70 серии Диоды Шоттки общего назначения ACT
1PS76SB70 Диоды Шоттки общего назначения Производство
1PS79SB70 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-04 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-04W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-05 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-05W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-06 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-06W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-07 Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70-07S Диоды Шоттки общего назначения Производство
БАС70-07В Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70H Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70L Диод Шоттки общего назначения Производство
BAS70VV Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70W Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAS70XY Диоды Шоттки общего назначения Производство
BAT54 серия Диоды с барьером Шоттки ACT
BAT54 Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT54A Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT54C Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT54S Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT54W серии Диод с барьером Шоттки ACT
BAT54AW Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54CW Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54SW Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54W Диод с барьером Шоттки Производство
BAT754 серии Диоды с барьером Шоттки ACT
BAT754 Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT754A Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT754C Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT754L Тройной диод с барьером Шоттки Производство
BAT754S Диоды с барьером Шоттки Производство
BAT854W серии Диоды с барьером Шоттки (двойные) ACT
BAT854AW Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
BAT854CW Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
BAT854SW Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
BAT854W Диоды с барьером Шоттки (двойные) Производство
DFN1608D_2_SERIES 20 В и 40 В, 0.Выпрямители с барьером Шоттки MEGA с малым напряжением от 5 А до 2 А ACT
PMEG2005EPK 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2010EPK 20 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2015EPK 20 В, 1,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2020EPK 20 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4005EPK 40 В, 0.5 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4010EPK 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4015EPK 40 В, 1,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4020EPK 40 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
DFN2020D_3_SERIES Одиночный и сдвоенный выпрямители Шоттки в DFN2020D-3 ACT
PMEG2010EPAS 20 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2020CPAS Сдвоенный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки, 20 В, 2 А Производство
PMEG2020EPAS 20 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3020CPAS 30 В, 2 А, двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3020EPAS 30 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010CPAS 40 В, 1 А, двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4020EPAS 40 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG6010CPAS 60 В, 1 А, двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG6020EPAS 60 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG1020EH; PMEG1020EJ Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 10 В, 2 А ACT
PMEG1020EH Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 10 В, 2 А Производство
PMEG1020EJ Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 10 В, 2 А Производство
PMEG1030EH; PMEG1030EJ 10 В, 3 A сверхмалые выпрямители с барьером Шоттки V_F MEGA ACT
PMEG1030EH 10 В, 3 A сверхнизкие V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки Производство
PMEG1030EJ 10 В, 3 A сверхнизкие V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки Производство
PMEG2010AEH; PMEG2010AET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG2010AEH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010AET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010EH_EJ_ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG2010EH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010EJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2015EH; PMEG2015EJ 20 В, 1.5 A очень низкий V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки ACT
PMEG2015EH 20 В, 1,5 А с очень низким напряжением V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки Производство
PMEG2015EJ 20 В, 1,5 А очень низкий V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки Производство
PMEG2020EH; PMEG2020EJ 20 В, 2 A очень низкий V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки ACT
PMEG2020EH 20 В, 2 A очень низкий V_F MEGA выпрямители с барьером Шоттки Производство
PMEG2020EJ 20 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3005EB; PMEG3005EL 0.5 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG3005EB 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3005EL 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010CEH; PMEG3010CEJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG3010CEH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010CEJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010EH_EJ_ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG3010EH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010EJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3015EH; PMEG3015EJ 30 В, 1.Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 5 A ACT
PMEG3015EH 30 В, 1,5 A выпрямители с барьером Шоттки с ультранизким напряжением VF MEGA Производство
PMEG3015EJ 30 В, 1,5 A выпрямители с барьером Шоттки с ультранизким напряжением VF MEGA Производство
PMEG3020EH; PMEG3020EJ Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 30 В, 2 А ACT
PMEG3020EH Выпрямители с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения 30 В, 2 А Производство
PMEG3020EJ 30 В, 2 А сверхмалые выпрямители с барьером Шоттки MEGA VF Производство
PMEG4010CEH; PMEG4010CEJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG4010CEH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010CEJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010EH_EJ_ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG4010EH 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010EJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010ET 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG6002EB; PMEG6002TV 0.2 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG6002EB 0,2 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким VF Производство
PMEG6010CE 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF ACT
PMEG6010CEH 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG6010CEJ 1 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
Серия PMEGxx05EH / EJ 0.5 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA ACT
PMEG2005EH 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2005EJ 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3005EH 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3005EJ 0.5 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA Производство
PMEG4005EH 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4005EJ 0,5 A выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
Серия PMEGxx05ET 0,5 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким VF в корпусе SOT23 ACT
PMEG2005ET 0.5 Выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF в корпусе SOT23 Производство
PMEG3005ET 0,5 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким VF в корпусе SOT23 Производство
PMEG4005ET 0,5 A выпрямители с барьером Шоттки MEGA с очень низким VF в корпусе SOT23 Производство
RB751 серии Одиночные диоды с барьером Шоттки ACT
RB751CS40 Диод с барьером Шоттки Производство
RB751S40 Диод с барьером Шоттки Производство
RB751V40 Диод с барьером Шоттки Производство
1PS10SB82 Диод с барьером Шоттки Производство
1PS70SB10 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS70SB14 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS70SB15 Двойной диод с барьером Шоттки Производство
1PS70SB16 Двойной диод с барьером Шоттки Производство
1PS70SB20 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS74SB23 Диод с барьером Шоттки Производство
1PS76SB10 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS79SB10 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS79SB30 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
1PS79SB31 Диод с барьером Шоттки Производство
BAS40LS Диод Шоттки общего назначения Производство
BAS70LS Диод Шоттки общего назначения Производство
BAS85 Диод с барьером Шоттки Производство
BAS86 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT120A Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT120C Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT120S Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT160A Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT160C Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT160S Двойные диоды с барьером Шоттки Производство
BAT165A 40 В, 0.Барьерный выпрямитель Шоттки средней мощности, 75 А Производство
BAT17 Диод с барьером Шоттки Производство
BAT46GW 100 В, 250 мА Диод с барьером Шоттки Производство
BAT46WH Диод с одинарным барьером Шоттки Производство
BAT46WJ Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54CM Двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT54CV Два двойных диода с барьером Шоттки Производство
BAT54GW 30 В, 200 мА Диод с барьером Шоттки Производство
ВАТ54Н Одинарный диод с барьером Шоттки в малом корпусе SOD123F Производство
BAT54HGW Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT54J Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT54L Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54LS Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54QB Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54QC Диод с барьером Шоттки Производство
BAT54VV Тройной диод с барьером Шоттки в сверхмалом корпусе SOT666 Производство
BAT54XY Счетверенный диод с барьером Шоттки Производство
BAT720 Диод с барьером Шоттки Производство
BAT74 Двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT74S Двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT74V Двойной диод с барьером Шоттки Производство
BAT760 Одинарный диод с барьером Шоттки средней мощности Производство
BAT85 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT86 Одинарный диод с барьером Шоттки Производство
BAT960 Диод с барьером Шоттки Производство
PMBD353 Двойной диод с барьером Шоттки Производство
PMBD354 Двойной диод с барьером Шоттки Производство
PMEG030V030EPD 30 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG030V050EPD 30 В, 5 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG040V030EPD 40 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG040V050EPD 40 В, 5 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG045T050EPD 45 В, 5 A Low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG045T100EPE 45 В, 10 А, низкий VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG045T150EIPD 45 В, 15 А, низкий VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG045T150EPD 45 В, 15 А, низкий VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG045V050EPD 45 В, 5 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG045V100EPD 45 В, 10 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG045V150EPD 45 В, 15 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG050T150EIPD 50 В, 15 А, низкий VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG050T150EPD 50V, 15 A low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG050V030EPD 50 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG050V150EPD 50 В, 15 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG060T030ELPE 60 В, 3 А, малый ток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG060T050ELPE 60 В, 5 A, малоток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG060T060CLPE 60 В, 2 x 3 А, двойной общий катод, низкий ток утечки, Trench MEGA, выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG060T080CLPE 60 В, 2 x 4 А, двойной общий катод, малый ток утечки, Trench MEGA, выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG060T100CLPE 60 В, 2 x 5 А, двойной общий катод, малый ток утечки, Trench MEGA, выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG060V030EPD 60 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG060V050EPD 60 В, 5 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG060V100EPD 60 В, 10 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG10010ELR 100 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG10020AELP 100 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG10020AELR 100 В, 2 А выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG10020ELR 100 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG10030ELP 100 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG100T030ELPE 100 В, 3 A, малоток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG100T050ELPE 100 В, 5 А, малый ток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG100T080ELPE 100 В, 8 А, малый ток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG100T100ELPE 100 В, 10 А, малоток утечки Trench MEGA Schottky, выпрямитель с барьером Производство
PMEG100V060ELPD 100 В, 6 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG100V080ELPD 100 В, 8 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG100V100ELPD 100 В, 10 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG1020EA 2 A сверхнизкий VF MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG1020EV Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с ультранизким напряжением VF Производство
PMEG2002AESF 20 В, 0.2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2002AESFB 20 В, 0,2 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2002ESF 20 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2005AEA Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2005AEL 0.5 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением V_F в сверхкомпактном безвыводном корпусе SOD882 Производство
PMEG2005AELD 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2005AESF 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2005AEV Выпрямители с барьером Шоттки с очень низким напряжением VF MEGA Производство
PMEG2005BELD 20 В, 0.5 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2005CT Двойной MEGA-выпрямитель с барьером Шоттки, низкий V_F, 500 мА Производство
PMEG2005EB Низкочастотный диод MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2005EGW 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2005EL 20 В, 0.5 Выпрямитель MEGA с барьером Шоттки с очень низким V_F в сверхмалом безвыводном корпусе SOD882 Производство
PMEG2005ELD 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2005ESF 20 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2010AEB 20 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения в корпусе SOD523 Производство
PMEG2010AEJ 20 В, 1 A, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением V_F в корпусе SOD323F Производство
PMEG2010BEA 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010BELD 20 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG2010BER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2010BEV 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG2010EA 20 В, 1 А, диод с барьером Шоттки с низким VF (MEGA) Производство
PMEG2010EPA 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2010ER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2010EV Низкочастотный диод MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2015EA Low VF (MEGA) Диод с барьером Шоттки Производство
PMEG2015EV Низкочастотный диод MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG2020AEA 20 В, 2 выпрямителя с барьером Шоттки MEGA с очень низким VF в корпусе SOD323 (SC-76) Производство
PMEG2020CPA Двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением V_F Производство
PMEG2020EPA 2 Низкий V_F MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG3001EEF 30 В, 0.1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3002AEB Низкочастотный диод MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3002AEL 30 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением V_F в безвыводном сверхмалом корпусе SOD882 Производство
PMEG3002AELD 30 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3002AESF 30 В, 0.2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3002EEF 30 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3002EJ 200 мА низкий Vf MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG3002ESF 30 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3002TV 0.2 Двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким V_F в корпусе SOT666 Производство
PMEG3005AEA Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3005AESF 30 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3005AEV Выпрямители с барьером Шоттки с очень низким напряжением VF MEGA Производство
PMEG3005CT Двойной MEGA-выпрямитель с барьером Шоттки, низкий V_F, 500 мА Производство
PMEG3005EEF 30 В, 0.5 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3005EGW 30 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3005ELD 0,5 А low V_F MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG3005ESF 30 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3010AESA 30 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3010AESB 30 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3010BEA 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3010BEP 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3010BER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3010BEV 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010EB 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG3010EGW 30 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3010EP 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3010ER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3010ESB 30 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3015EV 30 В, 1.5 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA со сверхнизким напряжением напряжения в корпусе SOT666 Производство
PMEG3020BEP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3020BER 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3020CEP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3020CPA Двойной выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением V_F Производство
PMEG3020DEP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3020EGW 30 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG3020EP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3020EPA 2 Низкий V_F MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG3020ER 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3030BEP 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3030EP 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG3050BEP Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с малым напряжением тока 5 А Производство
PMEG3050EP Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с малым напряжением тока 5 А Производство
PMEG4002AESF 40 В, 0.2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4002EB 200 мА очень низкий VF MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG4002EJ 200 мА низкий Vf MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG4002EL 40 В, 0,2 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4002ELD 40 В, 0.2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4002ESF 40 В, 0,2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4005AEA Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4005AESF 40 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4005AEV Выпрямители с барьером Шоттки с очень низким напряжением VF MEGA Производство
PMEG4005CEA 40 В, 0.5 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4005CEJ 40 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4005CT Двойной выпрямитель MEGA с барьером Шоттки, 500 мА, низкий VF Производство
PMEG4005EGW 40 В, 0,5 А выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4005ESF 40 В, 0.5 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4010AESB 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010BEA 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010BEV 1 Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG4010CEA 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010CEGW 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010CPA 1 Двойной выпрямитель MEGA с барьером Шоттки с низким напряжением V_F Производство
PMEG4010EGW 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010EP 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4010ER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4010ESB 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010ETP 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4010ETR Высокотемпературный, 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG4020EP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4020EPA 2 Низкий V_F MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG4020ER 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4020ETP 40 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4020ETR 40 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4030EP 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4030ER 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4030ETP 40 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG4030ETR 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG4050EP Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с малым напряжением тока 5 А Производство
PMEG4050ETP 40 В, 5 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG40T10ER 40 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением VF Trench MEGA Производство
PMEG40T20EP 40 В, 2 A Low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG40T20ER 40 В, 2 A Low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG40T30EP 40 В, 3 A Low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG40T30ER 40 В, 3 A low Trench MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG40T50EP 40 В, 5 A Low VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG45A10EPD 45 В, 10 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG45T15EPD 45 В, 15 А, низкий VF Trench MEGA Барьерный выпрямитель Производство
PMEG45U10EPD 45 В, 10 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с очень низким напряжением VF Производство
PMEG6002EJ 200 мА низкий Vf MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG6002ELD 60 В, 0.2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6002TV 0,2 Выпрямитель с двойным барьером MEGA с барьером Шоттки с очень низким VF Производство
PMEG6010AESB 60 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG6010CEGW 60 В, 1 A Выпрямитель с барьером Шоттки MEGA Low VF Производство
PMEG6010CPA 1 Двойной выпрямитель MEGA с барьером Шоттки с низким напряжением V_F Производство
PMEG6010ELR 60 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG6010EP 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6010ER 1 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6010ESB 60 В, 1 А, выпрямитель с барьером Шоттки MEGA с низким напряжением напряжения Производство
PMEG6010ETR Высокотемпературный 60 В, 1 А выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG6020AELP 60 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG6020AELR 60 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG6020ELR 60 В, 2 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG6020EP 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6020EPA 2 Низкий V_F MEGA выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG6020ER 2 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6020ETP Высокотемпературный выпрямитель с барьером Шоттки 60 В, 2 А Производство
PMEG6020ETR Высокотемпературный выпрямитель с барьером Шоттки 60 В, 2 А Производство
PMEG6030ELP 60 В, 3 А, выпрямитель с барьером Шоттки с низким током утечки Производство
PMEG6030EP 3 Низкочастотный выпрямитель MEGA с барьером Шоттки Производство
PMEG6030ETP Высокотемпературный 60 В, 3 А выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG6030EVP Высокотемпературный 60 В, 3 А выпрямитель с барьером Шоттки Производство
PMEG6045ETP Высокотемпературный 60 В, 4.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Весь товар подлежит гарантии и сертифицирован!Все права защищены .RU