Транзистор кт 947: Транзистор КТ947: КТ947А, 2Т947А

Содержание

Транзистор КТ947: КТ947А, 2Т947А

Поиск по сайту


Транзистор КТ947 — генераторный, эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n, кремниевый. Основное применение: умножители частоты, усилители мощности, автогенераторы (на частоте 0.1 ± 1.5 МГц при напряжении питания 27 В). Имеет жёсткие выводы, металлокерамический корпус и монтажный винт. Тип транзистора указывается на корпусе. Весит не более 35 г.

Цоколёвка КТ947



Электрические параметры транзистора КТ947

• Выходная мощность на частоте f = 1.5 МГц
при Uкэ = 27 В, не менее
250 Вт
• Коэффициент усиления по мощности на частоте f = 1.5 МГц
при Uкэ = 27 В, Pвых = 250 Вт, не менее
10
  типовое значение 70
• КПД коллектора на частоте f = 1.
5 МГц
Uкэ = 27 В, Pвых = 250 Вт, не менее
55%
  типовое значение 60%
• Коэффициент передачи тока (статический) в схеме с общим эмиттером
при Uкэ = 5 В, Iк = 20 А:
  Тк = +25°C 10 ± 80
  Тк = +125°C для 2Т947А 5 ± 160
  Тк = −60°C для 2Т947А 5 ± 80
• Модуль коэффициента передачи тока на частоте f = 30 МГц
при Uкэ = 10 В, Iк = 4 А, не менее
2.5
  типовое значение
3.3
• Ёмкость коллекторного перехода  при Uкб = 27 В, не более 850 пФ
  типовое значение 680 пФ
• Ток КЭ (обратный) при Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом, не более:
  Т = +25°C 100 мА
  Т = +125°C для 2Т947А 160 мА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 5 В, не более 150 мА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ947

• Напряжение К-Э (постоянное), при R
эб
≤ 10 Ом:
  Тп ≤ +100°C 100 В
  Тп = +200°C 70 В
• Постоянное напряжение Э-Б 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 20 А
• Ток коллектора (импульсный)
  при f = 100 КГц, Q ≥ 2 50 A
  при tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 6 40 A
• Рассеиваемая мощность (постоянная) при Тк ≤ 50°C   200 Вт
• Тепловое сопротивление переход — корпус 0.75°C/Вт
• Температура p-n перехода +200°C
• Температура корпуса:
  КТ947А +100°C
  2Т947А +125°C
• Рабочая температура (окружающей среды)
  КТ947А −60…Tк=+100°C
  2Т947А −60…Tк=+125°C


Транзистор КТ947 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ947

 

Описание

Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для усилителей мощности длинно- и средневолнового диапазона при напряжении питания 27 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 35 г.

 

Параметры транзистора КТ947
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ947А 2N6047, BDP620, 2N2124, 2N2816,

2N2752 *3

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ947А 50 °C 200* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ947А ≥75 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ947А 0.01к 100* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ947А 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ947А 20(50*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ947А 100 В ≤100* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ947А (5 В; 20 А) 10…80*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ947А 27 В ≤850 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ947А ≥10** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ947А 1.5 МГц ≥250** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ947А пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость модуля статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

Куплю транзистор КТ947 новый и б/у, не рабочий

По-умолчанию, цена указа за новые радиодетали  и с датой выпуска меньше 1990 года — условное обозначение: <1990

Если год выпуска больше или равен 1990 году, но меньше 1991 года (обозначается так: >=1990 <1991 ), то применяется скидка стоимости в размере 15%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.

Если год выпуска больше или равен 1991 году, но меньше 1992 года (обозначается так: >=1991 <1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 30%, не зависомо от текущего состояния радиодетали.

Если год выпуска больше или равен 1992 году (обозначается так: >=1992 ), то применяется скидка стоимости в размере 70%

Цоколевка транзистора КТ947

 

Описание

Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для усилителей мощности длинно- и средневолнового диапазона при напряжении питания 27 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими вывода-
ми. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 35 г.

 

Параметры транзистора КТ947
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог   КТ947А   2N6047, BDP620
 
Структура      — n-p-n  
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ947А 50 °C 200* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ947А ≥75 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ947А 0.01к 100* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ947А 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ947А 20(50*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ947А 100 В ≤100* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ947А (5 В; 20 А) 10…80*  
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ947А 27 В ≤850 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ947А ≥10** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ947А 1.5 МГц ≥250** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ947А пс

 

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

 

Зависимость модуля статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

 

Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база

Транзисторы | Скупка радиодеталей и радиолома

Раньше, когда миниатюризация ещё не была так развита, в электронных и радиотехнических устройствах и приборах, а так же в бытовой технике использовались транзисторы. Транзисторы бывают в круглых, плоских, металлических и даже в пластмассовых корпусах.
Из драгоценных металлов чаще всего транзисторы содержат золото, серебро, палладий и иногда — платину.

Транзисторы легко распознать по наличию у них трех ножек.
Наибольшее количество драгоценных металлов, содержащихся в транзисторах, можно найти в советской вычислительной технике, а так же в разработках предприятий военно-промышленного комплекса СССР.

Транзисторы: рекомендации по разборке:

Не секрет что желтое покрытие на транзисторах и микросхемах советского производства — это позолота. В разные года толщина покрытия колебалась от одного до пяти микрон, поэтому детали выпущенные до 90 года имеют более толстый слой покрытия, чем те которые выпускались позже отсюда и разница в цене.

При разборке плат желтые транзисторы и микросхемы лучше выпаивать. Способ может быть любой: строительным феном, паяльником, на электроплитке или горелкой. Главное — сохранить в целости выводы (ножки). Чем длиннее выводы, тем выше цена за транзистор или микросхему.

Транзисторы и микросхемы без выводов считаются дешевле (т.к. значимая часть золота находиться на выводах). По этой же причине новые детали с желтым покрытием всегда дороже (выводы не обрезаны). Если нет возможности выпаивать детали, наши специалисты посчитают детали на платах. Если у вас большое количество плат, радиодеталей и нет возможности привезти их к нам на приемный пункт, тогда мы можем приехать к вам и на месте оценить детали и рассчитаться.

О выезде звоните по тел.: 8-937-266-19-99.

Мы принимаем транзисторы с драгметаллами:

Наименование Фото
КТ 201, 203, 305, 118 КП 301Прайс
КТ 312, 301, 306 желтыеПрайс
КТ 601, 603, 608 желтыеПрайс
КТ 602, 604 желтыеПрайс
КТ 630, 830, 631, 831Прайс
КПС 104, АОТ, АОД, АОУПрайс
КТ 301, 306, 312, 313 белыеПрайс
ГТ 311, 316 желтыеПрайс
КТ 308, П307, 308, 309 белыеПрайс
КТ 602, 604 белыеПрайс
КТ 610, 913, КТ 939Прайс
КТ 909Прайс
КТ 930, 958Прайс
КТ 912, 947, КП 904Прайс
КТ 935, 704, 926Прайс
КТ 911, 920, 922, 930, 931, 950Прайс
КТ 904, 907 желтыеПрайс
КТ 606 белыйПрайс
КП 901, 903 желтое кольцоПрайс
КТ 802, 803, 808, 809, 908, 812Прайс
КТ 815, 816, 817, 639, 611Прайс
Транзисторы производства стран СЭВПрайс
КТ 3117, 645, 368, 3126, 3102Прайс
КТ 315, 361Прайс

Транзисторы — Мицар

П О Л У П Р О В О Д Н И К И

Наименование

НОВ. ₽ ПАЯН. ₽
1  ГИ401, КА607 и подобные туннельные и генераторные диоды от 1 до 10
2  ГТ 311 – белые, жёлтые внутри 4 4
3  ГТ 311, 313… — жёлтые ноги 8 8
4  ГТ 341 А-В – белый, жёлтый внутри 4 4
5  ГТ 612 [бескорпусные, волосяные выводы) 1 1
6  КЛЦ 202А 5 3
7  КПС 104, КП 601 [4 ноги], 2Т325 и подобные 30 20
8  КП 302 [типа КТ 630] 30 20
9  КТ 947 [большой белый болт 2 ноги] 100 100
10  КТ 201, 203, 3102… и подобные белые, жёлтые внутри 10 10
11  КТ 201, 203, 3102… и подобные жёлтые, короткие ноги 15 12
12  КТ 201, 203… и подобные жёлтые длинные ноги (20мм и бол.) 20 12
13  КТ 301, 306, 312… и подобные белые, жёлтые внутри 12 12
14  КТ 301, 306, 312… и подобные желтые 25 20
15  КТ209, КТ501,КТ 345, КТ3107 и подобные [пластмасса] 0-30 0-30
16  КТ 601, 603, 605, 608, П 307 — 309… — белые, жёлтые внутри 20 20
17  КТ 601, 603, 605, 608, П 307 — 309… и подобные – желтые 45 35
18  КТ 602, 604… и подобные —  белые, жёлтые внутри 30 30
19  КТ 602, 604… и подобные – желтые 70 55
20  КТ 606, 904, 914… и подобные [болт желтый] 80 70
21  КТ 606, 904, 914… и подобные [болт частично желтый] 25 25
22  КТ 606, 904, 914… и подобные [болт белый] 10 10
23  КТ 610, 913… и подобные  (мелкий «вертолёт») 70 55
24  КТ 630, 631, 504, 505, 830, 831… и подобные, жёлтое дно 30 20
25  КТ 704 .  [болт белый]/после 12.82 40/5 40/5
26  КТ,2Т 802,803,808,908 до 86 г.  без ушей, КТ812 до90г.с ушами 35 35
27  КТ,2Т 809 , КТ 827 с ушами 5 5
28  КТ 814 — 817 [пластмасса] – разобранные / не разобранные 6 4
29  КТ 862, 866А, КТ 9101, КТ 909… 60 50
30  КТ 911 100 80
31  КТ 912 [болт белый – 2 ноги]/после 12.82 40/25 40/25
32  КТ 919 30 20
33  КТ 920, 922, 925, 934  [большой «вертолёт»] 100 80
34  КТ 930, 931, 958, 970… 80 70
35  КП904 [большой белый болт — 3 ноги] 100 100
36  КУ 103, 106, 110 – белый [жёлтая планка внутри] 4 4
37  КУ 101, 102 — бел.- квадратная жёлтая пластина 4 4
38  КУ 103, 106, 110 – желтый 20 15
39  М 45302 55 50
40  2Д 124, 504 [1 жел. нога] 4 2
41  С/диод АЛ 102 и подобные — металлический [типа КТ 201] 8 4
42  С/диод метал. короткий — желтые ноги 4 2
43  С/диод пластмас. [красный с жел. обод.] 4 2
44  С/диод пластмас. [красный без жел. обод.] 0-50 0-50
45  Тиристоры таблеточные [разобран.- жел. цвета] 40 40
46  Транзисторы импортные типа КТ 201, 630  [за 1,0 кг.] 6000 6000
►Указана цена на полупроводники выпуска до 11.92, с 12.92 г. — скидка 20% на новые и паяные;

►Цена на полупроводники со срезанными выводами составляет 50% от цены на новые изделия;

►полупроводники с облуженными выводами, принимаются по цене паяных;

►Цена на п/проводники, установленные на платах, в блоках, модулях составляет 80% от цены на паяные изделия;

Скупка транзисторов Скупка радиодеталей +79514205636, Компания РадиодеталиМир

Для потенциальных клиентов нашей организации это означает, в первую очередь, универсальную возможность избавиться от ненужных вещей, получив за это некую оплату.

Скупка транзисторы, в том числе силовые, в различных корпусах: круглых, плоских, металлических, пластмассовых корпусах, керамических, планарных, DIP, а также индикаторы АЛС (3ЛС) 321, 324, 333, 338, светодиоды.

На сайте представлены цены за новые радиодетали. Расчет стоимости старых выполняется индивидуально с учетом года выпуска, технического состояния деталей и курса Лондонской биржи.

После 90 года — 20%-30%

Покупаем конденсаторы КМ, К10-9,17,23,43,50; ЭТО, К52, К53-1,1А,7,18… Подробнее
 
 
Покупаем микросхемы 140УД, К573РФ, 564ИЕ, К1ЖГ, 133ЛА, К1НТ, К217, ЕН, 155, 555… Подробнее
 
 
Покупаем транзисторы серий КТ, 2Т, 201, 312, 608, 803, 808, 909, 920; П307, 308… Подробнее
 
 
Покупаем резисторы СП5, ПП3-40…47, потенциометры, реохорды… Подробнее
 
 
Покупаем позолоченные разъемы, коннекторы, штекера и… Подробнее
 
 
Покупаем радиодетали и реле в серий РЭС-7, ЗЭС-9, РЭС-10… Подробнее
 
 
Покупаем переключатели и размыкатели от промышленной и бытовой радиоаппаратуры… Подробнее
 
 
Покупаем процессоры и комплектующие Intel, AMD, Apple macintosh и др… Подробнее
 
 
Покупаем позолоченные часы и прочие… Подробнее
 
 
Скупаем лом серебра , серебряные контакты, монеты и радиодетали … Подробнее
 
 
Покупаем аккумуляторы серий К 52-8, К 52-2, К 52-8, К 52-2, К 52-8, К 52-2… Подробнее
 
 
Скупаем импортные радиодетали и компоненты электронной аппаратуры… Подробнее
 
 
Скупаем печатные платы и модули электронной аппаратуры … Подробнее
 
 
Скупаем автомобильные катализаторы , а так же промышленные катализаторы в Подробнее
 
 
Скупаем радиодетали и узлы промышленной аппаратуры… Подробнее

Транзистор — содержание драгметаллов


Содержание драгметаллов в транзисторах

На каждой странице указаны данные о содержании драгметаллов, а также приведена ценность изделия при сдаче в скупку, исходя из текущей стоимости золота, серебра, платины и палладия на бирже.
13В44 19С17 1Д403В 1НТ251 1НТ252А 1Т305 1Т305А 1Т305Б 1Т305В 1Т308 1Т308А 1Т308Б 1Т308Б 1Т308В 1Т311 1Т311 1Т3110 1Т3110А-2 1Т311А 1Т311А 1Т311А 1Т311Б 1Т311Б 1Т311В 1Т311Г 1Т311Г 1Т311Д 1Т311Д 1Т311Е 1Т311Ж 1Т311З 1Т311И 1Т311К 1Т311Л 1Т313 1Т313 1Т313А 1Т313А 1Т313Б 1Т313Б 1Т313В 1Т313В 1Т320 1Т320А 1Т320Б 1Т320В 1Т321 1Т321А 1Т321Б 1Т321В 1Т321Г 1Т321Д 1Т321Е 1Т329 1Т329А 1Т329А 1Т329А 1Т329Б 1Т329Б 1Т329Б 1Т329В 1Т329В 1Т330А 1Т335 1Т335А 1Т335Б 1Т335В 1Т335Г 1Т335Д 1Т338А 1Т338Б 1Т341А 1Т341А 1Т341Б 1Т341В 1Т363А 1Т387 1Т387А-2 1Т403 1Т403А 1Т403А 1Т403Б 1Т403Б 1Т403Б 1Т403В 1Т403В 1Т403В 1Т403Г 1Т403Г 1Т403Г 1Т403Д 1Т403Д 1Т403Е 1Т403Ж 1Т403Ж 1Т403Ж 1Т403И 1Т403И 1Т612А 1Т806 1Т806А 1Т806А 1Т806А 1Т806Б 1Т806Б 1Т806Б 1Т806В 1Т806В 1Т806В 1Т813 1Т813А 1Т813А 1Т813Б 1Т813Б 1Т813В 1Т813В 1Т813В 1Т901 1Т901А 1Т901А 1Т901А 1Т901Б 1Т901Б 1Т905 1Т905А 1Т905А 1Т906 1Т906 1Т906А 1Т906А 1Т910 1Т910АД 1Т910АД 1ТМ115 1ТМ115Б 1ТМ115В 1ТМ115Г 1ТМ305 1ТМ305А 1ТМ305Б 1ТМ305В 1ТС609 1ТС609А 1ТС609А 1ТС609Б 1ТС609Б 1ТС609Б 1ТС609В 1ТС609В 2N5210 2П101А 2П103 2П103А 2П103А 2П103А 2П103Б 2П103Б 2П103Б 2П103В 2П103В 2П103В 2П103Г 2П103Г 2П103Д 2П103Д 2П201 2П201А-1 2П201Г 2П201Д-1 2П202 2П202А-2 2П212А 2П301 2П301А 2П301А 2П301Б 2П301Б 2П301Б 2П301В 2П302 2П302А 2П302А 2П302А 2П302Б 2П302Б 2П302Б 2П302Б 2П302БМ 2П302В 2П302В 2П302В 2П302ВМ 2П302ГМ 2П302М 2П303 2П303А 2П303А 2П303А 2П303Б 2П303Б 2П303Б 2П303В 2П303В 2П303В 2П303Г 2П303Г 2П303Д 2П303Д 2П303Д 2П303Е 2П303Е 2П303Е 2П303Ж 2П303З 2П303И 2П303И 2П304А 2П305 2П305А 2П305А 2П305А 2П305А 2П305А ОСМ 2П305Б 2П305Б 2П305Б 2П305Б 2П305Б ОСМ 2П305В 2П305В 2П305В 2П305В 2П305В ОСМ 2П305Г 2П305Г 2П305Г 2П305Г 2П305Г ОСМ 2П305П 2П306 2П306А 2П306А 2П306А 2П306Б 2П306Б 2П306В 2П306В 2П307 ОСМ 2П307А 2П307А 2П307А 2П307Б 2П307Б 2П307Г 2П307Г 2П308 2П308А-1 2П308Б-1 2П308В-1 2П308Г-1 2П308Д-1 2П312 2П312А 2П312А 2П312А 2П312А ОСМ 2П312Б 2П312Б 2П312Б ОСМ 2П313 2П313А 2П313Б 2П313В 2П322 2П322А 2П322А 2П333 2П333А 2П333А 2П333Б 2П333Б 2П336 2П337 2П338 2П338АР-1 2П350 2П350А 2П350А 2П350А 2П350Б 2П350Б 2П350Б 2П601 2П601А 2П601Б 2П601Б 2П701 2П701А 2П701Б 2П702 2П702А 2П901 2П901А 2П901А 2П901Б 2П902 2П902А 2П902А 2П902Б 2П902Б 2П902Б 2П902В 2П903 2П903А 2П903А 2П903Б 2П903Б 2П903В 2П903В 2П903В 2П904 2П904А 2П904А 2П904Б 2П904Б 2П904Б 2П904Б ОСМ 2П905 2П905А 2П905А 2П905Б 2П905Б 2П907 2П907А 2П907А 2П907Б 2П907Б 2П907Б 2П909 2П909А 2П909А 2П909Б 2П909Б 2П909В 2П909В 2П909Г 2П911 2П911А 2П911Б 2П911Б 2П912А 2П912А 2П913 2П913А 2П913А 2П913Б 2П913Б 2П913В 2П913Г 2П918 2П918А 2П918А 2П918Б 2П918Б 2П920 2П920А 2П920А 2П922 2П922А 2П922Б 2П923 2П923А 2П923Б 2ПС104 2ПС104А 2ПС104А 2ПС104Б 2ПС104В 2ПС104Г 2ПС104Г 2ПС104Д 2Т104 2Т104А 2Т104А 2Т104Б 2Т104Б 2Т104В 2Т104В 2Т104Г 2Т104Г 2Т117 2Т117А 2Т117А 2Т117Б 2Т117Б 2Т117В 2Т117В 2Т117Г 2Т117Г 2Т117Г 2Т117Г 2Т118 2Т118 2Т118А 2Т118А 2Т118А 2Т118А-1 2Т118Б 2Т118Б 2Т118Б 2Т118В 2Т118В 2Т201А 2Т201А 2Т201Б 2Т201Б 2Т201Б 2Т201В 2Т201В 2Т201В 2Т201Г 2Т201Г 2Т201Г 2Т201Д 2Т201Д 2Т202 2Т202А-1 2Т202Б-1 2Т202В 2Т202В 2Т202В-1 2Т202Г 2Т202Г-1 2Т202Д-1 2Т202Е 2Т203 2Т203 2Т203А 2Т203А 2Т203А 2Т203А 2Т203Б 2Т203Б 2Т203Б 2Т203Б 2Т203В 2Т203В 2Т203В 2Т203Г 2Т203Г 2Т203ГТ 2Т203Д 2Т203Д 2Т208 2Т208А 2Т208А 2Т208А 2Т208Б 2Т208Б 2Т208В 2Т208В 2Т208В 2Т208Г 2Т208Г 2Т208Г 2Т208Г 2Т208Д 2Т208Д 2Т208Д 2Т208Д 2Т208Е 2Т208Е 2Т208Е 2Т208Ж 2Т208Ж 2Т208Ж 2Т208Ж 2Т208З 2Т208И 2Т208И 2Т208И 2Т208И 2Т208К 2Т208К 2Т208К 2Т208Л 2Т208Л 2Т208Л 2Т208М 2Т208М 2Т208М 2Т211 2Т211А-1 2Т211Б-1 2Т211В-1 2Т213Б 2Т214 2Т214 2Т214А-1 2Т214Б-1 2Т214В-1 2Т214Г-1 2Т214Д-1 2Т214Е-1 2Т215 2Т215 2Т215А-1 2Т215Б-1 2Т215В-1 2Т215Г-1 2Т215Д-1 2Т215Е-1 2Т263А 2Т301 2Т301Г 2Т301Г 2Т301Г 2Т301Д 2Т301Е 2Т301Е 2Т301Ж 2Т301Ж 2Т302А 2Т306А 2Т306А 2Т306А 2Т306Б 2Т306Б 2Т306Б 2Т306В 2Т306Г 2Т307А-1 2Т307Б-1 2Т307В-1 2Т307Г-1 2Т308АМ-2 2Т3101А-2 2Т3101А-2 2Т3104Б 2Т3106А-2 2Т3106А-2 2Т3107И 2Т3108 2Т3108А 2Т3108А 2Т3108А 2Т3108Б 2Т3108Б 2Т3108В 2Т3108В 2Т3108В 2Т3114 2Т3114А 2Т3114А-6 2Т3114А-6 2Т3114Б 2Т3114Б-6 2Т3114В-6 2Т3115А-2 2Т3115Б-2 2Т3117 2Т3117 2Т3117А 2Т3117А 2Т3117А 2Т3117А 2Т312 753279 2Т312 Ч.Т. 2Т3121 2Т3121А-6 2Т3123 2Т3123А-2 2Т3123А-2 2Т3123Б-2 2Т3123Б-2 2Т3123В-2 2Т3123В-2 2Т3124 2Т3124А-2 2Т3124Б-2 2Т3124В-2 2Т3129 2Т3129Г9 2Т312А 2Т312А 2Т312А 2Т312Б 2Т312Б 2Т312Б 2Т312Б 2Т312Б Ч.Т. 2Т312В 2Т312В 2Т312В 2Т312В 2Т312В ОС 2Т312Т 2Т313 ОСМ 2Т3130 2Т3130Д9 2Т3132 2Т3132А-2 2Т3132А-2 2Т3132Б-2 2Т3132В-2 2Т3132Г 2Т3132Г-2 2Т3132Л 2Т313А 2Т313А 2Т313А ОСМ 2Т313Б 2Т313Б 2Т313Б 2Т313Б ОСМ 2Т3152 2Т3152 2Т3152А 2Т3152Б 2Т3152В 2Т3152Г 2Т3158 2Т3158А-2 2Т3158А-2Н 2Т315Б 2Т3160 2Т3160А-2 2Т3160А-2Н 2Т316А 2Т316А 2Т316Б 2Т316Б 2Т316В 2Т316Г 2Т316Г 2Т316Д 2Т317 2Т317А 2Т317В 2Т318 2Т318А 2Т318Б 2Т318В 2Т318ВТ 2Т318Г 2Т318ГИ 2Т318Д 2Т318Е 2Т318Ж1-1 2Т318ПС1 2Т321А 2Т321А 2Т321Б 2Т321В 2Т321В 2Т321Г 2Т321Д 2Т321Д 2Т321Е 2Т321Е 2Т324А-1 2Т324Б-1 2Т324Б-2 2Т324В-1 2Т324В-1 2Т324Г-1 2Т324Д-1 2Т324Е-1 2Т325А 2Т325А 2Т325Б 2Т325Б 2Т325Б 2Т325В 2Т325В 2Т326 2Т326А 2Т326А 2Т326А 2Т326Б 2Т326Б 2Т326Б 2Т331 2Т331А1 2Т331Б1 2Т331В1 2Т331Г1 2Т331Д1 2Т338А-2 2Т354А-2 2Т355А 2Т360А-1 2Т360Б-1 2Т360В-1 2Т363 2Т363А 2Т363А 2Т363А 2Т363Б 2Т363Б 2Т363Б 2Т363Б 2Т364 2Т364А-2 2Т364Б-2 2Т364В-2 2Т368 2Т368А 2Т368А 2Т368Б 2Т368Б 2Т368Б 2Т370 2Т370А-1 2Т370Б-1 2Т371А 2Т371А 2Т372 2Т372А 2Т372А 2Т372А 2Т372Б 2Т372В 2Т372В 2Т372В 2Т373Б 2Т378 2Т378А1-2 2Т378А1-2 2Т378А1-2 2Т378А-2 2Т378Б-1 2Т378Б1-2 2Т378Б1-2 2Т378Б-2 2Т378Б-2Н 2Т381 2Т381А 2Т381Б 2Т381В 2Т381Г 2Т381Д 2Т382А 2Т382А 2Т382Б 2Т384 2Т384-2 2Т384АМ-2 2Т385 2Т385 2Т385АМ-2 2Т388 2Т388А-2 2Т388А-2 «Н» 2Т391 2Т391А-2 2Т391А-2 2Т391Б-2 2Т392 2Т392А-2 2Т392А-2 2Т392А-2 «Н» 2Т396Д-2 2Т397А-2 2Т399А 2Т401А 2Т401Д 2Т504 2Т504А 2Т504А ОСМ 2Т504А-5 2Т504Б 2Т504Б 2Т505А 2Т505А 2Т505А ОСМ 2Т505Б 2Т505Б ОСМ 2Т506 2Т506А 2Т506А 2Т506Б 2Т506Б 2Т506В 2Т509 2Т509А 2Т524Б 2Т532 ОСМ 2Т6 551 2Т602 2Т602 2Т602А 2Т602А 2Т602А (белый) 2Т602А ОС 2Т602Б 2Т602Б 2Т602Б 2Т602Б (белый) 2Т602Б (желтый) 2Т603 2Т603А 2Т603А 2Т603А 2Т603А 2Т603А 2Т603А 2Т603А 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603Б 2Т603В 2Т603В 2Т603В 2Т603В 2Т603Г 2Т603Г 2Т603Г 2Т603Г 2Т603Г 2Т603Г 2Т603И 2Т603И 2Т603И 2Т606 2Т606 2Т606А 2Т606А 2Т606А «ОС» 2Т606В 2Т607 2Т607А-4 2Т608 2Т608А 2Т608А 2Т608А 2Т608А 2Т608А 2Т608А ОС 2Т608Б 2Т608Б 2Т608Б 2Т608Б 2Т608Б 2Т608Б ОС 2Т610 2Т610А 2Т610Б 2Т624 2Т624А-2 2Т624АМ-2 2Т625 2Т625А-2 2Т625АМ-2 2Т625Б-2 2Т629 2Т629А-2 2Т629АМ-2 2Т629АМ-2Н 2Т630А 2Т630А 2Т630А-5 2Т630Б 2Т630Б 2Т630Б 2Т630Б ОС 2Т630В 2Т632 2Т632А 2Т632А 2Т632А ОСМ 2Т633 2Т633А 2Т633А 2Т634 2Т634А-2 2Т634А-2 2Т635 2Т635А 2Т635А 2Т635А 2Т637 2Т637А-2 2Т638 2Т638А 2Т638А 2Т640 2Т640А-2 2Т640А-2 2Т640А-2 «Н» 2Т640Б-2 2Т640В-2 2Т642 2Т642А-2 2Т642А-2 2Т642А-2 2Т642А-2 «Н» 2Т643 2Т643А-2 2Т643А-2 2Т647 2Т647А-2 2Т647А-2 «Н» 2Т648 2Т648А-2 2Т648А-2 2Т653 2Т653А 2Т653А 2Т653Б 2Т657 2Т657А-2 2Т657А-2 2Т658 2Т658А-2 2Т658А-2 2Т658Б-2 2Т658Б-2 2Т658В-2 2Т658В-2 2Т663 2Т663А 2Т663Б 2Т669 2Т669 2Т669А 2Т669А1 2Т670АС 2Т671 2Т671А-2 2Т671А-2 2Т672 2Т672А-2 2Т672А2-2Н 2Т679 2Т682 2Т6821 2Т682А-2 2Т682Б-2 2Т704 2Т704А 2Т704А 2Т704А 2Т704А 2Т704Б 2Т704Б 2Т704В 2Т708 2Т708А 2Т708А 2Т708А ОСМ 2Т708Б 2Т708Б 2Т708Б ОСМ 2Т708В 2Т708В 2Т708В ОСМ 2Т709 2Т709 2Т709А 2Т709Б 2Т709В 2Т713 2Т713А 2Т716 2Т803 2Т803 2Т803А 2Т803А 2Т803А 2Т803А 2Т803А ОС 2Т808 2Т808 2Т808А 2Т808А 2Т808А 2Т808А 2Т808А-2 2Т808И 2Т809 2Т809А 2Т809А 2Т809А 2Т812 2Т812А 2Т812А 2Т812Б 2Т812Б 2Т818 2Т818 2Т818А 2Т818А ОСМ 2Т818Б 2Т818Б 2Т818Б 2Т818Б ОСМ 2Т818В 2Т818В ОСМ 2Т818Г 2Т819 2Т819 2Т819А 2Т819А ОСМ 2Т819Б 2Т819Б ОСМ 2Т819В 2Т819В ОСМ 2Т825 2Т825 2Т825А 2Т825А 2Т825А 2Т825А ОСМ 2Т825Б 2Т825Б 2Т825В 2Т825В 2Т826 2Т826А 2Т826А 2Т826Б 2Т826Б 2Т826В 2Т826В 2Т827 2Т827А 2Т827А 2Т827Б 2Т827Б 2Т827Б 2Т827В 2Т827В 2Т827В 2Т828 2Т828А 2Т828Б 2Т828Б 2Т830 2Т830А 2Т830А 2Т830А 2Т830А-1 2Т830Б 2Т830Б 2Т830Б 2Т830Б-1 2Т830В 2Т830В 2Т830В 2Т830В 2Т830В-1 2Т830Г 2Т830Г 2Т830Г 2Т830Г 2Т830Г-1 2Т831 2Т831А 2Т831А 2Т831А-1 2Т831Б 2Т831Б 2Т831Б-1 2Т831В 2Т831В 2Т831Г 2Т831Г 2Т831Г-1 2Т834 2Т834А 2Т834А 2Т834А ОСМ 2Т834Б 2Т834Б 2Т834Б 2Т834Б ОСМ 2Т834В 2Т834В 2Т836 2Т836А 2Т836А 2Т836А 2Т836Б 2Т836Б 2Т836В 2Т836В 2Т839 2Т839А 2Т839А 2Т841 2Т841 2Т841А 2Т841А 2Т841А1 2Т841Б 2Т841Б 2Т841Б1 2Т842 2Т842 2Т842А 2Т842А 2Т842А1 2Т842Б 2Т842Б 2Т844А 2Т844А 2Т845 2Т845А 2Т845А 2Т847 2Т847А 2Т848А 2Т848А 2Т856 2Т856А 2Т856А 2Т856Б 2Т856Б 2Т856В 2Т856В 2Т860А 2Т861А 2Т862 2Т862А 2Т862Б 2Т862Б 2Т862В 2Т862Г 2Т866 2Т866А 2Т866А 2Т867 2Т867 2Т867А 2Т874 2Т874А 2Т874Б 2Т875 2Т875А 2Т875Г 2Т876 2Т876А 2Т876Б 2Т876В 2Т876Г 2Т877 2Т877А 2Т877Б 2Т877В 2Т878 2Т878А 2Т880 2Т880А 2Т880Б 2Т880В 2Т881 2Т881А 2Т881Б 2Т881В 2Т882 2Т882А 2Т882Б 2Т882В 2Т883 2Т883А 2Т884 2Т884А 2Т884Б 2Т903 2Т903 2Т903А 2Т903А 2Т903Б 2Т903Б 2Т904 2Т904А 2Т904А 2Т904А 2Т904Б 2Т904Б 2Т907 2Т907А 2Т907А 2Т907А 2Т907А 2Т907Б 2Т908 2Т908 2Т908 ОС 2Т908А 2Т908А 2Т908А 2Т908А-2 2Т908А-5 2Т909 2Т909А 2Т909А 2Т909Б 2Т9101АС 2Т9103 2Т9103А-2 2Т9103Б-2 2Т9105 2Т9109 2Т9109А 2Т911 2Т9111 2Т9111А 2Т9113 2Т9113А 2Т9114 2Т9114А 2Т9114Б 2Т9117 2Т9117А 2Т9117Б 2Т9117В 2Т9117Г 2Т9118 2Т9118А 2Т9119 2Т9119А-2 2Т911А 2Т911Б 2Т911Б 2Т911В 2Т912 2Т9122 2Т9122А 2Т9122Б 2Т9123 2Т9123А 2Т9124 2Т9124А 2Т912А 2Т912А 2Т912А 2Т912Б 2Т912Б 2Т913 2Т913А 2Т913А 2Т913Б 2Т913В 2Т913В 2Т914 2Т914 2Т914А 2Т914А 2Т914А 2Т914А 2Т914А ОСМ 2Т916 2Т916А 2Т916Б 2Т918А 2Т918Б 2Т918В 2Т919 2Т919А 2Т919Б 2Т919БМ 2Т919БМ 2Т919В 2Т920 2Т920А 2Т920Б 2Т920Б 2Т920В 2Т921 2Т921 2Т921А 2Т921А 2Т921А 2Т921А-4 2Т921А-4 2Т922 2Т922А 2Т922Б 2Т922Б 2Т922В 2Т922Г 2Т922Д 2Т925 2Т925А 2Т925Б 2Т925Б 2Т925В 2Т925Г 2Т926 2Т926А 2Т926А 2Т926А 2Т926А 2Т928 2Т928А 2Т928Б 2Т929 2Т929А 2Т930 2Т930А 2Т930Б 2Т931 2Т931А 2Т932 2Т932А 2Т932А 2Т932А ОСМ 2Т932Б 2Т932Б 2Т932Б 2Т932Б ОСМ 2Т933 2Т933А 2Т933А 2Т933Б 2Т933Б 2Т934 2Т934А 2Т934А 2Т934А 2Т934Б 2Т934Б 2Т934В 2Т934В 2Т934В 2Т935 2Т935А 2Т937 2Т937А-2 2Т937А-2 «Н» 2Т937Б-2 2Т937Б-2 «Н» 2Т938 2Т938А-2 2Т938А-2 2Т939 2Т939А 2Т939А 2Т941 2Т941 2Т941А 2Т942 2Т942А 2Т942А 2Т942Б 2Т942Б 2Т944 2Т944А 2Т944А 2Т944А 2Т945 2Т945А 2Т945Б 2Т945Б 2Т945В 2Т945В 2Т946 2Т946А 2Т946А ОСМ 2Т947 2Т947А 2Т948 2Т948 2Т948А 2Т948А ОСМ 2Т948Б 2Т948Б 2Т950 2Т950А 2Т950Б 2Т950Б 2Т951 2Т951А 2Т951А 2Т951Б 2Т951Б 2Т951В 2Т951В 2Т955 2Т955А 2Т955А 2Т956 2Т956А 2Т957 2Т957А 2Т957А 2Т958 2Т958А 2Т958А 2Т959А 2Т960А 2Т960А 2Т962 2Т962А 2Т962Б 2Т962В 2Т963 2Т963А-2 2Т963А-2 2Т963Б-2 2Т963Б-2 2Т964 2Т964А 2Т964А 2Т964А 2Т964А ОСМ 2Т965 2Т965А 2Т965А 2Т966 2Т966А 2Т966А 2Т967 2Т967А 2Т967А 2Т968 2Т968А 2Т970 2Т970А 2Т971 2Т974 2Т974А 2Т974А 2Т974Б 2Т974В 2Т975 2Т975А 2Т975А 2Т975Б 2Т976 2Т976А 2Т977 2Т977А 2Т977А 2Т978 2Т978А 2Т978А 2Т978Б 2Т978Б 2Т979 2Т979А 2Т979А 2Т980 2Т980А 2Т980А 2Т981 2Т981А 2Т981А 2Т982 2Т982А-2 2Т982А-2 2Т984 2Т984А 2Т984Б 2Т985АС 2Т986 2Т986А 2Т986А 2Т986Б 2Т986Б 2Т986Б 2Т986В 2Т987 2Т987А 2Т987А 2Т988 2Т988А 2Т988А 2Т988А 2Т989 2Т989А 2Т989А 2Т989Б 2Т989Б 2Т991 2Т991АС 2Т994 2Т994А 2Т995 2Т995-2 2Т995А-2 2Т996 2Т996А-2 2Т996А-2 2Т998 2Т998А 2Т998А 2ТМ103 2ТМ103Б 2ТМ103Б 2ТМ103В 2ТМ103Г 2ТМ103Д 2ТМ104 2ТМ104А 2ТМ104А 2ТМ104Б 2ТМ104Б 2ТМ104В 2ТМ104В 2ТМ104Г 2ТМ104Г 2ТС3103А 2ТС3103Б 2ТС310А 2ТС310Б 2ТС393 2ТС393А 2ТС393А 2ТС393А-1 2ТС393А-1 2ТС393Б 2ТС393Б-1 2ТС393Б-1 2ТС396А-2 2ТС398А 2ТС398А-1 2ТС398Б 2ТС398Б-1 2ТС613 2ТС613А 2ТС613А 2ТС613А 2ТС613Б 2ТС613Б 2ТС613Б 2ТС613Б 2ТС622 2ТС622 2ТС622А 2ТС622А 2ТС622А 2ТС622А1 2ТС622Б1 2ТС848 2ТС848А 2ТС848А 2ТС934Б 3EWN 3EX2 3EX5 3EX7 3П320 3П320А-2 3П320А-2 3П320Б-2 3П320Б-2 3П321 3П321А-2 3П324 3П324А-2 3П324Б-2 3П325 3П325А-2 3П326 3П326А-2 3П326А-2 3П326Б-2 3П328 3П328А-2 3П328А-2 3П330 3П330А-2 3П330А-2 3П331 3П331А-2 3П339 3П343А-5 3П602 3П602А-2 3П602А-2 3П602А-2 «Н» 3П602Б-2 3П602Б-2 3П602Б-2 «Н» 3П602В-2 3П602В-2 3П602В-2 «Н» 3П602Г-2 3П602Г-2 3П602Г-2 «Н» 3П602Д-2 3П603 3П603А-2 3П603А-2 3П603Б-2 3П603Б-2 3П604 3П604А-2 3П604А-2 3П604Б-2 3П604В-2 3П604Г-2 3П910 3П910А-2 3П910А-2 3П910Б-2 3П910Б-2 3П915 3П915А-2 3П915Б-2 41С8 87Х3 MPS3703 SF 129C SF 129C SSY 20B TESLA KF508 TESLA KF517 TESLA KFV18 TESLA KFY18 TESLA KFY46 TESLA KPY18 TIP32 АП320 АП320А-2 АП320А-2 АП320Б-2 АП320Б-2 АП331А-2 АП343А-2 АП602 АП602А-2 АП602Б-2 АП602В-2 АП602Г-2 АП602Д-2 БСАР77А ГТ308А ГТ308Б ГТ308В ГТ309А ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г ГТ310Д ГТ310Е ГТ311Е ГТ311Ж ГТ311И ГТ313А ГТ313Б ГТ320А ГТ320Б ГТ320В ГТ321Д ГТ328 ГТ329Б ГТ329В ГТ338 ГТ338В ГТ341 ГТ341А ГТ341А ГТ341Б ГТ341Б ГТ341В ГТ341В ГТ346 ГТ346А ГТ346А ГТ346А ГТ346Б ГТ346Б ГТ346В ГТ403 ГТ403А ГТ403Б ГТ403Б ГТ403В ГТ403Г ГТ403Г ГТ403Д ГТ403Е ГТ403Ж ГТ403И ГТ406А ГТ612 ГТ612А ГТ612А ГТ701 ГТ701А ГТ703А ГТ703Б ГТ703В ГТ703Г ГТ703Д ГТ705А ГТ705Б ГТ705В ГТ705Г ГТ705Д ГТ806А ГТ806А ГТ806Б ГТ806В ГТ806Г ГТ806Д ГТ905 ГТ906А ГТ906АМ ГТС609 ГТС609А ГТС609А ГТС609Б ГТС609Б ГТС609В ГТС609В КП103 КП103А КП103Б КП103В КП103Г КП103Д КП103Е КП103Ж КП13Е КП13Ж КП13З КП13И КП13К КП13Л КП13М КП201Е-1 КП301А КП301В КП301Г КП302АМ КП303 КП303А КП303А КП303Б КП303Б КП303В КП303В КП303Г КП303Г КП303Г КП303Д КП303Д КП303Е КП303Е КП303Ж КП303И КП305 КП305Д КП305Е КП305Ж КП305З КП305И КП306 КП306А КП306Б КП306В КП307 КП307А КП307А КП307Б КП307Б КП307В КП307Г КП307Г КП307Д КП307Е КП307Е КП307Ж КП307Ж КП308А-1 КП308В-1 КП308Г-1 КП308Д-1 КП312 КП312А КП312Б КП322 КП322А КП322А КП323 КП323А-2 КП323Б-2 КП327 КП350 КП350А КП350Б КП350В КП601 КП601А КП601А КП601А КП601Б КП601Б КП901 КП901А КП901А КП901Б КП902А КП902Б КП903 КП903А КП903А КП903Б КП903В КП904 КП904А КП904Б КП905 КП905А КП905А КП905Б КП905Б КП905В КП907 КП907А КП907Б КП907В КПС104 КПС104А КПС104Б КПС104В КПС104Г КПС104Д КПС104Е КПС202 КС508 КТ104 КТ104А КТ104А КТ104Б КТ104Б КТ104В КТ104В КТ104Г КТ117 КТ117Т эксп. КТ118А КТ118Б КТ118В КТ120 КТ120А КТ120В КТ201А КТ202 КТ202А КТ202Б КТ202В КТ202Г КТ202Д КТ203 КТ203А КТ203АМ КТ203АМ КТ203Б КТ203БМ КТ203В КТ203ВМ КТ208И КТ208Л КТ209 КТ209А КТ209А КТ209Б КТ209Б КТ209Б КТ209Б КТ209В КТ209В КТ209В КТ209В КТ209Г КТ209Г КТ209Г КТ209Д КТ209Д КТ209Е КТ209Е КТ209Ж КТ209Ж КТ209И КТ209И КТ209К КТ209К КТ209К КТ209Л КТ209Л КТ209М КТ209М КТ214 КТ214А-1 КТ214Б-1 КТ214В-1 КТ214Г-1 КТ214Д-1 КТ214Е-1 КТ215 КТ215 КТ215А-1 КТ215Б-1 КТ215В-1 КТ215Г-1 КТ215Д-1 КТ215Е-1 КТ215Ж-1 КТ215Ж-1 КТ216 КТ216А КТ216Б КТ216В КТ218 КТ218 КТ218А КТ218Б КТ218В КТ218Д КТ218Е КТ3102 КТ3102 КТ3102А КТ3102А КТ3102А КТ3102АМ КТ3102Б КТ3102Б КТ3102Б КТ3102БМ КТ3102БМ КТ3102В КТ3102В КТ3102В КТ3102ВМ КТ3102ВМ КТ3102Г КТ3102Г КТ3102Г КТ3102Г КТ3102ГМ КТ3102Д КТ3102Д КТ3102Д КТ3102ДМ КТ3102ДМ эксп. КТ3102Е КТ3102Е КТ3102Е КТ3102Е КТ3102ЕМ КТ3102ЕМ КТ3102Ж КТ3102М КТ3107 КТ3107А КТ3107А КТ3107А КТ3107А эксп. КТ3107Б КТ3107Б КТ3107Б КТ3107В КТ3107В КТ3107В эксп. КТ3107Г КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Д КТ3107Е КТ3107Е КТ3107Ж КТ3107Ж КТ3107И КТ3107И КТ3107К КТ3107Л КТ3109 КТ3109А КТ3109А КТ3109Б КТ3109Б КТ3109В КТ311 КТ3114 КТ3114Б-6 КТ3114В-6 КТ3115 КТ3115А КТ3115А-2 КТ3115А-2 КТ3115В-2 КТ3115В-2 КТ3115Г-2 КТ3117 КТ3117 КТ3117А КТ3117А1 КТ3117Б КТ3123 КТ3123А-2 КТ3123АМ КТ3123Б-2 КТ3123БМ КТ3123В-2 КТ3123ВМ КТ3126 КТ3126 КТ3126А КТ3126Б КТ3127 КТ3128 КТ3129 КТ3129А КТ3129Б КТ3129В КТ3129Г КТ3129Д КТ312А КТ312А КТ312Б КТ312Б КТ312В КТ313 КТ3130 КТ3130А КТ3130А9 КТ3130Б КТ3130В КТ3130Г КТ3130Д КТ3130Е КТ3132 КТ3132А-2 КТ3132Б-2 КТ3132В-2 КТ3132Г-2 КТ313А КТ313Б КТ313Б КТ313Б КТ3142 КТ3142А КТ3142А КТ315 КТ315 КТ3151 КТ3153 КТ315А КТ315А КТ315А КТ315А КТ315Б КТ315Б КТ315Б КТ315Б эксп. КТ315В КТ315В КТ315В КТ315В троп. КТ315В эксп. КТ315Г КТ315Г КТ315Г КТ315Г КТ315Г троп. КТ315Г эксп. КТ315Д КТ315Д КТ315Д КТ315Е КТ315Е КТ315Ж КТ315Ж КТ315И КТ315И КТ315К КТ315М КТ315Н КТ315Р КТ3165 КТ317 КТ317А КТ317Б КТ317В КТ317Г КТ317Д КТ318А1 КТ321 КТ321А КТ321Б КТ321Б КТ321В КТ321Г КТ321Д КТ321Е КТ326 КТ326 КТ326А КТ326А КТ326А КТ326АМ КТ326АМ КТ326Б КТ326Б КТ326БМ КТ326БМ КТ3313А КТ331А1 КТ331Б1 КТ331В1 КТ331Г1 КТ3342АМ КТ3342ВМ КТ337 КТ337А КТ337А КТ337Б КТ337Б КТ337В КТ337В КТ339 КТ339АМ КТ342 КТ342 КТ342А КТ342А КТ342Б КТ342Б КТ342БМ КТ342В КТ342В КТ342В КТ343 КТ343А КТ343А КТ343Б КТ343Б КТ343В КТ343В КТ343В КТ345 КТ345А КТ345А КТ345Б КТ345Б КТ345В КТ345В КТ347 КТ347А КТ347А КТ347Б КТ347Б КТ347В КТ347В КТ349 КТ349А КТ349А КТ349Б КТ349Б КТ349В КТ349В КТ350 КТ350А КТ350А КТ351 КТ351А КТ351Б КТ351Б КТ352 КТ352А КТ352Б КТ360А1 КТ360А-1 КТ360Б-1 КТ360В-1 КТ361 КТ361А КТ361А КТ361Б КТ361Б КТ361В КТ361В КТ361В троп. КТ361Г КТ361Г КТ361Г КТ361Г троп. КТ361Г эксп. КТ361Д КТ361Д КТ361Д троп. КТ361Е КТ361Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361К КТ363 КТ363 КТ363А КТ363АМ КТ363Б КТ363БМ КТ368 КТ369 КТ369А1-2 КТ369А-2 КТ369А-2 КТ369Б1-2 КТ369Б-2 КТ369Б-2 КТ369В1-2 КТ369В-2 КТ369В-2 КТ369Г1-2 КТ369Г-2 КТ369Г-2 КТ370А1 КТ372 КТ372А КТ372Б КТ372В КТ383АМ КТ383Б КТ384 КТ384АМ2 КТ385 КТ385А-2 КТ388 КТ388Б-2 КТ388БМ-2 КТ391А-2 КТ391Б-2 КТ391В КТ399А КТ501 КТ501А КТ501Б КТ501В КТ501Г КТ501Д КТ501Е КТ501Ж КТ501И КТ501И КТ501К КТ501К КТ501Л КТ501М КТ501М КТ502 КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Д КТ502Д КТ502Е КТ503 КТ503А КТ503А КТ503Б КТ503В КТ503Г КТ503Г КТ503Д КТ503Е КТ503Е КТ504А КТ505 КТ506 КТ506Б КТ509А КТ601 КТ601 КТ601А КТ601АМ КТ602 КТ602А КТ602А КТ602АМ КТ602АМ КТ602Б КТ602Б КТ602БМ КТ603 КТ603А КТ603А КТ603Б КТ603Б КТ603В КТ603Г КТ603Д КТ604 КТ604АМ КТ604АМ КТ604БМ КТ605 КТ606 КТ606А КТ606Б КТ608А КТ608А КТ608Б КТ608Б КТ608Б КТ610 КТ610А КТ610Б КТ611 КТ624 КТ624 КТ624А-2 КТ624АМ-2 КТ625 КТ625АМ-2 КТ626А КТ626А КТ626А КТ626Б КТ626В КТ626В КТ626Г КТ626Г КТ626Д КТ626Д КТ626Д КТ626Д КТ629 КТ629А КТ629А-2 КТ629АМ-2 КТ629АМ-2 КТ630А КТ630А КТ630Б КТ630Б КТ630В КТ630В КТ630Г КТ630Г КТ630Г КТ630Д КТ630Е КТ630Е КТ630И КТ632 КТ632Б КТ634 КТ634Б-2 КТ639 КТ639А КТ639А КТ639А КТ639Б КТ639Б КТ639Б КТ639В КТ639В КТ639Г КТ639Г КТ639Д КТ639Д КТ639Е КТ639Ж КТ639И КТ640 КТ640А КТ640А1-2 КТ640А-2 КТ640Б-2 КТ640В-2 КТ643 КТ643А-2 КТ644 КТ644А КТ644Б КТ644Б КТ644В КТ644Г КТ645 КТ645Б КТ646 КТ646А КТ646Б КТ646Б КТ659А КТ660 КТ660Б КТ661 КТ662 КТ662А КТ683 КТ683А КТ683Б КТ683Б КТ683В КТ683Г КТ683Д КТ683Е КТ704 КТ704А КТ704А КТ704Б КТ704Б КТ704В КТ710 КТ710А КТ715 КТ715А КТ801 КТ801А КТ801А КТ801А троп. КТ801А эксп. КТ801Б КТ801Б КТ801Б КТ801Б троп. КТ801Б эксп. КТ802А КТ803 КТ803А КТ803А КТ803А КТ805 КТ805А КТ805А КТ805А КТ805А КТ805А эксп. КТ805АМ КТ805Б КТ805Б КТ805Б КТ805БМ КТ807А КТ807А КТ807Б КТ807Б КТ808 КТ808 КТ808А КТ808АМ КТ808АМ КТ808БМ КТ808ВМ КТ808ГМ КТ809 КТ809А КТ809А КТ809А КТ812 КТ812А КТ812А КТ812А КТ812Б КТ812Б КТ812Б КТ812В КТ812В КТ812В КТ814 КТ814А КТ814А КТ814Б КТ814Б КТ814Б КТ814В КТ814В КТ814В КТ814Г КТ814Г КТ814Г КТ815 КТ815А КТ815А КТ815Б КТ815Б КТ815Б КТ815В КТ815В КТ815В КТ815В КТ815Г КТ815Г КТ815Г КТ815Г КТ816 КТ816А КТ816А КТ816А КТ816Б КТ816Б КТ816Б КТ816В КТ816В КТ816В КТ816В КТ816Г КТ816Г КТ817 КТ817А КТ817А КТ817А КТ817А КТ817Б КТ817Б КТ817В КТ817В КТ817В КТ817В КТ817Г КТ817Г КТ817Г КТ818АМ КТ818АМ КТ818БМ КТ818БМ КТ818ВМ КТ818ВМ КТ818Г КТ819АМ КТ819БМ КТ819В КТ819В КТ819ВМ КТ820 КТ820А-1 КТ820Б-1 КТ820В-1 КТ821 КТ821А-1 КТ821Б-1 КТ821В-1 КТ822 КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 КТ823 КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 КТ825 КТ825Г КТ825Д КТ825Д КТ826 КТ826А КТ826Б КТ826В КТ827 КТ827А КТ827А КТ827А КТ827Б КТ827Б КТ827Б КТ827В КТ827В КТ828 КТ828А КТ828Б КТ829 КТ829А КТ829А КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829В КТ829В КТ829Г КТ829Г КТ834 КТ834А КТ834А КТ834Б КТ834В КТ834В КТ837Ф КТ838 КТ838А КТ838А КТ839 КТ839А КТ840 КТ840А КТ840А КТ840Б КТ841А КТ844 КТ844А КТ844А КТ845 КТ846 КТ846А КТ846А КТ847 КТ847А КТ847А КТ848 КТ848А КТ857 КТ857А КТ857А КТ858 КТ858А КТ859 КТ859А КТ868 КТ869 КТ872 КТ872А КТ872Б КТ902 КТ902А КТ903 КТ903Б КТ904 КТ904А КТ904А КТ904Б КТ904Б КТ904Б КТ904Б КТ904В КТ907А КТ907Б КТ907В КТ908 КТ908А КТ908А КТ908Б КТ908Б КТ909А КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г КТ909Д КТ909Е КТ9101 КТ9104 КТ9104АС КТ911 КТ9115А КТ912 КТ912А КТ912А КТ912Б КТ912Б КТ913 КТ913А КТ913А КТ913Б КТ913В КТ914 КТ914 КТ914А КТ914А КТ916 КТ916А КТ916Б КТ918 КТ918А-2 КТ919 КТ919А КТ919А КТ919Б КТ919В КТ919Г КТ920 КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г КТ921 КТ921А КТ921А КТ921Б КТ922 КТ922В КТ925 КТ926 КТ926А КТ926А КТ926Б КТ926Б КТ928 КТ928А КТ928Б КТ928В КТ929 КТ929А КТ930 КТ930Б КТ931 КТ931А КТ932 КТ932А КТ932Б КТ932Б КТ932В КТ932В КТ933 КТ933А КТ933А КТ933А КТ933Б КТ934 КТ934А КТ935 КТ935А КТ935А КТ937 КТ937А-2 КТ937А-2 КТ937Б-2 КТ937Б-2 КТ937Б-2 КТ938 КТ938А-2 КТ939 КТ939А КТ939Б КТ940 КТ940А КТ940А КТ940А КТ940Б КТ942 КТ942В КТ942В КТ945Б КТ947 КТ947А КТ948 КТ948А КТ948А КТ948Б КТ948Б КТ955 КТ955А КТ955А КТ956 КТ956А КТ956А КТ957 КТ957А КТ958 КТ958А КТ958А КТ960 КТ960А КТ960А КТ961 КТ961А КТ961А КТ961А КТ961Б КТ961Б КТ961Б эксп. КТ961В КТ961В КТ962 КТ962А КТ962Б КТ962В КТ965 КТ965А КТ965А КТ966 КТ966А КТ966А КТ967 КТ967А КТ967А КТ969 КТ969А КТ969А КТ970 КТ970А КТ971А КТ971АС КТ972 КТ972А КТ972Б КТ973 КТ973А КТ973Б КТ976 КТ976А КТ977 КТ977А КТ977А КТ983 КТ983А КТ983Б КТ983В КТ984А КТ984Б КТ985АС КТ991АС КТ999 КТ999 КТД2А КТД2А КТД2Б КТД7А КТД7А КТД7Б КТС303А-2 КТС303А-2 КТС3103 КТС3103А КТС3103А КТС3103Б КТС3103Б КТС393А1 КТС393А-1 КТС393Б-1 КТС394 КТС394А-2 КТС394А-2 КТС395 КТС395А-2 КТС395А-2 КТС395Б-2 КТС395В-2 КТС395В-2 КТС613А КТС613А КТС613А КТС613Б КТС613Б КТЭ2А КТЭ2А КТЭ2Б КТЭ7А КТЭ7А КТЭ7Б МП101 МП101 МП101 МП101 ОС МП101А МП101Б МП101Б МП102 МП102 МП102 МП102 ОС МП103 МП103 МП103А МП13 МП14 МП15 МП20 МП20 МП20 МП20А МП20Б МП21 МП21 МП21 МП21 МП21А МП21Б МП21В МП21Г МП21Д МП21Е МП26 П210 П210 П210А П210А П210А П210Б П210В П210Ш П210Ш П210Ш П2110А П2110Б П2110В П2110Ш П213 П213 П213 П213 ОС П214 П214 П214 П214 ОС П214А П214Г П215 П215 П215 П215 П216 П216 П216 П216 П216А П216А П217 П217 П217 П217 П217А П217А П217В П217Г П302 П303 П304 П306 П306 П306 П306А П306А П307 П307 П307 П307 ОС П307Б П307В П308 П308 П308 П308 П308Б-1 П308В П309 П309 П309 П401 П402 П402 П403 П403 П403А П411 П416 П416 П416 П416 П416А П416А П416А П416Б П416Б П417 П417 П417А П417Б П422 П422 П423 П423 П504А П505 П605 П605 П605 П605А П605А П605А П605А (вариант 1 с фланцем) П605А троп. (германиевый) П606 П606А П607 П607 П607 П607А П608 П608 П608 П608А П609 П609 П609А П609А П609А П701 П701 П701 П701 П701А П701А П701А П701А ОС П701А эксп. (кремневый) П701Б П701Б П702 П702 П702 ОС П702А П902В

Скупка радиодеталей и радиолома


Раньше, когда миниатюризация ещё не была так развита, в электронных и радиотехнических устройствах и приборах, а так же в бытовой технике использовались транзисторы. Транзисторы бывают в круглых, плоских, металлических и даже в пластмассовых корпусах. Из драгоценных металлов чаще всего транзисторы содержат золото, серебро, палладий и иногда — платину.

Транзисторы легко распознать по наличию у них трех ножек. Наибольшее количество драгоценных металлов, содержащихся в транзисторах, можно найти в советской вычислительной технике, а так же в разработках предприятий военно-промышленного комплекса СССР.

Транзисторы: рекомендации по разборке:

Не секрет что желтое покрытие на транзисторах и микросхемах советского производства — это позолота. В разные года толщина покрытия колебалась от одного до пяти микрон, поэтому детали выпущенные до 90 года имеют более толстый слой покрытия, чем те которые выпускались позже отсюда и разница в цене.

При разборке плат желтые транзисторы и микросхемы лучше выпаивать. Способ может быть любой: строительным феном, паяльником, на электроплитке или горелкой. Главное — сохранить в целости выводы (ножки). Чем длиннее выводы, тем выше цена за транзистор или микросхему.

Транзисторы и микросхемы без выводов считаются дешевле (т.к. значимая часть золота находиться на выводах). По этой же причине новые детали с желтым покрытием всегда дороже (выводы не обрезаны). Если нет возможности выпаивать детали, наши специалисты посчитают детали на платах. Если у вас большое количество плат, радиодеталей и нет возможности привезти их к нам на приемный пункт, тогда мы можем приехать к вам и на месте оценить детали и рассчитаться.

О выезде звоните по тел.: 8-937-266-19-99.

Мы принимаем транзисторы с драгметаллами:

НаименованиеФото
КТ 201, 203, 305, 118 КП 301Прайс

КТ 312, 301, 306 желтыеПрайс

КТ 601, 603, 608 желтыеПрайс

КТ 602, 604 желтыеПрайс

КТ 630, 830, 631, 831Прайс

КПС 104, АОТ, АОД, АОУПрайс

КТ 301, 306, 312, 313 белыеПрайс

ГТ 311, 316 желтыеПрайс

КТ 308, П307, 308, 309 белыеПрайс

КТ 602, 604 белыеПрайс

КТ 610, 913, КТ 939Прайс

КТ 909Прайс

КТ 930, 958Прайс

КТ 912, 947, КП 904Прайс

КТ 935, 704, 926Прайс

КТ 911, 920, 922, 930, 931, 950Прайс

КТ 904, 907 желтыеПрайс

КТ 606 белыйПрайс

КП 901, 903 желтое кольцоПрайс

КТ 802, 803, 808, 809, 908, 812Прайс

КТ 815, 816, 817, 639, 611Прайс

Транзисторы производства стран СЭВПрайс

КТ 3117, 645, 368, 3126, 3102Прайс

КТ 315, 361Прайс

Какие драгметаллы присутствуют в старых транзисторах?

Казалось бы, что золото благодаря своему яркому желтому цвету должно использоваться только в ювелирном деле. Но на самом деле этот металл является идеальным проводником, поэтому этот ценный металл часто добавляли в различные электронные детали, которые придавали работе любого оборудования надежность.

Продать транзисторы

Сейчас тоже используются драгоценные металлы, как золото и платину при изготовлении электроники, но в куда меньшем количестве. Все благодаря тому, что сейчас используется очень современная технология плазменного напыления металлов на различные материалы, что дает возможность использовать нанограммы драгоценных металлов, а не граммы, как это было в советскую эпоху. Не стоит забывать, что драгметаллы в транзисторах присутствуют в большом количестве и нужно лишь знать наиболее богатые золотом и платиной марки транзисторов, чтобы можно было получить наибольшую финансовую выгоду.

Какие драгметаллы есть в транзисторах

Больше всего в старых советских транзисторах, естественно, серебра. Этот металл, как и золото, является идеальным проводником электрического сигнала, и при этом стоит намного дешевле золота. В отличие от олова серебряные и золотые контакты служат много дольше и очень долго не окисляются. Медь и олово имеют ограниченную службу и электротехника, в которых используются оловянные и медные контакты и припои, служат намного меньше той, в которой применяются драгоценные металлы.

Именно поэтому золота и серебра в советских транзисторах не просто много, а очень много. Например, в таком распространенном транзисторе советского периода, как КТ202Г золота почти один грамм – 0,88 г, но при этом ни серебра, ни платины в нем вообще нет. Естественно, что драгметаллы в транзисторах находятся в чистом виде, но не во всех они имеют большую концентрацию.

Продать транзисторы

Туннельные транзисторы Graphene Klein для высокоскоростных аналоговых ВЧ-приложений

, # 1 , # 1 , 1 , 1, 2 , 1 и

Яохуа Тан

1 Кафедра электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

Мирза М. Элахи

1 Кафедра электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

Хан-Ю Цао

1 Департамент электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилл, Вирджиния 22904 США

K.М. Масум Хабиб

1 Кафедра электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

2 Intel Corp., Санта-Клара, Калифорния 95054 США

Н. Скотт Баркер

1 Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

Авик В. Гош

1 Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

1 Департамент электротехники и вычислительной техники, Университет Вирджинии, Шарлоттсвилль, Вирджиния 22904 США

2 Intel Corp., Санта-Клара, Калифорния 95054 США

Автор, ответственный за переписку.

# Распространяется поровну.

Поступило 06.06.2017; Принято 7 августа 2017 г.

Открытый доступ Эта статья находится под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License, которая разрешает использование, совместное использование, адаптацию, распространение и воспроизведение на любом носителе или любом формате при условии, что вы надлежащим образом укажете автора (авторов) и источник, укажите ссылку на лицензию Creative Commons и укажите, были ли внесены изменения.Изображения или другие материалы третьих лиц в этой статье включены в лицензию Creative Commons для статьи, если иное не указано в кредитной линии для материала. Если материал не включен в лицензию Creative Commons для статьи и ваше предполагаемое использование не разрешено законодательными актами или превышает разрешенное использование, вам необходимо получить разрешение непосредственно от правообладателя. Чтобы просмотреть копию этой лицензии, посетите http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/. Эта статья цитируется в других статьях PMC.

Abstract

Мы предлагаем туннельные транзисторы Graphene Klein (GKTFET) как способ обеспечить насыщение по току при сохранении высокой мобильности для высокоскоростных радиочастот (RF) приложений. GKTFET состоит из последовательности угловых p-n-переходов графена (GPNJ). Туннелирование Клейна создает коллимацию электронов через каждый GPNJ, так что отсутствие существенного перекрытия между лепестками передачи через последовательные переходы создает регулируемый затвор транспортный зазор без значительного ухудшения текущего тока.Рассеяние электронов на краю устройства приводит к попаданию паразитных состояний в зазор, но результирующая псевдощель все еще достаточна для создания насыщенного выхода ( I D В D ) характеристикой и высоким выходным сопротивлением. Модулированная плотность состояний создает более высокую крутизну ( г м ) и частоту отсечки единичного тока ( f T ), чем GFET.Более того, высокое выходное сопротивление делает частоту отсечки единичного усиления мощности ( f max ) GKTFET значительно больше, чем GFET, что делает аналоговый GKTFET потенциально полезным для РЧ электроники. Наша оценка показывает f T / f max GKTFET с каналом 1 μ м достигает 33 ГГц / 17 ГГц и масштабируется до 350 ГГц / 53 ГГц для канала 100 нм (при условии наличия одного масштабируемого трапециевидного затвора).Модель f max GKTFET в 10 раз больше, чем GFET с той же длиной канала.

Введение

Устройства на основе графена давно обещали захватывающие применения, от межсоединений и прозрачных электродов до датчиков газа. Однако их отсутствие зазоров ставит под угрозу нашу способность использовать эти устройства как эффективные электронные переключатели. Например, графен является многообещающим канальным материалом для радиочастотных (RF) приложений 1 4 из-за присущей ему высокой подвижности носителей и большой длины свободного пробега 5 8 .Фактически, графеновые ВЧ-устройства достигают f T более 300 ГГц для каналов менее 100 нм 9 , 10 . Однако отсутствие зазора графена снижает его выходное сопротивление из-за отсутствия какого-либо насыщения по току. Следовательно, частота среза коэффициента усиления f max большинство заявленных GFET намного ниже, чем их f T , и не масштабируется с длиной канала 1 3 (рис.) из-за немасштабируемости доминирующих контактных сопротивлений.

Частоты среза для GFET и GKTFET. ( a ) f T и f макс для GFET. Модель f max GFET значительно меньше f T из-за малого r из ( b ) f T и f макс для GKTFET. f T и f max GKTFET достигают своего максимума в области насыщения, которая находится в диапазоне от 0,1 В до 0,3 В. Из-за высокого выходного сопротивления max f max в GKTFET составляет около 50% от максимального f T ( c ) f T в зависимости от длины канала GKTFET по сравнению с зарегистрированными GFET. ( d ) f макс vs.длина канала GKTFET по сравнению с заявленными GFET. Данные GFET взяты из ссылок 10 , 11 , 34 и 40 42 . Сообщается f T сек GFET примерно обратно пропорциональны длине канала, в то время как f max s не демонстрируют эту тенденцию из-за низкого выходного сопротивления. Для идеально масштабированного GKTFET с длиной канала 100 нм, f T , как ожидается, достигнет 350 ГГц (показано красным крестом в ( c )), что сопоставимо с максимальным сообщенным значением f T сек в GFET (упомянутых на рисунке).Масштабирование f макс. из GKTFET следует за L −0,5 в идеале. Для GKTFET с каналом 100 нм f max ожидается 53 ГГц, и даже высокий f max = 158 ГГц можно ожидать, если для уменьшения сопротивления затвора используется метод T-gate (оба показаны красным крестиком на ( d )).

Усилия по улучшению f max GFETs были сосредоточены на уменьшении входного сопротивления и введении насыщения по току.Недавняя работа Guo и др. . 11 показал улучшенный f max в GFET за счет значительного уменьшения сопротивления затвора с помощью Т-образного затвора. Чтобы получить насыщение тока в GFET, в графене в принципе можно ввести запрещенную зону по энергии, например, применив деформацию нарушения симметрии 12 или используя квантовое ограничение в графеновых нанолентах и ​​нанотрубках 13 . Кроме того, процесс рассеяния в длинном канале графена может также привести к естественному насыщению тока 14 .Однако эти механизмы открытия запрещенной зоны значительно снижают подвижность несущих из-за искаженной структуры полосы или рассеяния несущих 15 . Таким образом, метод, который создает транспортный зазор в графене без ухудшения подвижности носителей 16 , 17 , был бы совершенно уникальным и очень желательным для приложений RF на основе графена.

В нескольких прошлых публикациях мы предложили альтернативный способ введения зазоров в графен путем использования p-n-переходов в качестве пар коллиматор-фильтр.GPNJ — это импульсный фильтр, зависящий от угла, управляемый туннелированием Клейна дираковских электронов 18 22 . В результате GPNJ создает регулируемые затвором промежутки передачи вместо энергетических промежутков, так что состояния доступны для проводимости во включенном состоянии, но удаляются для выключенного состояния. Физика, лежащая в основе туннелирования Клейна в наклонном GPNJ, была продемонстрирована не только экспериментами 23 , но и теоретическими расчетами с использованием квазианалитической модели 17 , численных моделей с использованием полуклассической трассировки лучей 24 , и полностью квантовый NEGF 17 .В прошлом во многих работах предлагалось использовать GKTFET в качестве цифрового переключателя 16 , 17 , 25 , 26 . Первоначальные расчеты 16 , рассматривая угловые переходы как независимые передатчики, оценили сверхвысокие отношения включения-выключения, превышающие 10 4 , в то время как возможность настройки затвора транспортного зазора предсказывала подпороговое колебание, которое превышает фундаментальный предел Больцмана. Однако на практике соотношение ВКЛ-ВЫКЛ этих устройств, как видно, скомпрометировано из-за повторяющегося импульсного рассеяния отклоненных электронов на краях устройства, которое обычно перенаправляет состояния утечки в передаточный промежуток и ограничивает экспериментально измеренное отношение ВКЛ-ВЫКЛ любым значением между 1.3 27 -12. Другими словами, предсказанный промежуток легко превращается в псевдощель из-за паразитных событий рассеяния.

В этой работе мы предлагаем использовать псевдощель в полевых транзисторах GKTFET для ВЧ-приложений, чтобы преодолеть отсутствие насыщения по току в традиционных полевых транзисторах GFET. Чтобы понять характеристики полевых транзисторов GKTFET, мы выполнили полуклассические расчеты трассировки лучей в сочетании с аналитическими моделями туннелирования Клейна для моделирования переноса электронов в полевых транзисторах GKTFET 28 .Критические параметры устройства для данной геометрии извлекаются из электростатических расчетов методом конечных элементов, чтобы оценить частоты отсечки. Согласно нашим расчетам, мы утверждаем, что даже псевдощели достаточно, чтобы GKTFET имели четкое насыщение по току 24 и значительно большее выходное сопротивление r 0 , чем обычные GFET, фактически превышающие их контактные сопротивления. При этом мобильность в GKTFET существенно не ухудшается, потому что промежуток передачи доминирует только в выключенном состоянии и остается достаточно малым в состоянии включения, чтобы все еще допускать насыщение.Мы ожидаем, что GKTFET может достичь f T 33 ГГц в канальном устройстве 1 мкм м и масштабирование до 350 ГГц при длине канала 100 нм при идеальном масштабировании с одним затвором. Модель f max GKTFET может достигать 17 ГГц в устройстве с каналом 1 μ м и 53 ГГц на длине 100 нм, что более чем в 10 раз выше, чем у GFET при сопоставимой длине канала. Высшее ф max 49 ГГц (1 μ, м) и 158 ГГц (100 нм) могут быть достигнуты, если сопротивление затвора GKTFET может быть значительно уменьшено за счет уменьшения входного сопротивления затвора, например, с T-Gate.

Методы

Туннелирование Клейна через p-n-переход графена обусловлено сохранением псевдоспина, который, в свою очередь, задается фазовой когерентной суперпозицией базисных наборов димеров p z . GPNJ действует как эффективный импульсный фильтр, пропускающий электроны, инжектируемые перпендикулярно переходу, независимо от высоты барьера на переходе. GPNJ с градиентным потенциалом перехода дополнительно агрессивно фильтрует ненормальные электроны, поскольку эти электроны видят туннельный барьер, зависящий от угла, аналогичный режимам отсечки в прямоугольном волноводе 28 , 30 .Устройство, рассматриваемое в этой работе, содержит два соединенных спина к спине GPNJ, управляемых двумя затворами, включая трапециевидный затвор и задний затвор, как показано на рис. GPNJ справа имеет угол наклона δ (= π / 4) по отношению к левому 17 . В выключенном состоянии в канале формируются области n-p-n путем применения надлежащего смещения затвора. Эти два соединенных друг с другом p-n перехода вместе отключают ток. Левый GPNJ служит коллиматором, который блокирует большинство входящих электронов, за исключением тех, которые падают перпендикулярно ему; второй наклонный GPNJ дополнительно блокирует электроны, выходящие из коллиматора, позволяя, в свою очередь, проходить только электронам, перпендикулярным себе.Таким образом, состояние выключения достигается за счет последовательной фильтрации импульса, когда угол второго перехода превышает критический угол в первом переходе. Средняя длина ворот, рассматриваемая в данной работе, составляет 1 мкм м с разделенной длиной d 1,2 = 80 нм. В этой статье мы предполагаем оксид затвора с эквивалентной толщиной SiO 2 5 нм (EOT = 5 нм). Во включенном состоянии три области графенового канала сохраняются как n-n -n, поэтому угловая фильтрация электронов в окне Ферми между мкм отсутствует. S и мкм D для низкого В ДС .Фильтрация существует для части энергетического окна (зазор передачи, показанный на рис.), Который действует при высоком напряжении В ДС . Небольшой зазор передачи существует из-за небольшого дифференциального легирования (n-n ). Это приводит к насыщению тока во включенном состоянии. В выключенном состоянии мы меняем полярность центрального затвора на n-p-n, где зазор существенно увеличивается, а ток падает.

Туннельный полевой транзистор Клейна на основе двойных наклонных графеновых p-n-переходов (GPNJ).( a ) Трехмерная схема. Сначала SiO 2 выращивают поверх Si-затвора, затем осаждают / штампуют клиновидный затвор из поликремния / графита (местный). Чешуйку графена помещают между hBN и затем переносят поверх SiO 2 , чтобы обеспечить получение графена высокого качества 7 . ( b ) Вид сверху. Гейт (местный) контролирует концентрацию заряда в центральной зеленой области. В состоянии ВЫКЛЮЧЕНО (n-p-n) формируются два смежных GPNJ. Левый GPNJ действует как коллиматор, а правый GPNJ действует как фильтр.Во включенном состоянии (n-n -n) GPNJ справа наклонен на угол δ = 45 относительно левого. Здесь мы аппроксимировали изменение профиля потенциала линейно на стыке 29 . В данной работе устройство имеет среднюю длину ворот ( L 1 + л 2 ) / 2 = 1 мкм м ( L 1 = 1,5 мкм м, L 2 = 0,5 мкм м) и шириной W = 1 мкм м.Диэлектрик затвора эквивалентен 5 нм SiO 2 (EOT = 5 нм). ( c ) Вид сбоку для электростатического легирования затвором. ( d ) Вид сбоку для случая химического допинга, когда задний ход не требуется для контроля областей, кроме тех, которые закрыты местными воротами. Существенная часть устройства показана в пунктирной рамке, где эффект туннелирования Клейна около GPNJ доминирует в ( b , c , d ). ( e ) Схема смещения затвора для состояний ВКЛ и ВЫКЛ.Серая область соответствует диапазону энергий пропускающей способности во включенном состоянии. ( f ) Эквивалентная схема слабого сигнала.

Электропроводность и выходные характеристики. ( a ) Электропроводность для GFET (в открытом состоянии). G ( E ) ∝ | E | соответствует конусообразной полосовой структуре Дирака чистого образца (штрих) и G (E) ∝E2 + 2σ2 / π в грязном образце (твердый) 35 . ( b ) Электропроводность для GKTFET (в открытом состоянии).В отличие от GFET в ( a ) наблюдается явный разрыв передачи. G ( E ) в передаточном зазоре немного отличен от нуля из-за отражения от края даже с идеальной кромкой. Добавление шероховатости кромки создает больше состояний внутри зазора передачи. ( c ) I DS по сравнению с В DS для GFET. I DS в образце грязного графена (твердый) является линейной функцией V DS , тогда как чистый образец графена (штрих) показывает насыщение в одной точке.( d ) I DS по сравнению с В DS для GKTFET. GKTFET показывает очевидное текущее насыщение в обоих случаях с (сплошной) и без (штриховой) шероховатостью кромки. Из-за шероховатости кромки он показывает немного больший наклон в области насыщения, что, в свою очередь, уменьшает r из из-за приращения состояний внутри промежутка передачи. Напряжения затвора рассчитываются с учетом квантовой емкости, где 0.3 В, 0,2 В и 0,1 В падают в канале соответственно для напряжений затвора, упомянутых в ( c ) и ( d ).

Следует отметить, что предлагаемый здесь GKTFET разработан для подтверждения правильности концепции. На практике необходимо оптимизировать геометрию с учетом технологии изготовления, учитывая различные подходы, такие как электрическое стробирование (рис.) Или контактно-индуцированное легирование 31 / химическое легирование (рис.) 32 , 33 для создания боковых стробированных областей (синие n-легированные области на рис.). Согласно нашим расчетам электростатики методом конечных элементов с использованием Ansoft Maxwell, боковой затвор на (рис.) На конце стока (задний затвор) создает большую паразитную емкость. Эта дополнительная емкость может поставить под угрозу частоты среза, если он подключен к земле напрямую по переменному току. Следует проявлять особую осторожность, чтобы избавиться от эффекта этой емкости, как мы обсудим позже в этой статье. По сравнению с электростатическим боковым легированием затвора, химическое легирование, показанное на рис. 4, не страдает от этих больших емкостей затвора.Однако химически легированный графен имеет более низкую подвижность носителей. На рис. 1 показано предлагаемое устройство с заглубленными воротами, которое послужило основой для расчетов в данной статье; однако стоит обратить внимание на альтернативные геометрические формы, такие как верхние ворота 11 , 34 , с соответствующими конструктивными компромиссами.

В предлагаемом нами устройстве полный ток I DS через GKTFET можно оценить по уравнению Ландауэра.

IDS = 2qh∫TavM [f (мкСм) -f (мкД)] dE

1

где M — количество мод, T av — их усредненное по модам пропускание, q — заряд электрона, h — постоянная Планка, f — распределение Ферми-Дирака и μ S , D — разделенные смещением электрохимические потенциалы в истоке и стоке.Коробка передач усредненная по модам T ср и количество мод M при энергии E контролируются перепадами потенциала на канале V GS . Результирующая крутизна г m можно записать как

gm = ∂IDS∂VGS∝∫∂ (TavM) ∂VGS [f (μS) −f (μD)] dE

2

Во включенном состоянии GKTFET имеет небольшой зазор передачи вокруг точки Дирака, так что его подвижность г и m , как ожидается, будет напоминать безупречный GFET с такими же размерами.Однако наличие зазора передачи вызовет насыщение тока, когда электрохимический потенциал стока μ D перемещается к точке Дирака и входит в зазор передачи. В отличие от g m сверхчистых полевых транзисторов имеет только одну точку насыщения точно тогда, когда μ D достигает точки Дирака, поскольку в чистом графене нет зазора. Эту особенность можно увидеть позже на рис.. Выходное сопротивление р из можно оценить как

r0 = ∂VDS∂IDS∝ (∫MTav∂f (μD) ∂μdE) −1.

4

Крутизна ( г м ) и выходное сопротивление ( r из ) для GFET и GKTFET. ( a ) г м по сравнению с В DS в GFET для грязного (твердого) и чистого (штрихового) образца, где г м находится между 0.От 5 до 1,5 мСм / мкм м в точках насыщения. ( b ) г м по сравнению с В DS в GKTFET с (сплошной) и без (сплошной) шероховатостью кромки, где влияние шероховатости кромки незначительно на г м . ( c ) r из по сравнению с В DS в GFET для грязного (твердого) и чистого (штрихового) образца, где r из оказывается около 0.1 кОм — мкм м для грязного образца. ( г ) г из по сравнению с В DS из GKTFET с (сплошной) и без (сплошной) шероховатостью кромки. Хотя r out в GKTFET уменьшается с 10–100 кОм — мкм м примерно до 1 кОм — мкм м из-за шероховатости кромки, но в обоих случаях выходного сопротивления ( r из ) больше, чем для GFET в (c) с использованием промежутка передачи.

Из формулы ( 4 ) видно, что выходное сопротивление зависит от мод внутри запрещенной зоны в квазибаллистическом пределе. Идеальная запрещенная зона в принципе приводит к бесконечному выходному сопротивлению, потому что MT av = 0 в зазоре, в то время как любые состояния внутри зазора из-за дефектов (таких как рассеяние, дефекты) приведут к конечному выходному сопротивлению. В предлагаемых нами устройствах выходное сопротивление ограничивается в первую очередь краевым отражением и рассеянием носителей.

В этой работе мы моделируем GKTFET с использованием полуклассического метода трассировки лучей в сочетании с аналитическими уравнениями для кирального туннелирования через переходы 28 . Стандартные квантовые методы переноса, такие как формализм неравновесной функции Грина (NEGF) 35 , 36 , являются довольно дорогими в вычислительном отношении для GKTFET с размерами от нескольких сотен нанометров до микрометров и, кроме того, вызывают паразитные помехи. эффекты, которые не имеют значения при комнатной температуре.Напротив, метод трассировки лучей 37 39 в сочетании с хорошо протестированной моделью квантового туннелирования через переходы может быть легко применен к устройствам с высоким напряжением смещения с большими площадями и сложной геометрией, включая последовательность многократных отражений. , и показал отличное согласие с недавними экспериментами на GPNJ 28 . В нашем подходе электроны выбрасываются из источника случайным образом с углами инжекции в соответствии с косинусным распределением (угловое распределение квантованных поперечных волновых векторов).Средняя трансмиссия ( Т av ) через переходы затем рассчитывается путем подсчета электронов, которые успешно достигают стока. Аналитическая вероятность прохождения каждого электрона через переход представляет собой простое обобщение гауссовой фильтрации T e π k F ( d /2) s i n 2 θ установлено в исх. 30 и расширен до асимметрично легированного перехода 17 . Здесь d — это разделенная длина перехода, θ — угол падения электрона и k F — вектор Ферми с обеих сторон.

В наших расчетах мы рассматривали случаи GPNJ с идеальными краями, а также с грубыми краями. На рисунке показано интегрированное пропускание (а) объемного графена и (б) GKTFET, как для чистого, так и длягрязный образец (лужи шихты на насыпь и шероховатость кромок для ГКТ). Мы видим, что чистый графен не имеет запрещенной зоны и его плотность состояний D ( E ) ∝ | E | для чистого образца, в то время как D (E) ∝E2 + 2σ2 / π для грязного образца 35 , где σ2≈2ℏ2vF2nimp + C описывает вклад зарядовых луж в размывании точки Дирака посредством пространственного усреднения. Мы используем типичную плотность примеси в грязном образце с n i m p = 1 × 10 2 см −2 в этой работе 35 .В отличие от GFET, GKTFET имеют четкий промежуток передачи, как показано на рис. Действительно, в промежутке передачи появляется очень мало мод. Эти состояния промежутка возникают из-за отражения электронов от края, отклоненных вторым переходом, процесса, который перенаправляет их в сторону стока. В конечном итоге эти состояния вносят вклад в ток утечки в выключенном состоянии и приводят к конечному значению r из . Наши расчеты показывают, что идеальные кромки в GKTFET могут снизить ток утечки в 20-40 раз по сравнению с GKTFET с шероховатыми кромками в устройстве шириной 1 мкм и м.В нашем расчете шероховатость кромки вносит случайный угол отражения с дисперсией σ = 18 .

Результаты

На рисунке показан I DS В DS Характеристики GFET и GKTFET. В каждом случае пунктирные линии относятся к чистым образцам, а сплошные линии — к дефектам. Хорошо видно, что сверхчистый GFET показывает I DS В DS с одноточечным насыщением, в то время как GFET с грязным образцом показывает квазилинейный I DS В DS из-за пространственного усреднения, размывающего точку Дирака.Напротив, полевые транзисторы GKTFET как с идеальными, так и с шероховатыми краями демонстрируют явное насыщение по току из-за наличия псевдощели. Шероховатости в GKTFET приводят лишь к незначительно меньшему r из из-за увеличения MT av в зазоре передачи, что можно понять с помощью ур. ( 4 ).

На рисунке показана модель г м и r из GFET и GKTFET. г м GFET достигают от 0,5 до 1,5 мСм / мкм м мкм м (каждая закрытая область имеет длину 1 мкм м в нашем моделировании с линейной длиной перехода 80 нм (длина разделения, d) каждая) , а у GKTFET чуть больше г м от 1 до 2 мСм / мкм м. Однако выходная характеристика оказывается более впечатляющей, чем передаточная характеристика. GFET показывает очень низкий r из из 0.1 кОм — мкм м для грязных образцов и только около r o u t ∼ 0,3 кОм — мкм м для чистых образцов при насыщении В DS для всех смещений затвора, быстрое падение для других В DS значений. При нулевой температуре ∂f (μ2) ∂μ2 = δ (E − μ2) в уравнении ( 4 ), r o u t = as M T a v = 0 в точке Дирака.При конечной температуре r из падает до конечного значения, потому что ∂f (μ2) ∂μ2 имеет ненулевой разброс kT . По сравнению с GFET, GKTFET показывает намного более высокие r из 1 кОм — мкм м даже с шероховатостью кромки. GKTFET с идеальными краями показывает еще больше r из значений, которые могут достигать 50-100 кОм — мкм м. Кроме того, область насыщения соответствует напряжению В и . DS в диапазоне 0.От 1 до 0,3 В вместо насыщения по одной точке.

Для оценки свойств РФ, таких как f T и f max ВЧ устройств на основе графена рассмотрим эквивалентную схему для сигналов переменного тока, показанную на рис. Эта структура предполагает, что преобладающая емкость исходит от центрального затвора, который колеблется между полярностями p и n, в то время как боковые стробированные области имеют более низкую емкость (мы обсудим этот момент позже в статье). Для этой эквивалентной схемы f T и f max можно оценить по 43 .

fT = gm2π (Cgs + Cgd) 1 [1 + g0 (RS + RD)] 2- (g0RS) 2

5

с г 0 = г d s + g m [ C g d / ( C g s + C g d )] и

fmax = fT2RG + RSrds + 2πfTRGCgd.

6

Для иллюстрации влияния на f T и f макс из улучшенной г м и r из GKTFET по сравнению с GFET, мы используем C GS = 6.9 пФ / мм, C gd = 0,7 пФ / мм и R G = 1 кОм — мкм м для обоих транзисторов. Однако стоит еще раз подчеркнуть, что параметры сильно зависят от геометрии устройства, например, C gd GKTFET на рис. Фактически пренебрежимо мало при электростатическом расчете методом конечных элементов с использованием Ansoft Maxwell. Соответственно, мы выбираем экспериментально достижимое соотношение C г / C GS = 0.1 11 в следующих расчетах f T и f макс . Следует отметить, что наши расчеты для f T и f макс с малым C gd действительны только для области насыщения.

На рисунке показано пиковое значение f T и f макс GFET и GKTFET.Модель f T достигает частот от 9,3 до 29,3 ГГц в GFET с длиной канала L канал = 1 мкм м (лучшее контактное сопротивление и меньшее C gd дает более высокий f Т ). Известно, что модель f T в чистых полевых транзисторах обратно пропорционально L канал 43 9000 3.Соответственно, длина канала 100 нм приводит к ожидаемому максимуму f T = от 100 до 300 ГГц для обычного GFET, что согласуется с опубликованной литературой 10 , 11 , 34 , 40 42 . Модель f max GFET достигает только 1,3 ГГц, то есть 14% от f T из-за небольшого выходного сопротивления. По сравнению с идеальным случаем, где R S / D = 0, f макс. GFET с большим R S / D = 0.1 кОм — μ м уменьшается на 5%, а пик f T уменьшено на 69%.

По сравнению с GFET, f T GKTFET больше за счет большего г m , возникающие из-за открытия транспортного зазора и результирующего изменения плотности состояний в конечном температурном окне. Более заметно, что f макс и f макс / f T отношения в GKTFET значительно выше из-за текущего насыщения, возникающего из-за спроектированной псевдощели.На рисунке показано, что GKTFET с длиной канала 1 μ м достигает f T 31 ГГц и f макс из 17 ГГц. Модель f max в 13 раз больше, чем у GFET. Кроме того, сопротивление контакта оказывает гораздо более слабое влияние на f . T в GKTFET — фактически 0,1 кОм — мкм м R S и R D уменьшает f T всего на ~ 10–20%.Удар R S и R D до f T как в GFET, так и в GKTFET определяется коэффициентом g DS ( R ) S + R D ), г DS = 1/ r из , как мы видим в знаменателе уравнения ( 5 ).Большое выходное сопротивление r из GKTFET ослабляет влияние R S и R D на f Т . На рис. Также показан объектив f . T и f макс в пределах C gd = 0 пунктирными линиями. Видно, что маленький C gd приводит к увеличению на 30% макс. f T и увеличение на 10% макс. f макс .

Обсуждение

Мы показали, что GKTFET длиной 1 мкм и длиной м показывает намного лучше r из и частоты среза f max , чем GFET, из-за зазора передачи, спроектированного из чистого графена с использованием геометрии затвора. Идеальные края в GKTFET еще больше уменьшили бы плотность состояний утечки в зазоре передачи, что привело бы к увеличению f из и f макс .Малые контактные сопротивления R S / R D также оказывают значительное влияние на частоту среза f T , поскольку они конкурируют с r из . По сравнению с GFET, f T GKTFET менее чувствителен к R S и R D из-за большего r из .

Паразитные емкости C gd и сопротивление затвора R G являются критическими параметрами устройства и существенно влияют на f T и f макс . Модель C gd и R G сильно зависят от реальной конструкции и геометрии транзистора. Например, в недавних экспериментах использовался Т-образный затвор для уменьшения R G резко подняться f макс в полевых транзисторах 11 .Простое включение большого бокового затвора создало бы большую паразитную емкость переменного тока, подключенного к земле. Чтобы смягчить это, нам нужно будет привязать третий затвор к стоку с постоянным смещением смещения или включить индуктор между ними, чтобы отфильтровать высокочастотные сигналы переменного тока. Более удобным выбором было бы химическое легирование двух концевых областей и работа только с трапециевидной центральной закрытой областью.

В то время как наши симуляции были выполнены для 1 мкм м, конечное преимущество GKTFET для высокопроизводительных ВЧ-транзисторов зависит от его общей масштабируемости, поскольку C gs и RG − 1 пропорциональны длине канала.В GKTFET ширина и длина затвора связаны, так как мы использовали наклонный переход 45 . Мы показываем f T и f max GKTFET и GFET на рис. В идеале f T и f max следуют fT∝Cgs − 1∝L − 1 и fmax∝Cgs − 1RG − 0.5∝L − 0.5. Ожидается, что масштабирование длины затвора GKTFET с 1 мкм м до 100 нм увеличит f T и f макс на 10 и 3.2 раза соответственно, как показано пунктирными линиями. В отличие от f max GFET не масштабируются с длиной канала из-за низкого выходного сопротивления, как показано на рис. Для оценки f T и f max 100 нм GKTFET, мы сделали следующие предположения: уменьшение масштаба GKTFET не изменяет электростатику в устройстве (управление затвором все еще доминирует), псевдощель может быть эффективно создана с помощью GPNJ в масштабируемом GKTFET , и параметры устройства, такие как C GS и C gd правильно масштабируется с длиной канала, сохраняя при этом длину перехода (длина разделения, d) поперек переходов в диапазоне 50–100 нм для лучшей фильтрации электронов, приводящей к зазору пропускания.Детальное квантовое моделирование в сочетании с числовой трехмерной электростатикой необходимо для проверки производительности этих устройств с учетом их пределов масштабирования. Заряды ловушек, шероховатость кромок, шероховатость перехода и контактное сопротивление являются важными факторами, которые будут влиять на ВЧ характеристики реальных устройств, поэтому эти колебания в реальных устройствах должны быть тщательно откалиброваны 44 . В принципе, эти неидеальности могут быть смягчены с помощью подложек из hBN, закрытых краев, графитовых затворов и металлических краевых контактов 1D (контактное сопротивление ~ 150 Ом — мкм м) 45 , 46 , которые будут исследованы в будущие публикации.

Заключение

Подводя итог, предлагаем концептуальное высокочастотное ВЧ устройство на рис. Это устройство работает на основе геометрической инженерии регулируемого затвором транспортного промежутка в чистом графене с использованием физики туннелирования Клейна. В отличие от обычных полевых транзисторов GFET, которые страдают от слабого насыщения по току из-за отсутствия зазоров, разработка зазора передачи позволяет GKTFET обладать как большим сроком службы несущей, так и насыщением по току. Наш расчет GKTFET показывает значительное улучшение по сравнению с f . max и немного выше f T по сравнению с GFET.Ожидается, что устройство достигнет f . T на 33 ГГц и сопоставимый f макс. 17 ГГц в устройстве с длиной затвора 1 мкм м и нарастанием до f T = 350 ГГц и f max = 53 ГГц, поскольку мы уменьшаем затвор до 100 нм. Высшее ф max 49 ГГц для 1 мкм канала м и 158 ГГц для канала 100 нм можно ожидать за счет уменьшения сопротивления затвора с помощью техники T-Gate.Вдобавок видно, что частоты среза GKTFET намного менее чувствительны к контактному сопротивлению, чем GFET, опять же из-за значительного увеличения выходного сопротивления, возникающего в результате насыщения по току.

Дополнительные электронные материалы

Благодарности

Эта работа частично поддерживается Nanoelectronics Research Corporation (NERC), дочерней компанией Semiconductor Research Corporation (SRC), через Институт открытий и исследований наноэлектроники (INDEX).Авторы выражают признательность за вычислительные ресурсы UVa HPC System Rivanna. Мы благодарим Кори Р. Дина из Колумбийского университета, Курта Гаскилла из Военно-морской исследовательской лаборатории, Клэр Бергер из Технологического института Джорджии и Филипа Кима из Гарвардского университета за полезные обсуждения.

Вклад авторов

Y.T. проанализировали прибор D.C. и R.F. характеристики и написал рукопись. M.E. выполнил вычисления трассировки лучей для тока и написал рукопись.H.T. проанализировал устройство паразитных конденсаторов. К.Х. и M.E. разработали код трассировки лучей. N.B. и А.Г. руководили работой. А.Г. выступил инициатором идеи. Все авторы внесли свой вклад в редактирование рукописи.

Примечания

Конкурирующие интересы

Авторы заявляют, что у них нет конкурирующих интересов.

Сноски

Яохуа Тан и Мирза М. Элахи внесли равный вклад в эту работу.

Дополнительные электронные материалы

Дополнительная информация прилагается к этому документу по адресу doi: 10.1038 / s41598-017-10248-7

Примечание издателя: Springer Nature сохраняет нейтралитет в отношении юрисдикционных претензий на опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

Список литературы

1. Швирц Ф. Графеновые транзисторы. Природные нанотехнологии. 2010. 5: 487–496. DOI: 10.1038 / nnano.2010.89. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 2. Швирц Ф. Графеновые транзисторы: состояние, перспективы и проблемы. Труды IEEE. 2013; 101: 1567–1584. DOI: 10.1109 / JPROC.2013.2257633.[CrossRef] [Google Scholar] 3. Фиори Дж. И др. Электроника на основе двухмерных материалов. Природные нанотехнологии. 2014; 9: 768–779. DOI: 10.1038 / nnano.2014.207. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 4. Чаухан Дж., Го Дж. Оценка пределов высокочастотных характеристик графеновых полевых транзисторов. Нано-исследования. 2011; 4: 571–579. DOI: 10.1007 / s12274-011-0113-1. [CrossRef] [Google Scholar] 5. Болотин К.И., и др. Сверхвысокая подвижность электронов в подвешенном графене. Твердотельные коммуникации. 2008. 146: 351–355.DOI: 10.1016 / j.ssc.2008.02.024. [CrossRef] [Google Scholar] 6. Чен, Дж.-Х., Янг, К., Сяо, С., Исигами, М. и Фюрер, М.С. Пределы внутренних и внешних характеристик графеновых устройств на sio2. Природа нанотехнологий 3 , 206–209 (2008). [PubMed] 7. Дин CR, et al. Подложки из нитрида бора для высококачественной графеновой электроники. Природные нанотехнологии. 2010; 5: 722–726. DOI: 10.1038 / nnano.2010.172. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 8. Морозов С и др. Гигантская подвижность собственных носителей в графене и его бислое.Письма с физическим обзором. 2008; 100 DOI: 10.1103 / PhysRevLett.100.016602. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 9. Wu Y et al. Современная графеновая высокочастотная электроника. Нано-буквы. 2012; 12: 3062–3067. DOI: 10.1021 / NL300904K. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 10. Cheng R, et al. Высокочастотные самовыравнивающиеся графеновые транзисторы с перенесенными стопками затворов. Труды Национальной академии наук. 2012; 109: 11588–11592. DOI: 10.1073 / pnas.1205696109. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 11.Guo Z и др. Запишите максимальную частоту колебаний в эпитаксиальных графеновых транзисторах c-образной формы. Нано-буквы. 2013; 13: 942–947. DOI: 10.1021 / NL303587R. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 12. Ni ZH и др. Одноосная деформация графена: исследование спектроскопии комбинационного рассеяния и раскрытие запрещенной зоны. ACS nano. 2008; 2: 2301–2305. DOI: 10.1021 / nn800459e. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 13. Хан М.Ю., Озилмаз Б., Чжан Ю., Ким П. Энергетическая инженерия запрещенной зоны графеновых нанолент. Письма с физическим обзором. 2007; 98 DOI: 10.1103 / PhysRevLett.98.206805. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 14. Перебейнос В., Авурис П. Неупругое рассеяние и насыщение тока в графене. Physical Review B. 2010; 81 DOI: 10.1103 / PhysRevB.81.195442. [CrossRef] [Google Scholar]

15. Мерик, И., Баклицкая, Н., Ким, П., Шепард, К. Л. РЧ-характеристики графеновых полевых транзисторов с верхним затвором и нулевой запрещенной зоной. На встрече Electron Devices, 2008. IEDM 2008. IEEE International , 1–4 (IEEE, 2008).

16. Саджад Р.Н., Гош А.В..Высокоэффективное переключение с использованием электронной оптики на основе графена. Письма по прикладной физике. 2011; 99 DOI: 10.1063 / 1.3640224. [CrossRef] [Google Scholar] 17. Саджад Р.Н., Гош А.В.. Манипулирование хиральной передачей геометрией затвора: переключение в графене с зазорами передачи. ACS nano. 2013; 7: 9808–9813. DOI: 10.1021 / nn403336n. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 18. Бинаккер К. Коллоквиум: Андреевское отражение и клейновское туннелирование в графене. Обзоры современной физики. 2008; 80 DOI: 10.1103 / RevModPhys.80.1337. [CrossRef] [Google Scholar] 19. Аллен П.Е., Фукс Дж. Клейн, туннелирование в графене: оптика с безмассовыми электронами. Европейский физический журнал B-Конденсированное вещество и сложные системы. 2011; 83: 301–317. DOI: 10.1140 / epjb / e2011-20351-3. [CrossRef] [Google Scholar] 20. Кацнельсон М., Новоселов К., Гейм А. Хиральное туннелирование и парадокс Клейна в графене. Физика природы. 2006; 2: 620–625. DOI: 10,1038 / нфиз384. [CrossRef] [Google Scholar] 21. Низкий T, Хонг С., Аппенцеллер Дж., Датта С., Лундстрем М.С. Асимметрия проводимости графенового pn перехода.Транзакции IEEE на электронных устройствах. 2009; 56: 1292–1299. DOI: 10.1109 / TED.2009.2017646. [CrossRef] [Google Scholar] 22. Саджад Р. Н., Сутар С., Ли Дж., Гош А. В.. Проявление хирального туннелирования на наклонном p-n-переходе графена. Physical Review B. 2012; 86 DOI: 10.1103 / PhysRevB.86.155412. [CrossRef] [Google Scholar] 23. Sutar S, et al. Зависимое от угла пропускание носителей в графеновых p − n-переходах. Нано-буквы. 2012; 12: 4460–4464. DOI: 10,1021 / NL3011897. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

24.Элахи М. и Гош А. В. Насыщение тока и резкое переключение в графеновых p-n-переходах с использованием зависящего от угла рассеяния. В конференции Device Research Conference (DRC), 2016 74-я ежегодная , 1-2 (IEEE, 2016).

25. Джанг М.С., Ким Х., Сон Ю.В., Этуотер Х.А., Годдард, Вашингтон. Графеновый полевой транзистор без запрещенной зоны. Труды Национальной академии наук. 2013; 110: 8786–8789. DOI: 10.1073 / pnas.1305416110. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 26. Wilmart Q и др.Клейн-туннельный транзистор с баллистическим графеном. 2D материалы. 2014; 1 DOI: 10.1088 / 2053-1583 / 1/1/011006. [CrossRef] [Google Scholar] 27. Морикава С. и др. Отражатель фермионов Дирака на npn-переходах пилообразной формы из баллистического графена. Полупроводниковая наука и технология. 2017; 32 DOI: 10.1088 / 1361-6641 / aa6102. [CrossRef] [Google Scholar] 28. Чен С. и др. Электронная оптика с pn-переходами в баллистическом графене. Наука. 2016; 353: 1522–1525. DOI: 10.1126 / science.aaf5481. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

29.Дополнительная информация.

30. Чеянов В.В., Фалько В.И. Селективное пропускание дираковских электронов и баллистическое магнитосопротивление n-p-переходов в графене. Физический обзор b. 2006; 74 DOI: 10.1103 / PhysRevB.74.041403. [CrossRef] [Google Scholar] 31. Кайссол Дж., Хьюард Б., Гольдхабер-Гордон Д. Контактное сопротивление и дробовой шум в графеновых транзисторах. Physical Review B. 2009; 79 DOI: 10.1103 / PhysRevB.79.075428. [CrossRef] [Google Scholar] 32. Бреннер К., Мурали Р. Одноступенчатое дополнительное легирование графена.Письма по прикладной физике. 2010; 96 DOI: 10.1063 / 1.3308482. [CrossRef] [Google Scholar] 33. Тан Б, Госинь Х, Гао Х. Рамановская спектроскопическая характеристика графена. Обзоры прикладной спектроскопии. 2010. 45: 369–407. DOI: 10.1080 / 05704928.2010.483886. [CrossRef] [Google Scholar] 35. Саджад Р.Н., Ценг Ф., Хабиб К.М., Гош А.В. Квантовый перенос в точке Дирака: отображение минимальной проводимости от чистого графена к неупорядоченному. Physical Review B. 2015; 92 DOI: 10.1103 / PhysRevB.92.205408. [CrossRef] [Google Scholar] 36.Саджад Р.Н., Поланко, Калифорния, Гош А.В. Атомистическая деконструкция протекания тока в гетеропереходах на основе графена. Журнал вычислительной электроники. 2013; 12: 232–247. DOI: 10.1007 / s10825-013-0459-6. [CrossRef] [Google Scholar] 37. Бинаккер Ч., Ван Хаутен Х. Бильярдная модель баллистического многозондового проводника. Письма с физическим обзором. 1989; 63 DOI: 10.1103 / PhysRevLett.63.1857. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 38. Милованович С., Рамезани Масир М., Пеэтерс Ф. Спектроскопия состояний змеи с использованием графеновой перемычки.Письма по прикладной физике. 2013; 103 DOI: 10.1063 / 1.4838557. [CrossRef] [Google Scholar] 39. Милованович С., Рамезани Масир М., Петерс Ф. Магнитная фокусировка электронов и настройка электронного тока с помощью pn-перехода. Журнал прикладной физики. 2014; 115 DOI: 10.1063 / 1.4863403. [CrossRef] [Google Scholar]

40. Lin, Y.-M. и др. . Разработка графеновых полевых элементов для высокочастотной электроники. В собрании электронных устройств (IEDM), 2009 IEEE International , 1–4 (IEEE, 2009).

41. Lin Y-M, et al. Транзисторы на 100 ГГц из эпитаксиального графена в масштабе пластины. Наука. 2010. 327: 662–662. DOI: 10.1126 / science.1184289. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

42. Meric, I. et al. . Высокочастотные характеристики графеновых полевых транзисторов с насыщающими вольт-амперными характеристиками. В документе Electron Devices Meeting (IEDM) , 2011 IEEE International , 2–1 (IEEE, 2011).

43. Рутерглен Ч., Джайн Д., Берк П. Электроника с нанотрубками для радиочастотных приложений.Природа Нанотехнологии. 2009; 4: 811–819. DOI: 10.1038 / nnano.2009.355. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 44. Xu G, Zhang Y, Duan X, Balandin AA, Wang KL. Эффекты изменчивости в графене: проблемы и возможности для приборостроения и приложений. Труды IEEE. 2013; 101: 1670–1688. DOI: 10.1109 / JPROC.2013.2247971. [CrossRef] [Google Scholar] 45. Ван Л. и др. Одномерный электрический контакт с двухмерным материалом. Наука. 2013; 342: 614–617. DOI: 10.1126 / science.1244358.[PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 46. Champlain JG. Физическая модель малосигнальных графеновых полевых транзисторов. Твердотельная электроника. 2012; 67: 53–62. DOI: 10.1016 / j.sse.2011.07.015. [CrossRef] [Google Scholar]

Патент США на транзисторные схемы с согласованной парой Патент (Патент № 8,685,324, выдан 1 апреля 2014 г.)

СООТВЕТСТВУЮЩИЕ ЗАЯВКИ

В данной заявке испрашиваются преимущества предварительной заявки на патент США сер. № 61 / 386,403, поданная сен.24, 2010, содержание которой полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Раскрытые в настоящее время варианты осуществления имеют дело с массивами пикселей и, в частности, с подавлением рассогласования и подавлением смещения компонентов в массивах пикселей и схемах считывания.

Электронные устройства и компоненты нашли множество применений в химии и биологии (в более общем смысле «науки о жизни»), особенно для обнаружения и измерения различных химических и биологических реакций, а также идентификации, обнаружения и измерения различных соединений.Одно такое электронное устройство называется ионно-чувствительным полевым транзистором, часто обозначаемым в соответствующей литературе как «ISFET» (или pHFET). ISFET традиционно изучались, в первую очередь в академическом и исследовательском сообществе, для облегчения измерения концентрации ионов водорода в растворе (обычно обозначаемой как «pH»). ISFET в более общем смысле упоминается здесь как химически чувствительный датчик.

Более конкретно, ISFET представляет собой устройство преобразования импеданса, которое работает аналогично MOSFET (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником) и, в частности, сконфигурировано для выборочного измерения активности ионов в растворе (например,g., ионы водорода в растворе являются «аналитами»). Подробная теория работы ISFET представлена ​​в «Тридцать лет ISFETOLOGY: что произошло за последние 30 лет и что может произойти в следующие 30 лет», П. Бергвельд, Sens. Actuators, 88 (2003), стр. 1-20 («Bergveld»), эта публикация полностью включена в настоящий документ посредством ссылки.

Подробности изготовления ISFET с использованием обычного процесса CMOS (комплементарный металлооксидный полупроводник) можно найти у Rothberg et al., Публикация патента США № 2010/0301398, Ротберг и др., Публикация патента США № 2010/0282617 и Ротберг и др., Публикация патента США 2009/0026082; эти патентные публикации вместе именуются «Ротберг», и все они полностью включены в настоящий документ посредством ссылки. Однако в дополнение к CMOS, обработка biCMOS (т. Е. Биполярная и CMOS) также может использоваться, например, процесс, который будет включать в себя матрицу PMOS или NMOS FET с биполярными структурами на периферии. В качестве альтернативы могут использоваться другие технологии, в которых чувствительный элемент может быть выполнен с трехполюсным устройством, в котором обнаруженный ион приводит к возникновению сигнала, который управляет одним из трех выводов; такие технологии могут также включать, например, технологии GaAs и углеродных нанотрубок.

На примере CMOS, изготовление ISFET P-типа основано на кремниевой подложке P-типа или N-типа, в которой сформирована яма n-типа, образующая «тело» транзистора. Сильнолегированные области S и D P-типа (P +), составляющие исток и сток ISFET, формируются внутри ямы n-типа. Сильнолегированная область В N-типа (N +) также может быть сформирована внутри скважины n-типа для обеспечения соединения проводящего тела (или «объема») с скважиной n-типа. Оксидный слой может быть расположен над областями соединения истока, стока и корпуса, через которые сделаны отверстия для обеспечения электрических соединений (через электрические проводники) с этими областями.Затвор из поликремния может быть сформирован над оксидным слоем в месте над областью колодца N-типа, между истоком и стоком. Поскольку он расположен между затвором из поликремния и корпусом транзистора (то есть колодцем N-типа), оксидный слой часто называют «оксидом затвора».

Рассмотрим другой пример КМОП. Изготовление ISFET N-типа основано на подложке P + пластины с областью эпитаксии P-, как правило, толщиной в несколько микрон, в которой формируется колодец P-типа, образующий «тело» транзистора.Лунка P-типа является общей для всех устройств в массиве, а подложка P + служит основным контактом, так что никаких других контактов в массиве пикселей не требуется. Сильнолегированные области S и D N-типа (N +), составляющие исток и сток ISFET, формируются внутри колодца P-типа. Оксидный слой может быть расположен над областями соединения истока, стока и корпуса, через которые сделаны отверстия для обеспечения электрических соединений (через электрические проводники) с этими областями. Затвор из поликремния может быть сформирован над оксидным слоем в месте над областью колодца N-типа, между истоком и стоком.Поскольку он расположен между затвором из поликремния и корпусом транзистора (то есть колодцем p-типа), оксидный слой часто называют «оксидом затвора».

Как и MOSFET, работа ISFET основана на модуляции концентрации заряда (и, следовательно, проводимости канала), вызванной емкостью MOS (металл-оксид-полупроводник). Эта емкость состоит из поликремниевого затвора, оксида затвора и области колодца (например, колодца N-типа) между истоком и стоком. Когда отрицательное напряжение прикладывается к областям затвора и истока, на границе области и оксида затвора создается канал, истощая эту область электронами.Для N-скважины канал будет P-каналом (и наоборот). В случае N-лунки, P-канал будет проходить между истоком и стоком, и электрический ток проходит через P-канал, когда потенциал затвор-исток достаточно отрицательный, чтобы притягивать дыры из истока в канал. . Потенциал затвор-исток, при котором канал начинает проводить ток, называется пороговым напряжением транзистора VTH (транзистор проводит, когда VGS имеет абсолютное значение, превышающее пороговое напряжение VTH).Источник назван так потому, что он является источником носителей заряда (дырки для P-канала), которые текут через канал; аналогично сток — это место, где носители заряда покидают канал.

Как описано у Ротберга, ISFET может быть изготовлен со структурой плавающего затвора, сформированной путем соединения поликремниевого затвора с несколькими металлическими слоями, расположенными внутри одного или нескольких дополнительных оксидных слоев, расположенных над оксидом затвора. Структура с плавающим затвором названа так потому, что она электрически изолирована от других проводников, связанных с ISFET; а именно, он расположен между оксидом затвора и пассивирующим слоем, который расположен поверх металлического слоя (например,g., верхний металлический слой) плавающего манометра.

Как далее описано у Ротберга, пассивирующий слой ISFET представляет собой ионно-чувствительную мембрану, которая увеличивает ионную чувствительность устройства. Присутствие аналитов, таких как ионы, в растворе аналита (т. Е. Раствор, содержащий представляющие интерес аналиты (включая ионы) или проверяемый на наличие представляющих интерес аналитов), в контакте со слоем пассивирования, особенно в чувствительной области, которая может расположены над структурой с плавающим затвором, изменяют электрические характеристики ISFET, чтобы модулировать ток, протекающий через канал между истоком и стоком ISFET.Пассивирующий слой может содержать любой из множества различных материалов для облегчения чувствительности к определенным ионам; например, пассивирующие слои, содержащие нитрид кремния или кремний на / нитрид, а также оксиды металлов, такие как оксиды кремния, алюминия или тантала, обычно обеспечивают чувствительность к концентрации ионов водорода (pH) в растворе аналита, тогда как пассивирующие слои, содержащие поливинилхлорид, содержащий валиномицин обеспечивает чувствительность к концентрации ионов калия в растворе аналита.Материалы, подходящие для пассивирующих слоев и чувствительные к другим ионам, таким как, например, натрий, серебро, железо, бром, йод, кальций и нитрат, известны, а пассивирующие слои могут содержать различные материалы (например, оксиды металлов, нитриды металлов, металл оксинитриды). Что касается химических реакций на границе раздела раствор анализируемого вещества / пассивирующего слоя, поверхность данного материала, используемого для пассивирующего слоя ISFET, может включать химические группы, которые могут отдавать протоны или принимать протоны из раствора аналита, оставляя в любой момент времени отрицательно заряженные, положительно заряженные и нейтральные участки на поверхности пассивирующего слоя на границе с раствором аналита.

Что касается чувствительности к ионам, то на границе раздела твердое тело / жидкость пассивирующего слоя и раствора аналита возникает разность электростатических потенциалов, обычно называемая «поверхностным потенциалом», как функция концентрации ионов в чувствительной области из-за к химической реакции (например, обычно включающей диссоциацию поверхностных оксидных групп ионами в растворе аналита в непосредственной близости от чувствительной области). Этот поверхностный потенциал, в свою очередь, влияет на пороговое напряжение ISFET; таким образом, именно пороговое напряжение ISFET изменяется с изменениями концентрации ионов в растворе аналита вблизи чувствительной области.Как описано у Ротберга, поскольку пороговое напряжение VTH ISFET чувствительно к концентрации ионов, напряжение источника VS обеспечивает сигнал, который напрямую связан с концентрацией ионов в растворе аналита в непосредственной близости от чувствительной области ISFET.

Массивы химически чувствительных полевых транзисторов («chemFET») или, более конкретно, ISFET, могут использоваться для мониторинга реакций, включая, например, реакции секвенирования нуклеиновых кислот (например, ДНК) на основе мониторинга присутствующих, генерируемых или используемых аналитов. во время реакции.В более общем смысле, массивы, включающие большие массивы химических полевых транзисторов, могут использоваться для обнаружения и измерения статических и / или динамических количеств или концентраций различных аналитов (например, ионов водорода, других ионов, неионных молекул или соединений и т. Д.) В различные химические и / или биологические процессы (например, биологические или химические реакции, культуры клеток или тканей или мониторинг, нейронная активность, секвенирование нуклеиновых кислот и т. д.), в которых ценная информация может быть получена на основе таких измерений аналитов.Такие массивы химических полевых транзисторов можно использовать в методах обнаружения аналитов и / или методах, которые контролируют биологические или химические процессы через изменения заряда на поверхности химических полевых транзисторов. Такое использование массивов ChemFET (или ISFET) включает обнаружение аналитов в растворе и / или обнаружение изменения заряда, связанного с поверхностью ChemFET (например, пассивирующим слоем ISFET).

Об исследовании, касающемся изготовления матриц ISFET, сообщается в публикациях «Большой транзисторный чип матрицы датчиков для прямой внеклеточной визуализации» М.Дж. Милгрю, М. О. Риле и Д. Р. Камминг, Датчики и исполнительные механизмы, B: Chemical, 111-112, (2005), стр. 347-353, и «Разработка масштабируемых матриц датчиков с использованием стандартной технологии КМОП», М. Дж. Милгрю, PA Hammond и DRS Cumming, Sensors and Actuators, B: Chemical, 103, (2004), pp. 37-42, публикации которых включены в настоящий документ посредством ссылки и совместно именуются далее как «Milgrew et al.» Описания изготовления и использования массивов ChemFET или ISFET для химического обнаружения, включая обнаружение ионов в связи с секвенированием ДНК, содержатся в Ротберге.Более конкретно, Ротберг описывает использование массива chemFET (в частности, ISFET) для секвенирования нуклеиновой кислоты, включая включение известных нуклеотидов во множество идентичных нуклеиновых кислот в реакционной камере, находящейся в контакте или емкостной связи с chemFET, где нуклеиновые кислоты связаны с единственная гранула в реакционной камере и обнаружение сигнала на ChemFET, где обнаружение сигнала указывает на высвобождение одного или нескольких ионов водорода в результате включения известного нуклеотидтрифосфата в синтезированную нуклеиновую кислоту.

Проблема, которая существует во многих из этих схем и массивов, связана с допусками в процессе изготовления схем. Одни и те же типы схем могут иметь несколько отличные друг от друга характеристики из-за присущих различий в компонентах схемы и их относительных структурах, которые возникают из-за допусков на изготовление. Эти различия в схемах, которые должны быть идентичными, часто называют несоответствием.

Примером смещения и рассогласования может быть рассогласование усилителей, которое возникает в схемах из-за порогового рассогласования между устройствами входной дифференциальной пары, которые должны быть идентичными.Массивы с многочисленными усилителями, которые должны быть идентичными, но не являются идентичными, являются типичными для схем, которые могут демонстрировать рассогласование. Датчики с активными пикселями являются примером устройств, в которых это несоответствие и смещение могут быть критическими. Датчики с активными пикселями представляют собой матрицы считывания изображений, содержащие несколько пикселей, и каждый пиксель связан с усилителем для вывода света, воспринимаемого этим пикселем. Обычным подходом к исправлению рассогласования усилителей в активных пиксельных датчиках является коррелированная двойная выборка.При коррелированной двойной выборке одна выборка берется из значения сброса пикселя, а другая выборка берется из пикселя с сигналом от воспринимаемого света. Разница берется между двумя образцами. Разница в выборках должна представлять фактический сигнал без смещений, включая уменьшение теплового шума, если выборки коррелированы по времени. Для получения двух отсчетов требуется значение сброса. Коррелированная двойная выборка может быть эффективной при устранении различных типов смещений и проблем рассогласования транзисторов.

Однако существуют чувствительные матрицы, которые имеют чувствительные элементы, которые постоянно считываются в течение определенного периода времени, что может не позволить использовать схемы сброса в этих чувствительных элементах. Без выборки этого значения сброса коррелированная двойная выборка не является пригодным для использования методом из-за отсутствия значения сброса или эталонного значения, которое коррелировано с чувствительными устройствами. Следовательно, в уровне техники существует потребность в создании схем двойной выборки, которые не могут использовать методы коррелированной двойной выборки.

Кроме того, несоответствие транзисторов в схемах CMOS может наложить серьезные ограничения на матрицы датчиков. Это может быть особенно актуально для датчиков с небольшими уровнями выходного сигнала. Общее отклонение, которое по своей сути возникает в процессе изготовления, создает неоднородность транзисторов в массиве датчиков, что приводит к смещению сигнала и неравномерности в сигнале, создаваемом этими транзисторами. Поэтому желательно устранить или уменьшить такую ​​неоднородность и смещения, особенно перед аналого-цифровым преобразованием.Исходя из предшествующего обсуждения, в данной области техники остается потребность в схеме, которая может устранять смещения и рассогласования внутри схем, даже тех, которые не имеют возможности сброса.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

ФИГ. 1 — примерная схема, которая может демонстрировать несоответствие транзисторов.

РИС. 2 — примерная блок-схема, включающая компоненты согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 3 — пример согласованной пары транзисторов, используемой для выборки согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 4 — пример схемы выборки, использующей согласованную пару транзисторов для выборки согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 5 — примерная временная диаграмма для работы схемы дискретизации по фиг. 4 согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

РИС. 6 иллюстрирует другой пример схемы выборки, использующей согласованную пару транзисторов для выборки согласно варианту осуществления настоящего изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

В данном документе могут быть обсуждены варианты осуществления, которые применяют методы выборки, которые не требуют схем сброса для правильного функционирования.В варианте осуществления может быть предусмотрена схема для преодоления несовпадений и смещений компонентов схемы. Схема может включать в себя химически чувствительный датчик, транзистор выбора строки, схему выборки и схему разности. Химически чувствительный датчик может быть выполнен из транзистора. Транзистор выбора строки может находиться рядом с местом, где химически чувствительный датчик сформирован на подложке, а транзистор выбора строки и химически чувствительный датчик имеют общий набор свойств. Схема выборки может быть сконфигурирована так, чтобы брать эталонную выборку из транзистора выбора строки и выборку сигнала из химически чувствительного датчика через транзистор выбора строки.Схема разности может определять разницу между эталонной выборкой и выборкой сигнала. Хотя сигналы считываются из одного и того же порта во время каждой выборки, селективность интересующего устройства достигается за счет принудительного переключения транзисторов между областями насыщения и триода.

Другой вариант осуществления обеспечивает матрицу датчиков, расположенных в согласованных парах транзисторов, с устройством выбора, сформированным на первом транзисторе, и датчиком, сформированным на втором транзисторе согласованной пары.Согласованные пары могут быть расположены так, что датчик-транзистор в согласованной паре может считываться через выход первого транзистора в согласованной паре. Исток транзистора выбора может использоваться для выхода, поскольку он смещен в конфигурацию исток-повторитель. Транзистор выбора в согласованной паре может быть принудительно переведен в область насыщения (активную) для предотвращения помех от транзистора датчика на выходе транзистора выбора. Перемещение транзистора выбора в область насыщения происходит, когда транзистор датчика имеет напряжение затвора с более высоким потенциалом, чем напряжение затвора транзистора выбора.Выходное сопротивление стока транзистора выбора велико из-за минимальной модуляции длины канала, что приводит к незначительному прохождению сигнала от транзистора датчика, поскольку он выполняет приблизительную функцию переключателя. Можно взять образец выходного напряжения. Затем транзистор выбора может быть помещен в линейную (также называемую триодом) область, позволяющую считывать химический датчик, включая транзистор датчика, через выход транзистора выбора. Принудительное включение транзистора выбора в область триода происходит, когда напряжение на затворе транзистора выбора превышает напряжение на затворе транзистора-датчика.Образец может быть взят из выходного напряжения. Эти два образца могут отличаться.

Другой вариант осуществления предусматривает матрицу датчиков, содержащую одиночные транзисторные пиксели, которые расположены в строках и столбцах. Пиксели могут быть выбраны по строкам и считаны по столбцу для выбранных строк. Смещения внутри устройств, таких как компараторы, и несоответствия между схемами столбца могут быть устранены путем сопоставления транзисторов в каждом столбце, которые подвергаются двойной выборке, и разницы между выборками, используемыми для корреляции сигнала из каждого столбца для выбранных строк.Другой вариант осуществления обеспечивает массив пикселей, расположенных в строках и столбцах, со схемой уровня столбца, которая может брать несколько выборок выбранных пикселей и обеспечивать функцию сброса уровня столбца без потери ранее взятых выборок.

РИС. 1 — пример схемы, демонстрирующей несоответствие транзистора и усилителя. Схема , 100, может иметь смещения и несовпадения в пикселях , 110, , транзисторы 105 , 125 , 127 и буфер 130 могут объединяться для создания неоднородности сигнала.Пиксель , 110, может быть двухтранзисторным пикселем , 112, и , 114, , который не имеет функции сброса. Один из транзисторов , 112, может быть химически чувствительным датчиком, который обнаруживает слабый сигнал, возникающий в результате химической реакции, которая в результате генерирует сигнал. Аналого-цифровой преобразователь (ADC) (не показан) может быть подключен к выходу буфера , 130, для преобразования аналогового выходного сигнала в цифровой сигнал. Однако, если аналоговый выходной сигнал неоднороден, АЦП, чтобы точно преобразовать аналоговый выходной сигнал в цифровой, потребуются дополнительные биты, выделенные в широком динамическом диапазоне — чем более неравномерным будет выходной сигнал из буфера. 130 , тем больше бит потребуется.Кроме того, если амплитуда полезного сигнала, содержащегося в сигнале, выходящем из выхода буфера , 130, , мала по сравнению со всем выходным сигналом, тем больше неоднородность сигнала влияет на общий сигнал, что приводит к неэффективное распределение битов. Следовательно, смещения и несовпадения предъявляют более высокие требования к битовой глубине. В одном варианте осуществления требуемый динамический диапазон внешнего АЦП может составлять, например, приблизительно 250 мВ. Этот динамический диапазон может обеспечить большие размеры сигнала и высокую степень разрешения.Например, слабый сигнал, который содержится в сигнале с большой амплитудой из-за неоднородного характера сигнала, может иметь требования для достижения уровня шума квантования 10 мкВ и требует разрешения 12-14 бит для АЦП для точного разрешения.

РИС. 2 иллюстрирует примерную блок-схему, включающую компоненты согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Система , 200, может включать в себя пиксель , 210, , транзистор смещения , 230, , блок подавления смещения , 240, и аналого-цифровой преобразователь , 250, .Пиксель , 210, может включать в себя согласованную пару транзисторов: химически чувствительный датчик 211 и транзистор выбора строки 215 , где согласованные транзисторы означают, что транзисторы 211 и 215 имеют одинаковый размер и форму. и введите. Чтобы считаться согласованной парой, не все свойства устройств должны быть идентичными. Например, оба транзистора могут иметь одинаковую ширину и общую диффузионную область, но номинально иметь разную длину затвора.Поскольку устройства расположены на минимальном расстоянии друг от друга, их оксидные области затвора будут хорошо согласованы. Это приводит к тому, что порог устройств хорошо согласовывается по сравнению с устройствами, которые далее разделены. Устройства с разной длиной затвора будут давать измеренную разницу в уровнях выходного сигнала, но все согласованные пары будут вести себя одинаково систематически и сохранять однородность. Одно различие может заключаться в том, что химически чувствительный датчик , 211, может отличаться от транзистора выбора строки , 215, тем, что он имеет химически чувствительную ячейку, соединенную с плавающим затвором, который обеспечивает входной сигнал.Другие различия могут существовать до тех пор, пока различия являются систематическими и остаются неизменными между подобранными парами.

Обычно транзисторы, расположенные близко друг к другу, имеют меньшее рассогласование. Преимущество использования согласованных транзисторов 211 и 215 в одном и том же пикселе состоит в том, что, поскольку транзистор выбора строки находится рядом с химически чувствительным датчиком, он будет иметь меньшее рассогласование транзисторов. Таким образом, эталонный уровень может быть взят из транзистора выбора строки в том же пикселе, что и химически чувствительный датчик, в качестве приблизительного эталонного уровня для транзистора датчика.

Однако все компоненты в пикселе , 210, и транзисторе смещения , 230, могут иметь некоторую форму смещений и рассогласований, которые могут способствовать неравномерности выходного сигнала. Объединенное смещение и рассогласование в пикселе , 210, и транзисторе смещения , 230, может быть дискретизировано в блок подавления смещения 240 и удалено перед аналого-цифровым преобразованием с помощью АЦП 250 . Когда диапазон входного сигнала мал, требования к динамическому диапазону АЦП , 250, могут упасть, например, до 8-битного уровня, поскольку преобразуется только фактический уровень сигнала.Как правило, рассогласование транзисторов устраняется или уменьшается, а отклик датчика становится однородным.

Способ устранения несоответствия будет объяснен со ссылкой на фиг. 2. Транзистор смещения , 230, , который может быть полевым транзистором, может функционировать для смещения пикселя , 210, посредством напряжения смещения vb на затворе транзистора смещения , 230, . АЦП 250 обеспечивает цифровой вывод сигнала от пикселя 210 . Отмена смещения 240 может быть схемой уровня столбца, которая обеспечивает возможности двойной выборки для анализа пикселя 210 .Функции смещения коррекции смещения , 240, могут устранять комбинированные смещения и несовпадения в пикселе , 210, , транзисторе смещения , 230, и любых других компонентах на пути прохождения сигнала. Устройство отмены смещения , 240, может принимать первую выборку всего пути прохождения сигнала при отсутствии сигнала, зарегистрированного на химически чувствительном датчике , 211, . Первый образец может включать в себя комбинированные смещения и рассогласования всех компонентов, например, химически чувствительного датчика 211 и транзистора 215 пикселя 210 и транзистора смещения 230 , на всем пути прохождения сигнала.Вторая выборка пути прохождения сигнала может быть взята с помощью значения измеренного сигнала от химически чувствительного датчика , 211, , включенного в измеренное значение. Вторая выборка всего пути прохождения сигнала может включать в себя комбинированные смещения и рассогласования всех компонентов, например, химически чувствительный датчик 211 и транзистор 215 пикселя 210 и транзистор смещения 230 , в целом путь прохождения сигнала, а также измеренное значение сигнала химически чувствительного датчика 211 .Отмена смещения , 240, может обеспечивать функцию разности, которая вычитает первую выборку из второй выборки, включая значение измеренного сигнала от химически чувствительного датчика 21 , что оставляет значение измеренного сигнала для передачи в АЦП 250 . Таким образом, коррекция смещения , 240, может принимать две выборки, может использовать метод двойной выборки для двух выборок и может удалять смещения и несоответствия пикселя , 210, и транзистора смещения , 230, , используя две выборки перед аналоговым. в цифровое преобразование с помощью АЦП 250 .Требование динамического диапазона ADC 250 может быть уменьшено, поскольку преобразуется только фактический измеренный уровень сигнала химически чувствительного датчика. В конкретном варианте осуществления длина в битах падает до 8-битового уровня, поскольку преобразуется только фактический уровень сигнала. В результате несоответствие компонентов схемы устраняется / уменьшается, а отклик датчика становится однородным.

ФИГ. Фиг.3A и 3B иллюстрируют пример двойной дельта-дискретизации с использованием согласованной пары транзисторов согласно варианту осуществления настоящего изобретения.В схеме , 300, по фиг. 3A, пиксель , 310, может быть смещен источником тока I (например, транзистором, таким как транзистор 230 на фиг. 2). Пиксель , 310, может включать в себя химически чувствительный датчик , 313, и транзистор выбора строки , 315, , оба из которых могут быть полевым транзистором. Для наглядности согласованная пара включает химически чувствительный датчик , 313, и транзистор выбора строки , 315, . Эти устройства считаются согласованной парой из-за их непосредственной близости и свойств в примере на фиг.2. Пиксель , 310, может быть одним из множества пикселей, которые используются в массиве (не показан), который расположен в строках и столбцах. Транзистор выбора , 315, может управляться сигналом выбора строки rs, который используется для выбора пикселя , 310, . В алгоритме коррелированной двойной выборки выборка сигнала может быть взята из устройства в двух разных состояниях. Выборка может быть взята из пикселя , 310, в первом состоянии без входного сигнала (известного или неизвестного, или в режиме сброса), так что любые смещения или несовпадения устройства могут быть охарактеризованы, и другой образец может быть взят из пиксель , 310, во втором состоянии устройства, которое обычно включает в себя входной сигнал.Разница между двумя выборками считается представлением входного сигнала без наличия смещений пикселя , 310, (например, различий при изготовлении транзисторов, таких как разности пороговых напряжений). Однако в настоящем варианте осуществления химически чувствительный датчик , 313, может считываться непрерывно, пока происходит отслеживаемая реакция. Соответственно, нет возможности взять образец без входного сигнала или известного входного сигнала от химически чувствительного датчика , 313, .

В одном примере, реакция, которая отслеживается и считывается непрерывно по мере ее возникновения, может быть ионом водорода (H +), высвобождаемым во время события секвенирования ДНК, которое происходит, когда нуклеотид включается в цепь ДНК с помощью полимеразы. По мере включения каждого нуклеотида высвобождается ион водорода (H +). Поскольку химически чувствительный датчик 313 постоянно считывается в течение периода времени, когда генерируется сигнал включения, химически чувствительный датчик 313 не может быть сброшен, что исключает возможность использования коррелированной двойной выборки для удаления и ослабления смещения.Поскольку фактический химически чувствительный датчик , 313, не может быть измерен без его входного сигнала, фактический химически чувствительный датчик , 313, заменяется его ближайшим соседом, транзистором выбора строки , 315, , чтобы установить корреляцию. Транзистор выбора строки , 315, может обеспечить наиболее близкое приближение характеристик смещения и рассогласования химически чувствительного датчика , 313, , поскольку он локально согласован с химически чувствительным датчиком , 313, .Транзистор выбора строки , 315, , вероятно, может иметь общие рассогласования и смещения с химически чувствительным датчиком , 313 , поскольку транзистор выбора строки , 315, изготовлен с химически чувствительным датчиком , 313 и находится в непосредственной близости от него. Как показано на фиг. 3A, транзистор выбора строки , 315, может быть смещен напряжением V 1 , так что он работает в области насыщения для установления локальной корреляции порогового напряжения (VTH 1 ).По сути, транзистор выбора строки , 315, скрывает входной сигнал, когда он принудительно переходит в насыщение. Напряжение V 1 также меньше, чем VREF, что может быть эффективным уровнем смещения постоянного тока электрода датчика, который появляется на затворе транзистора 313 датчика. Примерное напряжение для V 1 может составлять приблизительно 1,5 В, а примерное напряжение для VREF может составлять приблизительно 2,5 В. Эта локальная корреляция порогового напряжения (VTH 1 ) может использоваться для выполнения (дельта) двойной выборки.Удерживая транзистор выбора строки , 315, в режиме насыщения, незначительный сигнал или шум на сенсорном транзисторе , 313, могут проходить через транзистор выбора строки , 315, во время первой эталонной выборки. Первая выборка сигнала, то есть эталонная выборка, S 1 , является характеристикой транзистора выбора строки , 315, , который является точной заменой химически чувствительного датчика 313 из-за их близости друг к другу.Первая выборка сигнала S 1 может быть равна V 1 — (VTH 1 + ΔV), где ΔV — напряжение перегрузки для смещения транзистора при заданном уровне тока смещения. Это значение может оставаться постоянным в пределах пикселя, но может меняться от пикселя к пикселю и в значительной степени от столбца к столбцу из-за несоответствия тока смещения в схеме смещения на уровне столбца. Первый образец S 1 может быть выведен из схемы , 300, на выходе Sout. ИНЖИР. 3B иллюстрирует получение второй выборки сигнала S 2 .

На ФИГ. 3B, транзистор выбора строки , 315, может быть смещен напряжением V 2 , так что он работает в области триода для установления локальной корреляции порогового напряжения транзистора 313 (VTH 2 ). Напряжение V 2 больше, чем VREF, которое может быть эффективным напряжением питания. VREF может быть постоянным напряжением смещения, которое не меняется между эталонной выборкой и выборкой сигнала. Эта локальная корреляция порогового напряжения (VTH 2 ) может использоваться для выполнения (дельта) двойной выборки.Удерживая транзистор выбора строки , 315, в области триода, ионный сигнал (H +) от химически чувствительного датчика , 313, может проходить через транзистор выбора строки , 315, во время второй выборки сигнала. Химически чувствительный датчик , 313, может работать в области насыщения транзистора. Вторая выборка сигнала S 2 может включать в себя входной сигнал VSig и VREF от химически чувствительного датчика , 313, . Вторая выборка сигнала S 2 может равняться VREF + VSig- (VTH 2 + LV). Вторая выборка S 2 также может выводиться из схемы 300 на выходе Sout.

Функция разности может дать результат S 2 −S 1 как приблизительно равный VSig + (VREF − V 1 ) + (VTH 1 −VTH 2 ), обратите внимание, что постоянные напряжения ΔV отменить. Напряжение (VREF-V 1 ) может быть постоянным напряжением, установленным на опорное напряжение АЦП, и в этом случае АЦП может эффективно удалить член (VRE-V 1 ). Пороговые напряжения VTH 1 и VTH 2 могут быть по существу равными, или разница может быть систематической константой, возникающей в результате конфигурации согласованной пары.Следовательно, результирующий остаток от (VTH 1 -VTH 2 ) может быть минимальным и согласованным по массиву пикселей. Любой постоянный остаток в этом разностном члене может быть поглощен опорным сигналом АЦП. В частности, этот разностный член равен нулю, когда транзисторы имеют одинаковый размер. Если транзисторы не равны по размеру или отличаются друг от друга, полученный остаток можно просто сложить вместе с другими постоянными членами, которые определяют опорное значение АЦП. Это оставляет напряжение сигнала VSig без каких-либо артефактов смещения пикселей, которые необходимо приложить к АЦП.В зависимости от того, где на пути прохождения сигнала собираются выборки, дополнительные артефакты смещения сигнала могут быть собраны в первой выборке и ослаблены во время функции дифференцирования операции двойной дельта-выборки. Это позволяет производить двойную выборку всей сигнальной цепи перед АЦП. Части АЦП также могут стать частью схемы компенсации смещения. Например, если у АЦП есть входной каскад, который подвержен смещениям, эти смещения могут быть отменены как часть двух выборок без необходимости двух отдельных преобразований данных.Конечно, порядок отбора проб может отличаться. Кроме того, напряжения V 1 и V 2 могут быть программируемыми и могут включаться между выбором строки соответствующего пикселя во время считывания и уровнем каскода. В альтернативном варианте осуществления алгоритм двойной выборки также может применяться после АЦП, при этом АЦП выполняет два цикла преобразования данных, а разность между выборками выполняется в цифровой логике. Цифровая логика может быть реализована как аппаратное обеспечение на кристалле или программным или аппаратным обеспечением вне кристалла.Это можно рассматривать как цифровую дельта-двойную дискретизацию. Это дает преимущества, когда несколько АЦП одновременно преобразуют столбцы показаний пикселей и когда АЦП имеют собственные смещения. Кроме того, двойная дельта-двойная выборка может выполняться путем применения функций разности как до АЦП, так и после АЦП. Первая функция дифференцирования может установить в значительной степени однородный сигнал для входа в АЦП, тем самым уменьшая требуемый динамический диапазон АЦП. Вторая функция разности может быть размещена после АЦП для отмены смещений в АЦП.Первая и вторая функции дифференцирования производят полное устранение смещения всех компонентов схемы. При таком подходе эффекты второго порядка, которые возникают из-за неидеальности передаточных функций базовой схемы, могут быть уменьшены, поскольку однородность сохраняется во всех точках сигнальной цепи.

Вышеописанная двойная дельта-дискретизация согласованной пары (MPDDS) работает путем дискретизации всего тракта сигнала, сначала без входного сигнала, а затем, во-вторых, с входным сигналом. Путем вычитания двух отсчетов перед аналого-цифровым преобразованием преобразуется только разница (дельта) между отсчетами.Эта разница в выборках представляет собой фактический сигнал без неоднородности. Поскольку уровень сигнала мал по сравнению со смещениями, которые удаляются в процессе MPDDS, достигается значительная экономия разрешения (битовой глубины) АЦП. Кроме того, сокращается последующая обработка для устранения любых неоднородностей между образцами. Например, смещения в типичной сигнальной цепи могут достигать 200 мВ, в то время как диапазон сигнала находится в пределах диапазона 1 мВ. Без компенсации смещения необходимо установить динамический диапазон не менее 200 мВ, даже если диапазон сигнала составляет 1 мВ.При отмене смещения, предполагая, что неоднородность уменьшается до диапазона уровня сигнала, динамический диапазон может быть уменьшен до 2 мВ. Это представляет 100-кратное уменьшение динамического диапазона АЦП (примерно 7 битов уменьшения) в этом примере.

РИС. 4 иллюстрирует систему согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Система , 400, может включать в себя четыре блока схемы: пиксель , 410, , схему выборки столбца 420 , компаратор , 406, и фиксатор столбца , 430, .Транзистор смещения , 405, может смещать пиксель , 410, на основе сигнала смещения vb. Транзистор , 408, может обеспечивать сигнал предварительной зарядки на основе управляющего входа sw. Этот транзистор , 408, может быть любого типа в зависимости от того, предварительно заряжен ли столбец до напряжения питания, напряжения подложки или некоторого другого опорного напряжения между напряжениями питания и подложки. Пиксель , 410, может быть двухтранзисторной конструкцией с транзистором выбора строки , 414, , подключенным к истоку химически чувствительного датчика , 412, .Сток химически чувствительного датчика , 412, может быть подключен к напряжению питания Vdda. На практике это может быть строка столбца, подключенная к напряжению питания Vdda. Исток транзистора выбора строки , 414, может выводить сигнал из пикселя , 410, и подключаться к схеме 420 выборки столбца и транзистору смещения , 405, . Образец , 420, столбца может обеспечивать схему считывания для считывания пикселей , 410, . Образец столбца 420 может включать в себя источник тока с двойным каскодом, включая транзисторы 421 , 423 и 427 (которые образуют источник тока) и транзисторы 425 и 420 (которые образуют переключатели для включения источник тока), конденсатор выборки C 1 , транзистор сброса , 422 и транзистор управления током , 424 .Входные сигналы Vbp, Vbpc и Vbpcc обеспечивают соответствующие сигналы смещения для смещения тока, создаваемого соответствующими транзисторами 421 , 423 и 427 . Компаратор , 406, может обеспечивать функцию сравнения для входа, полученного от схемы , 420, выборки столбца, и опорного напряжения Vramp. Компаратор , 406, может иметь инвертирующие и неинвертирующие входы, управляющие входы и выход, и может быть усилителем с высоким коэффициентом усиления с низким уровнем шума, приведенного к входу.Полоса пропускания компаратора , 406, может управляться внутренними или внешними управляющими сигналами (не показаны) из схемы управления для изменения полосы пропускания компаратора, так что полоса пропускания компаратора может быть изменена с одной фазы на другую в зависимости от функции. что требуется от компаратора 406 . Компаратор , 406, может быть подключен к защелке колонки , 430, . Защелка стойки , 430, может быть SR-защелкой. Защелка , 430, может быть сброшена с помощью «latch_rst» и установлена ​​либо с помощью «latch_set», либо с помощью выхода компаратора.Выходной сигнал схемы 430 защелки может быть возвращен в образец 420 колонки.

В процессе работы компаратор , 406, и схема фиксации столбца , 430, могут использоваться для компенсации смещения во время первой фазы выборки, а затем использоваться для аналого-цифрового преобразования во второй фазе. Следовательно, единственной дополнительной схемой, необходимой для системы MPDDS , 400, , может быть конденсатор выборки и несколько транзисторов. Конденсатор выборки C 1 может быть меньше требуемого уровня шума KTC за счет сохранения полосы пропускания компаратора 406 большей, чем ширина полосы зеркала источника тока, сформированного транзисторами 421 , 423 и 427 . .Снижение шума KTC, достигаемое в конденсаторе выборки, известно специалистам в данной области техники. Здесь шумоподавление KTC используется с двойной дельта-дискретизацией, чтобы добиться подавления смещения с небольшими размерами компоновки. Поскольку компаратор используется во время захвата первой выборки, а затем во время цикла АЦП, который преобразует вторую выборку за вычетом первой выборки, смещение компаратора и, следовательно, смещение АЦП в значительной степени устраняется. Следовательно, схема подавления смещения и АЦП в значительной степени объединены вместе как один блок, при этом выполняя отдельные операции.

РИС. 5 иллюстрирует синхронизацию работы системы , 400, MPDDS по фиг. 4. Синхронизация системы , 400, MPDDS может быть разделена на пять этапов работы, как показано на фиг. 5: фаза предварительной зарядки, фаза выбора строки (select_rst); фаза отмены смещения; выбрать фазу сигнала и преобразовать фазу.

Во время фазы предварительной зарядки линия столбца пикселя , 410, может переключаться на постоянный уровень смещения, такой как аналоговая земля. Col_latch , 430, может быть сброшен путем переключения «latch_rst» на низкий уровень.В то же время клемма конденсатора выборки C 1 на транзисторе , 422, может быть переключена на землю и удерживаться на низком уровне в течение последующей фазы выбора строки. На этапе предварительной зарядки устанавливаются начальные условия смещения. На этом этапе строки не выбираются, поэтому линия столбцов пикселей, представленная vpix, приводится к начальным условиям смещения. При использовании МОП-транзисторов с отрицательным пороговым напряжением уровень предварительной зарядки может быть установлен на уровень выше, чем у земли, чтобы эффективно отключать невыбранные пиксели.

Во время фазы выбора строки линия «rs» может быть переключена на напряжение среднего уровня (например, 1,5 В), которое заставляет устройство выбора строки 414 войти в насыщение и зарядить строку столбца. Опорное напряжение на химически чувствительном датчике 412 может быть на более высоком уровне, чем линия «rs» во время этой фазы (например, 2,5 В). Это гарантирует, что устройство выбора строки , 414, останется в состоянии насыщения. Во время фазы выбора строки значение строки столбца может быть приведено к напряжению затвора устройства выбора строки , 414, за вычетом порогового напряжения и напряжения перегрузки затвор-исток, требуемого для данного тока смещения.Поскольку на затворе устройства выбора строки , 414, поддерживается более низкое напряжение, чем на затворе химически чувствительного датчика , 412, , устройство выбора строки , 414, работает в области насыщения и не ведет себя как переключатель. Поскольку выходное сопротивление стока устройства выбора строки 414 очень велико, сигнал и шум в источнике химически чувствительного датчика 412 не могут модулировать источник устройства выбора строки 414 .Это блокирует сигнал и шум на входе пикселя во время фазы отмены смещения. Следовательно, вместо сброса пикселя , 410, , чтобы получить значение корреляции, сигнал из тракта данных блокируется путем принуждения устройства , 414, выбора строки к насыщению. Подробности условий смещения и уравнений обсуждались выше применительно к фиг. 3A и 3B.

При входе в фазу отмены смещения линия «A» отключается, а линия «B» включается. Это заставляет клемму «vp» на компараторе , 406, начать зарядку.Когда клемма «vp» поднимается выше уровня «vramp», может сработать компаратор , 406, , который отключает источник тока 436 и устанавливает первый уровень выборки. Поскольку компаратор 406 имеет более широкую полосу пропускания, чем схема зарядки, которая формирует источник тока, напряжение теплового шума на конденсаторе C 1 снижается до менее чем sqrt (KT / C). Смещение для сигнальной цепи теперь сохраняется в конденсаторе выборки C 1 .Затем обе линии ‘A’ и ‘B’ отключаются, и защелка , 430, снова сбрасывается, в то время как линия vramp к компаратору 406 увеличивается до максимального уровня, который может превышать эффективный выходной уровень смещение и уровень сигнала на химически чувствительном датчике 412 . Период отмены смещения может содержать временные последовательности, которые эффективно имитируют контур отрицательной обратной связи, который доводит напряжение конденсатора C 1 до значения, необходимого для соответствия опорному напряжению на компараторе, установленном входом Vramp.Цель состоит в том, чтобы зарядить конденсатор выборки C 1 до значения, которое заставляет компаратор 406 срабатывать для заданного задания на входе Vramp в компаратор 406 . Поскольку компаратор , 406, и путь данных к компаратору , 406, остаются неизменными от периода выбора строки до периода выбора сигнала, компаратор 406 всегда срабатывает, когда применяется одно и то же дифференциальное напряжение. Следовательно, первая выборка на компараторе , 406, эффективно «характеризует» тракт данных и сохраняет значение, необходимое для обнуления компаратора и тракта данных.Узел vp первоначально запускается при напряжении, установленном во время периода предварительной зарядки, например при заземлении. Напряжение vp может быть инициализировано до напряжения ниже опорного напряжения vramp, включая величину полного рассогласования между всеми компараторами , 406, . Когда линия A освобождается, а линия B активируется, и источник тока (например, источник тока, сформированный из транзисторов 421 , 423 и 427 ) начинает заряжать конденсатор C 1 .По сути, вход (vramp) в компаратор 406 перехватывается входом vp до тех пор, пока не сработает компаратор 406 . После срабатывания компаратора , 406, источник тока отключается, и значение, необходимое для запуска компаратора , 406, , фиксируется в конденсаторе C 1 . Теперь, когда это значение зафиксировано в конденсаторе C 1 , любые новые входные уровни, представленные в строке vpix (т. Е. В строке столбца), будут представлены компаратору 406 только как разница (дельта) между новым значением и начальное значение.Следовательно, вычитание между отсчетами заложено в конфигурации. Полоса пропускания компаратора , 406, на этой фазе может управляться так, чтобы она соответствовала определенной первой полосе пропускания, чтобы обеспечить быструю работу и подавление шума KTC.

Во время фазы сигнала выбора линия «rs» переключается на самый высокий потенциал, что толкает устройство выбора строки 414 в область триода. Уровень сигнала химически чувствительного датчика 412 теперь отображается в строке столбца, прикрепленной к конденсатору выборки C 1 .Напряжение химически чувствительного датчика , 412, затем подается через конденсатор выборки C 1 и удерживается, пока напряжение vramp падает.

Во время фазы преобразования (или фазы сигнала выбора) счет кода Грея может быть распределен по всем столбцам. Когда срабатывает компаратор 406 , «dout» становится высоким и фиксируется в счетчике кода Грея (не показан), который представляет цифровое значение пикселя 410 . Линия линейного нарастания (например, Vramp) может быть установлена ​​на напряжение, которое всегда превышает новое напряжение vpix.Чтобы начать аналого-цифровое преобразование, линия vramp может уменьшать напряжение синхронно со счетчиком кода Грея. Когда значение линейного изменения (Vramp) вызывает срабатывание компаратора , 406, , соответствующий код Грея фиксируется в локальных регистрах, соответствующих этой строке столбца. Затем зафиксированный код серого представляет собой сигнал отмены смещения. Полоса пропускания компаратора , 406, на более поздней фазе преобразования может управляться так, чтобы она находилась на второй полосе пропускания, чтобы обеспечить более медленную работу по сравнению с более ранней фазой отмены смещения.Работая медленнее, компаратор может обеспечивать фильтрацию теплового флюидного шума, создаваемого системой.

Фаза компенсации смещения была описана с помощью компаратора 406 , защелки 430 и источника тока в образце 420 столбца для зарядки конденсатора выборки C 1 . В качестве альтернативы можно использовать непрерывную обратную связь и рассматривать компаратор , 406, как операционный усилитель. В этом случае выход усилителя переключается на инвертирующий входной терминал усилителя.Высокое усиление в компараторе , 406, вынуждает входные клеммы практически сравняться. Таким образом, смещение компаратора , 406, и смещения перед конденсатором C 1 дискретизируются и отменяются, когда усилитель работает в конфигурации разомкнутого контура во время фазы преобразования. В этом случае непрерывный цикл отрицательной обратной связи выполняет требуемую отмену смещения. Метод, описанный с использованием конфигурации защелки столбца, может использовать конденсатор меньшего размера, чем реализация с непрерывным временем, потому что тепловой шум от дискретизации может быть уменьшен при правильном распределении полос пропускания.Компаратор может иметь большую полосу пропускания, чем схема зарядки источника тока. Для достижения этой большей полосы пропускания выходное сопротивление схемы зарядки может поддерживаться на высоком уровне за счет использования нескольких каскодных устройств.

РИС. 6 иллюстрирует альтернативный вариант осуществления системы MPDDS согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Подобно системе , 400, , описанной на фиг. 4, система , 600, может включать в себя пиксель , 610, , схему выборки столбца , 620 , компаратор , 606, и фиксатор столбца , 630 .Транзистор смещения , 605, может смещать пиксель , 610, на основе сигнала смещения vb. Пиксель , 610, может представлять собой двухтранзисторную конструкцию с транзистором выбора строки , 614, , подключенным к истоку химически чувствительного датчика , 612 . Сток химически чувствительного датчика , 612, может быть подключен к напряжению питания Vdda. Исток транзистора , 614, выбора строки может выводить сигнал из пикселя , 610, и подключаться к схеме , 620, выборки столбца и транзистору смещения , 605, .Образец , 620, столбца может обеспечивать схему считывания для считывания пикселей , 610, . Образец столбца 620 может включать в себя транзисторы 621 , 623 , 624 и 629 (которые образуют зеркальный источник тока), конденсатор выборки C 1 , транзистор сброса 622 и ток Рулевой транзистор 624 . Компаратор , 606, может обеспечивать функцию сравнения для входа, полученного от схемы , 620, выборки столбца, и опорного напряжения Vramp.Компаратор , 606, может быть усилителем с высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, приведенного к входу. Компаратор , 606, может быть подключен к защелке колонки , 630, . Защелка стойки , 630, может быть SR-защелкой. Защелка , 630, может быть сброшена с помощью «Latch_reset» и установлена ​​либо с помощью latch_set, либо с помощью выхода компаратора. Выходной сигнал схемы , 630, защелки может быть возвращен в образец , 620, столбца.

В работе система , 600, работает практически так же, как описанная выше система 400 .Система , 600, также может работать согласно временной диаграмме фиг. 5. Основное отличие состоит в том, что конфигурация схемы образца колонки 620 отличается от схемы образца колонки 420 (сформирована из транзисторов 421 , 423 425 , 427 и 429 ) . В частности, зеркальный источник тока, сформированный из транзисторов 621 , 623 , 624 и 629 для зарядки конденсатора выборки C 1 , отличается.На фиг. 4 ток перенаправляется при срабатывании защелки, тогда как ток просто отключается на фиг. 6. Хотя любая конфигурация обеспечивает правильную работу системы MPDDS 600 или 400 , конфигурация образца 420 столбца на фиг. 4 имеет преимущество в том, что ток, подаваемый в схему , 400, во время периода отмены, является постоянным. Работа с постоянным током может уменьшить помехи в источниках питания (не показаны), которые в противном случае могли бы повредить другие цепи, выполняющие ту же операцию.Другим отличием схемы , 620, образца колонки может быть конфигурация инверторов 631 по сравнению с инверторами в схеме 420 колонки. Конфигурация инвертора , 631, может обеспечивать дополнительную задержку по сравнению с инверторами в схеме 420 столбца выборки.

Могут возникнуть два разных несоответствия: несовпадение тока и несоответствие порогового значения. Используя вышеописанный способ двойной выборки в варианте осуществления пикселя с одним (1) транзистором, двойная выборка может выполняться против согласования тока.В единственном химически чувствительном транзисторном пикселе дополнительный транзистор (ы) вне пикселя (называемый транзистором характеристики) может использоваться для устранения несоответствия; в той степени, в которой характеристический транзистор в остальном спроектирован так, чтобы быть меньше, чем химически чувствительный транзистор, характеристический пиксель может быть увеличен до приблизительного размера химически чувствительного транзистора (за исключением структуры с плавающим затвором), чтобы уменьшить рассогласование. Выборки сигнала (тока или напряжения), взятые из транзистора (ов) дополнительной характеристики, могут использоваться для определения характеристик смещений и рассогласований одиночного химически чувствительного транзисторного пикселя.В варианте осуществления пикселя с одним транзистором дополнительные транзисторы могут быть дискретизированы для обеспечения эталонной выборки, которая характеризует пиксель, и пиксель может быть дискретизирован. В частности, ток пикселя может быть дискретизирован, и ток может быть переключен для прохождения через большие транзисторы за пределами пикселя, и ток через большие транзисторы может быть дискретизирован. Двойная дельта-выборка может быть взята между током пикселя в одной выборке и током характеристического транзистора в другой выборке.Обратите внимание, что несовпадение пороговых значений может быть минимальным.

Несовпадение и смещения устраняются без увеличения временного шума. Следует отметить, что при уменьшении несоответствия между пикселями все другие смещения на пути прохождения сигнала удаляются. Другие преимущества могут заключаться, например, в том, что низкочастотный шум (шум мерцания) может уменьшаться из-за быстрой двойной выборки. Помимо возможности удаления смещения на уровне пути прохождения сигнала, смещение также может быть удалено на уровне пикселя , 310, для каждого отдельного пикселя.В частности, шум 1 / f в компараторе уменьшается с использованием двойной дельта-дискретизации, поскольку интервал между отсчетами компаратора уменьшается на несколько порядков.

Хотя изобретение было описано выше со ссылкой на конкретные варианты осуществления, изобретение не ограничивается вышеупомянутыми вариантами осуществления и конкретными конфигурациями, показанными на чертежах. Рабочие процессы также не ограничиваются показанными в примерах. Специалисты в данной области техники поймут, что изобретение может быть реализовано другими способами, не выходя за рамки сущности и существенных особенностей изобретения.Таким образом, настоящие варианты осуществления следует рассматривать во всех отношениях как иллюстративные, а не как ограничительные. Объем изобретения указывается прилагаемой формулой изобретения, а не предшествующим описанием, и поэтому предполагается, что все изменения, которые входят в значение и диапазон эквивалентности формулы изобретения, включены в нее.

Несколько вариантов осуществления настоящего изобретения конкретно проиллюстрированы и описаны в данном документе. Специалисты в данной области техники могут понять из вышеприведенного описания, что настоящее изобретение может быть реализовано во множестве форм и что различные варианты воплощения могут быть реализованы по отдельности или в комбинации.В других случаях хорошо известные операции, компоненты и схемы не были описаны подробно, чтобы не затруднять понимание вариантов осуществления. Можно принять во внимание, что конкретные структурные и функциональные детали, раскрытые в данном документе, могут быть репрезентативными и не обязательно ограничивают объем вариантов осуществления. Следовательно, хотя варианты осуществления настоящего изобретения были описаны в связи с их конкретными примерами, истинный объем вариантов осуществления и / или способов настоящего изобретения не должен ограничиваться таким образом, поскольку другие модификации станут очевидными для квалифицированного практикующего специалиста после изучение чертежей, спецификации и следующей формулы изобретения.

Различные варианты осуществления могут быть реализованы с использованием аппаратных элементов, программных элементов или их комбинации. Примеры аппаратных элементов могут включать в себя процессоры, микропроцессоры, схемы, элементы схем (например, транзисторы, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и т. Д.), Интегральные схемы, специализированные интегральные схемы (ASIC), программируемые логические устройства (PLD), цифровой сигнал. процессоры (DSP), программируемая вентильная матрица (FPGA), логические вентили, регистры, полупроводниковые устройства, микросхемы, микрочипы, наборы микросхем и т. д.Примеры программного обеспечения могут включать в себя программные компоненты, программы, приложения, компьютерные программы, прикладные программы, системные программы, машинные программы, программное обеспечение операционной системы, промежуточное программное обеспечение, микропрограммное обеспечение, программные модули, процедуры, подпрограммы, функции, методы, процедуры, программные интерфейсы, прикладную программу. интерфейсы (API), наборы команд, вычислительный код, компьютерный код, сегменты кода, сегменты компьютерного кода, слова, значения, символы или любая их комбинация. Определение того, реализован ли вариант с использованием аппаратных элементов и / или программных элементов, может варьироваться в соответствии с любым количеством факторов, таких как желаемая скорость вычислений, уровни мощности, допуски на нагрев, бюджет цикла обработки, скорости входных данных, скорости выходных данных, ресурсы памяти. , скорости шины данных и другие ограничения конструкции или производительности.

Некоторые варианты осуществления могут быть реализованы, например, с использованием машиночитаемого носителя или предмета, который может хранить инструкцию или набор инструкций, которые, если они выполняются машиной, могут заставить машину выполнять метод и / или операции в в соответствии с вариантами осуществления. Такая машина может включать в себя, например, любую подходящую платформу обработки, вычислительную платформу, вычислительное устройство, устройство обработки, вычислительную систему, систему обработки, компьютер, процессор и т.п., и может быть реализована с использованием любой подходящей комбинации аппаратного обеспечения и / или программное обеспечение.Машиночитаемый носитель или изделие может включать в себя, например, любой подходящий тип модуля памяти, запоминающего устройства, запоминающего устройства, запоминающего устройства, запоминающего устройства, запоминающего устройства, носителя данных и / или запоминающего устройства, например, памяти, съемного или несъемный носитель, стираемый или нестираемый носитель, записываемый или перезаписываемый носитель, цифровой или аналоговый носитель, жесткий диск, дискета, компакт-диск только для чтения (CD-ROM), записываемый компакт-диск (CD-R), Перезаписываемый компакт-диск (CD-RW), оптический диск, магнитный носитель, магнитооптический носитель, съемные карты или диски памяти, различные типы универсальных цифровых дисков (DVD), лента, кассета и т.п.Инструкции могут включать в себя любой подходящий тип кода, такой как исходный код, скомпилированный код, интерпретируемый код, исполняемый код, статический код, динамический код, зашифрованный код и т.п., реализованный с использованием любого подходящего высокоуровневого, низкоуровневого объекта. -ориентированный, визуальный, компилируемый и / или интерпретируемый язык программирования.

PT-симметричный интерференционный транзистор

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 2 0 obj > поток application / pdfdoi: 10.1038 / s41598-018-34132-0

  • Springer US
  • Научные отчеты, DOI: 10.1038 / s41598-018-34132-0
  • PT-симметричный интерференционный транзистор
  • Александр Александрович Горбацевич
  • Геннадий Я. Красников
  • Шубин Николай Михайлович
  • 10.1038 / s41598-018-34132-0 http://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-34132-0journal Научные отчеты © 2018, Автор (ы) 2045-232210.1038 / s41598-018-34132-0Springer2018-10- 19T13: 22: 50 + 02: 002018-10-19T13: 22: 50 + 02: 002018-10-18T16: 11: 00 + 05: 30TrueiText® 5.3.5 © 2000-2012 1T3XT BVBA (AGPL-версия) VoRuuid: 707efdca-9806-43bf-b051-70a684a673dbuuid: 5358bbfa-c3b8-448a-9596-2a1ec7abef0bdefault1
  • преобразовано в PDF-файл 8c6329-bdd18c632945-bdd18c832945-bdd18c632945-конвертированный в PDF-файл. 2bpdfToolbox2018-10-18T16: 11: 54 + 05: 30
  • 2B
  • http://ns.adobe.com/pdf/1.3/pdfAdobe PDF Schema
  • internal Объект имени, указывающий, был ли документ изменен для включения информации о треппинге TrappedText
  • http: // ns.adobe.com/pdfx/1.3/pdfxpdfx
  • внутренний идентификатор стандарта PDF / X GTS_PDFXVersionText
  • внутренний Уровень соответствия стандарту PDF / X GTS_PDFXТекст соответствия
  • internal Компания, создающая PDF-файлCompanyText
  • internal Дата последнего изменения документа SourceModifiedText
  • Крест внутренних зеркал: DOIdoiText
  • http: // ns.adobe.com/xap/1.0/mm/xmpMMXMP Media Management Schema
  • внутренний идентификатор на основе UUID для конкретного воплощения документа InstanceIDURI
  • внутренний — Общий идентификатор для всех версий и представлений документа.
  • http://www.aiim.org/pdfa/ns/id/pdfaidPDF/A ID Schema
  • internalPart of PDF / A standardpartInteger
  • внутренняя Поправка к стандарту PDF / A amdText
  • внутренний Уровень соответствия стандарту PDF / A Текст
  • http: // prismstandard.org / namespaces / basic / 2.0 / prismPrism
  • external Тип агрегирования определяет единицу агрегирования для коллекции контента. Комментарий PRISM рекомендует использовать словарь с контролируемым типом агрегирования PRISM для предоставления значений для этого элемента. Примечание: PRISM не рекомендует использовать значение #other, разрешенное в настоящее время в этом контролируемом словаре. Вместо использования #other обратитесь к группе PRISM по адресу [email protected], чтобы запросить добавление вашего термина в словарь с контролируемым типом агрегирования.aggregationTypeText
  • externalCopyright copyrightText
  • external — цифровой идентификатор объекта для статьи. DOI также может использоваться как идентификатор dc :. Если используется в качестве идентификатора dc: identifier, форма URI должна быть захвачена, а пустой идентификатор также должен быть захвачен с помощью prism: doi. Если в качестве обязательного идентификатора dc: identifier используется альтернативный уникальный идентификатор, то DOI должен быть указан как чистый идентификатор только в пределах prism: doi.Если URL-адрес, связанный с DOI, должен быть указан, тогда prism: url может использоваться вместе с prism: doi для предоставления конечной точки службы (то есть URL-адреса). doiText
  • externalISSN для электронной версии проблемы, в которой встречается ресурс. Разрешает издателям включать второй ISSN, идентифицирующий электронную версию проблемы, в которой встречается ресурс (следовательно, e (lectronic) Issn. Если используется, prism: eIssn ДОЛЖЕН содержать ISSN электронной версии.См. Призму: исн. issnText
  • external Название журнала или другого издания, в котором был / будет опубликован ресурс. Обычно это используется для предоставления названия журнала, в котором появилась статья, в качестве метаданных для статьи, а также такой информации, как название статьи, издатель, том, номер и дата обложки. Примечание. Название публикации можно использовать для различения печатного журнала и онлайн-версии, если названия разные, например, «журнал» и «журнал».com. » PublicationNameText
  • externalЭтот элемент предоставляет URL-адрес статьи или единицы содержания. Платформа атрибутов необязательно разрешена для ситуаций, в которых необходимо указать несколько URL-адресов. PRISM рекомендует использовать вместе с этим элементом подмножество значений платформы PCV, а именно «мобильный» и «Интернет». ПРИМЕЧАНИЕ. PRISM не рекомендует использовать значение #other, разрешенное в управляемом словаре платформы PRISM. Вместо использования #other обратитесь к группе PRISM по адресу prism-wg @ yahoogroups.com, чтобы запросить добавление вашего термина в словарь, контролируемый платформой. urlText
  • http://www.niso.org/schemas/jav/1.0/javNISO
  • external Значения для версии статьи журнала являются одним из следующих: AO = Авторский оригинал SMUR = Представленная рукопись на рассмотрении AM = принятая рукопись P = Доказательство VoR = версия записи CVoR = Исправленная версия записи EVoR = Расширенная версия Recordjournal_article_versionClosed Выбор текста
  • конечный поток эндобдж 3 0 obj > эндобдж 8 0 объект [9 0 R 10 0 R 11 0 R 12 0 R 13 0 R 14 0 R 15 0 R 16 0 R 17 0 R 18 0 R 19 0 R 20 0 R 21 0 R 22 0 R 23 0 R 24 0 R 25 0 R 26 0 R 27 0 R 28 0 R] эндобдж 9 0 объект

    % PDF-1.6 % 858 0 объект > эндобдж xref 858 89 0000000016 00000 н. 0000003134 00000 п. 0000003320 00000 н. 0000004169 00000 п. 0000004844 00000 н. 0000005617 00000 н. 0000006343 00000 п. 0000006834 00000 н. 0000006970 00000 п. 0000007655 00000 н. 0000008127 00000 н. 0000008259 00000 н. 0000008314 00000 н. 0000008926 00000 н. 0000008979 00000 н. 0000009067 00000 н. 0000009718 00000 н. 0000009807 00000 н. 0000011828 00000 п. 0000011983 00000 п. 0000012173 00000 п. 0000012378 00000 п. 0000012889 00000 п. 0000013319 00000 п. 0000013654 00000 п. 0000013836 00000 п. 0000014265 00000 п. 0000014781 00000 п. 0000016715 00000 п. 0000016886 00000 п. 0000018639 00000 п. 0000020411 00000 п. 0000020833 00000 п. 0000021023 00000 п. 0000022847 00000 п. 0000023123 00000 п. 0000023485 00000 п. 0000024143 00000 п. 0000024548 00000 п. 0000026339 00000 п. 0000026740 00000 п. 0000027217 00000 п. 0000027387 00000 п. 0000027875 00000 п. 0000028160 00000 п. 0000028446 00000 п. 0000028615 00000 п. 0000028813 00000 п. 0000028971 00000 п. 0000029167 00000 п. 0000029610 00000 п. 0000030044 00000 п. 0000030338 00000 п. 0000030692 00000 п. 0000031162 00000 п. 0000031576 00000 п. 0000033245 00000 п. 0000033638 00000 п. 0000035676 00000 п. 0000044010 00000 п. 0000049266 00000 п. 0000051461 00000 п. 0000052270 00000 п. 0000055111 00000 п. 0000055787 00000 п. 0000056231 00000 п. 0000056279 00000 п. 0000061009 00000 п. 0000063776 00000 п. 0000063840 00000 п. 0000067245 00000 п. 00000 00000 н. 00000 00000 п. 00000 00000 п. 0000106593 00000 н. 0000106871 00000 н. 0000107310 00000 п. 0000107595 00000 п. 0000107688 00000 н. 0000107779 00000 п. 0000108281 00000 п. 0000108559 00000 н. 0000108644 00000 н. 0000108928 00000 н. 0000109195 00000 п. 0000125399 00000 н. 0000138916 00000 н. 0000152164 00000 н. 0000002076 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 946 0 объект > поток x ڜ Tkh [e ~ sɹ $ Ē @; F Ә4C’M & k & Ymz! @ 0P?% / Y>

    Закупаем транзисторы в Украине у физических и юридических лиц

    Покупаем транзисторы различных типов, бывшие в употреблении в Советском Союзе.Нас интересуют: КТ; 2 т; КП; 2 П, в круглом плоском металлическом корпусе, а также силовые транзисторы.

    Посмотреть фото транзисторов или перейти к прайс-листу.

    Транзисторы КТ, 2Т, КП, 2П

    Транзисторы: КТ, 2Т, КП, 2П 2Т, КТ 930, 931, 958, 960 и другие, 2Т 862, 866 и др., 2Т, КТ 9104, 3П, 2Т 962, 602 и др., 2Т, КТ 966, 2Т , КТ 965, 2П, КП 701, 702, 703, 803, 2Т, КТ 920, 922, 934, 962 и др., 2Т, КТ, 2П, КП 610, 905, 907, 939 и др., 2Т 951, 11.2Т , КТ 964, 950, 970 и др., 2Т, КТ 909, 13.2Т, КТ 919 и т. Д., 2Т, КТ 606, 904, 907 и др., 2Т, КТ, 2П, КП 921, 903, 905, 2Т, КТ 3120, 3101, 372 и др., 2Т3123 , 18.2Т, КТ, П 307, 308, 601, 603, 608, 2Т, КТ 505, 630, 708, 830 и др., 2Т, КТ, 2П, КП 103, 201, 203, 208, 350 и др., 2Т , КТ, 2П, КП 904, 912, 944, 947 и др., 2Т, КТ 704, 926, 935 и др., КТ801, тиристоры 2У, КУ, 1Т, ГТ 311, воплощенные транзисторы., П701, КТ 815, 816, 817, 940, 961 и др., КТ 201, 203, 502 и др., Оптопары ОЭП-16, 2Т, КТ 802, 803, 808, 809, 908., 2Т, КТ 301, 312 и др., 2Т, КТ 301, 312 (белый) и др., Оптотиристоры-разветвители 3ОУ, АОУ, 3ОТ, АОТ.

    Купим транзисторы зарубежного производства в керамическом, круглом, планарном корпусе DIR. Интересуют закупочные индикаторы AЛC (3ЛC) 321; 324; 338; 333 и светодиоды.

    Вы можете доставить радиодетали к нам как самостоятельно на нашем складе, так и по почте, воспользовавшись услугами службы доставки «Новая Почта». Если у вас большое количество транзисторов, мы можем приехать к вам по адресу и забрать детали.

    Что такое транзистор?

    Термин «транзистор» — это слово английского происхождения, которое означает «преобразователь», «сопротивление». Транзистор представляет собой полупроводник, который предназначен по любой схеме для преобразования сопротивления, усиления и генерации процессов электрических колебаний. Транзистор — это своего рода кристалл в пластиковом или металлическом корпусе с тремя выводами.

    В настоящее время широко используются биполярные и полевые транзисторы. Полевые транзисторы используются в устройствах цифровой радиоэлектроники из-за их быстродействия и экономичности.

    Уважаемые потенциальные покупатели, ждем ваших предложений!

    Биполярный переходной транзистор (Bjt) — Курсовая работа

    Похожие документы