Маркировка полевых транзисторов smd: Маркировка полевых SMD — транзисторов | SMD — поверхностный монтаж

Содержание

Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet

Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet

Краткое содержание справочников по электронике.

В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.

В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.

В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.

В справочники по транзисторам кт… включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
Составные транзисторы
(например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.

Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.

В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.

В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.

В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.

В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.

В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.

В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.

В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.

В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.

В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов.

Калькулятор цветовой маркировки резисторов.

Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.

В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.

Отечественные операционные усилители. Справочник.

В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets. Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.

В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.

В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.

Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания

В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.

Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.

Отечественные оптроны. Справочник.

В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.

В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.

В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.

Примеры расчетов параметров схем с использованием документации:

*параметры транзисторы справочник условных обозначений* карта сайта

контактный адрес:

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора || AllTransistors.com

 

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить неисправный MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

  1. Узнать полное наименование транзистора по его маркировке. Для MOSFET-транзистора в корпусе СМД название можно расшифровать по маркировке: СМД-коды 🔗.
  2. Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
  3. Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
  4. Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Из числовых параметров это, прежде всего предельные характеристики, такие как Pd — максимальная рассеиваемая мощность, Vds — максимальное напряжение сток-исток, Vgs — максимальное напряжение затвор-исток, Id — максимальный ток стока. У подбираемого транзистора эти параметры должны быть не меньше чем у исходного транзистора.

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

 

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th) имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить, срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

 

 

 

Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1 Элемент 2 Элемент 3 Элемент 4
Буква — код материала :
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPSA-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент – буква Г , К , А или цифра 1 , 2 , 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1 . Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2 . Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3 . Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия .

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

10.Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:

· исток (англ. source ) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

· сток (англ. drain ) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

· затвор (англ. gate ) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Маркировка полевых транзисторов , применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.

§ Первый символ — буква или цифра , указывает (как и в случае маркировке диодов ) исходный полупроводниковый материал;

§ Второй символ — буква , обозначает класс прибора: П — полевые, Т — биполярные транзисторы;

§ Третий символ — цифра (от 1 до 9 ), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;

§ Четвертый и пятый символы — цифры (от 01 до 99 ), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ — буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.

11. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор , изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.

При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.


V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения

Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

  • КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
  • КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
  • КТ973А — один квадрат.
  • КТ973Б — два квадрата.
  • КТ646А — один треугольник.
  • КТ646Б — слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

  • КТ 814 — серо-бежевый;
  • КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
  • КТ 816 — розово-красный;
  • КТ 817 — серо-зеленый;
  • КТ 683 — фиолетовый;
  • КТ9115 — голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие.  Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).

Элемент 3. Содержит серийный номер.

Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.

Элемент 1 Элемент 2 Элемент 3 Элемент 4
Число P-N переходов:
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор
Буква
N
Серийный номер:
100-9999
Буква:
модификация прибора

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

А — германий
В — кремний
С — арсенид галлия
R — сульфид кадмия

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5.  Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1 Элемент 2 Элемент 3 Элемент 4
Буква — код материала:
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

А — высокочастотный p-n-p транзистор
В — низкочастотный p-n-p транзистор
С — высокочастотный n-p-n транзистор
D — низкочастотный n-p-n транзистор
Е — диод Есаки
F — тиристор
G — диод Ганна
Н — однопереходный транзистор
I — полевой транзистор с p-каналом
К — полевой транзистор с n-каналом
М — симметричный тиристор (симистор)
Q — светодиод
R — выпрямительный диод
S — слаботочный диод
Т — лавинный диод
V — варикап
Z — стабилитрон

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Маркировка smd транзисторов — расшифровка кодовых обозначений

A1 SOT-343R BGA2001 MMIC усилитель Скачать
A1 SOT-753 FMA1A Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 SOT-353 UMA1N Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 GN* DFN-8 3×3 P2003BEA N-канальный MOSFET Скачать
A1* VDFN-8 2×2 RT9011-KNPQV Стабилизатор напряжения Скачать
A1** SOT-23 AO3401L Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1** SOT-25 APS1006ET5 Понижающий преобразователь Скачать
A1** SOT-25 N6200M5G Понижающий преобразователь Скачать
A1*** SOT-23 Si2301DS Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1-*** SOT-353 RT9193-33PU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-343 RT9198-18PY Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-25 RT9261-50PB Повышающий преобразователь Скачать
A1-*** SOT-26 RT9284A-15PJ6 Драйвер светодиода Скачать
A1-*** SOT-25 RT9284APJ5 Драйвер светодиода Скачать
A10* SOT-23 ELM9710NBA Детектор напряжения Скачать
A1013 TO-92 2SA1013 PNP транзистор Скачать
A1038S SPT / SC-72 2SA1038S PNP транзистор Скачать
A10A DO-214AA 1KSMB6.8A Защитный диод Скачать
A10B DO-214AA 1KSMB7.5A Защитный диод Скачать
A10C DO-214AA 1KSMB8.2A Защитный диод Скачать
A10D DO-214AA 1KSMB9.1A Защитный диод Скачать
A10E DO-214AA 1KSMB10A Защитный диод Скачать
A10F DO-214AA 1KSMB11A Защитный диод Скачать
A10G DO-214AA 1KSMB12A Защитный диод Скачать
A10H DO-214AA 1KSMB13A Защитный диод Скачать
A10I DO-214AA 1KSMB15A Защитный диод Скачать
A10J DO-214AA 1KSMB16A Защитный диод Скачать
A10K DO-214AA 1KSMB18A Защитный диод Скачать
A10L DO-214AA 1KSMB20A Защитный диод Скачать
A10M DO-214AA 1KSMB22A Защитный диод Скачать
A10N DO-214AA 1KSMB24A Защитный диод Скачать
A10O DO-214AA 1KSMB27A Защитный диод Скачать
A10P DO-214AA 1KSMB30A Защитный диод Скачать
A10Q DO-214AA 1KSMB33A Защитный диод Скачать
A10R DO-214AA 1KSMB36A Защитный диод Скачать
A10S DO-214AA 1KSMB39A Защитный диод Скачать
A10T DO-214AA 1KSMB43A Защитный диод Скачать
A10U DO-214AA 1KSMB47A Защитный диод Скачать
A10V DO-214AA 1KSMB51A Защитный диод Скачать
A10W DO-214AA 1KSMB56A Защитный диод Скачать
A10X DO-214AA 1KSMB62A Защитный диод Скачать
A10Y DO-214AA 1KSMB68A Защитный диод Скачать
A10Z DO-214AA 1KSMB75A Защитный диод Скачать
A11 SOT-26 ADT7110 Драйвер светодиода Скачать
A11 SOT-23 MMBD1501A Диод Скачать
A11* SOT-23 ELM9711NBA Детектор напряжения Скачать
A113ZS SPT / SC-72 DTA113ZSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114GS SPT / SC-72 DTA114GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114TS SPT / SC-72 DTA114TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114WS SPT / SC-72 DTA114WSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114YS SPT / SC-72 DTA114YM Цифровой PNP транзистор Скачать
A115ES SPT / SC-72 DTA115ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A115TS SPT / SC-72 DTA115TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123JS SPT / SC-72 DTA123JSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123YS SPT / SC-72 DTA123YSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124ES SPT / SC-72 DTA124ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124GS SPT / SC-72 DTA124GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124TS SPT / SC-72 DTA124TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124XS SPT / SC-72 DTA124XSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A125TS SPT / SC-72 DTA125TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A13 SOT-23 MMBD1503A Диоды Скачать
A14 SOT-23 MMBD1504A Диоды Скачать
A14 SOT-23 MMBD1504A Диоды Скачать
A143** SPT / SC-72 DTA143ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144ES TO-92S DTA144ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144VS SPT / SC-72 DTA144VSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A15 SOT-23 MMBD1505A Диоды Скачать
A1515S SPT / SC-72 2SA1515S PNP транзистор Скачать
A1585S SPT / SC-72 2SA1585S PNP транзистор Скачать
A16* SOT-25 KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A17 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A17* SOT-25 KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A1727 SOT-428 2SA1727 PNP транзистор Скачать
A1776 ATV 2SA1776 PNP транзистор Скачать
A18 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1862 SOT-428 2SA1862 PNP транзистор Скачать
A19 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1=*** SOT-353 RT9193-33GU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1C LFCSP_VD 3×3 SSM2301CPZ Аудио усилитель Скачать
A1C MSOP-8 SSM2301RMZ Аудио усилитель Скачать
A1O* SOT-89 STB1132 PNP транзистор Скачать
A1Y* SOT-89 STB1132 PNP транзистор Скачать

Маркировка электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD)

Маркировка электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD)

Маркировка электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD)
  • Введение (настоятельно рекомендуется ознакомиться с принципом кодировки SMD-компонентов)
    • Эквиваленты различных корпусов (пакетов)
  • Маркировка SMD — диодов
    • Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett-Packard
    • Маркировка SMD-диодов в цилиндрических корпусах
    • Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-123
    • Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80
  • Маркировка SMD — конденсаторов
    • Маркировка керамических SMD — конденсаторов.
    • Маркировка электролитических SMD — конденсаторов.
    • Маркировка танталовых SMD — конденсаторов
  • Маркировка SMD — резисторов
  • Маркировка биполярных SMD — транзисторов
  • Маркировка полевых SMD — транзисторов
  • Маркировка электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD)
    Приборы, маркировка которых начинается с символа:
    • 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0
    • A B C D E F G H I  J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
  • Корпуса SMD — компонентов
    • Габаритные размеры SOT-23, SC-59
    • Габаритные размеры SOT-323/SC-70, SOT-416/SC-90
    • Габаритные размеры SOT-223, SOT-89
    • Габаритные размеры SOT-143, SOT-363
  • Цоколевка SMD — компонентов
    • A, B, C, D, E, F
    • G, H, I, J, K
    • Q, R, S, T, U, V
    • AQ, BQ, CQ, DQ, EQ, FQ
    • CS, CX, CY, CZ
    • DA, DB, DC, DD, DE,  DF
    • DG, DH, DI, DJ, DK, DL
    • DM, DN, DO, DP, DR, DS
    • GQ, HQ, IQ, JQ, LQ, KQ
    • MQ, NQ, PQ, QQ, RQ, SQ

 

 


Рекомендуемый контент

Радиолюбителю

Copyright © 2010-2021 housea.ru. Контакты: [email protected] При использовании материалов веб-сайта Домашнее Радио, гиперссылка на источник обязательна.

маркировка полевой транзистор

 
        

использование транзисторов

Транзистор

транзисторы продам

(от

мп39 транзистор

англ.

драйвер транзистора

transfer

схема полевого транзистора

— переносить

коммутатор транзистор

и

обозначение транзисторов

resistance

усилитель на полевом транзисторе

— сопротивление

datasheet транзистор

или

n p n транзистор

transconductance

схема унч на транзисторах

полевые транзисторы характеристики

активная

полевые транзисторы справочник

межэлектродная

как работает транзистор

проводимость

как прозвонить транзистор

и

транзисторы большой мощности

varistor —

зарубежные транзисторы скачать

переменное

транзистор ру

сопротивление)

igbt транзисторы

— электронный

мощные транзисторы

прибор

цоколевка полевого транзистора

из полупроводникового

транзистор кт827

материала,

унч на полевых транзисторах

обычно

транзисторы tip

с

биполярный транзистор принцип работы

тремя

транзистор принцип работы

выводами, позволяющий входным

генератор на транзисторе

сигналам

как сделать транзистор

управлять

работа полевых транзисторов

током

полевой транзистор принцип работы

в

транзисторы большой мощности

электрической цепи.

mosfet транзисторы

Обычно

импульсный транзистор

используется

планарные транзисторы

для

проверка транзисторов

усиления,

схема унч на транзисторах

генерирования

полевой транзистор применение

и преобразования

кодовая маркировка транзисторов

электрических

параметры транзисторов

сигналов.

маркировка полевой транзистор


        

транзисторы отечественные

Управление

металлоискатель на транзисторах

током в

советские транзисторы

выходной

полевой транзистор принцип работы

цепи

параметры транзисторов

осуществляется за счёт

igbt транзисторы

изменения

кодовая маркировка транзисторов

входного

фото транзисторов

напряжения или

защита транзистора

тока.

биполярный транзистор принцип работы

Небольшое

igbt транзисторы

изменение

схема транзистора

входных величин

смд транзисторы

может

транзисторы irf

приводить к

трансформатор тесла на транзисторе

существенно

полевых транзисторов

большему

биполярный транзистор

изменению

советские транзисторы

выходного

скачать бесплатно справочник по транзисторам

напряжения

стабилизатор напряжения на транзисторе

и

1 транзистор

тока. Это

транзисторы продам

усилительное

усилитель звука на транзисторах

свойство

использование транзисторов

транзисторов используется

транзистор 3102

в

структура транзистора

аналоговой

транзистор 9014

технике

принцип работы полевого транзистора

(аналоговые

биполярные транзисторы справочник

ТВ, радио,

транзистор кт819

связь

стабилизатор напряжения на транзисторе

и

советские транзисторы

т.

транзистор d2499

п.).

маркировка полевой транзистор


         В

цифровой транзистор

настоящее

13003 транзистор

время

зарубежные транзисторы и их аналоги

в

полевой транзистор параметры

аналоговой

преобразователь на полевом транзисторе

технике

прямой транзистор

доминируют биполярные

маркировка импортных транзисторов

транзисторы

маркировка smd транзисторов

(БТ)

смд транзисторы

(международный

регулятор на полевом транзисторе

термин

трансформатор тесла на транзисторе

работа полевых транзисторов

BJT,

принцип транзистора

bipolar

s8050 транзистор

junction

транзистор d1555

transistor).

мощный полевой транзистор

Другой

ключ на биполярном транзисторе

важнейшей

усилитель мощности на полевых транзисторах

отраслью

блок питания на полевом транзисторе

электроники

блокинг генератор на транзисторе

является

устройство транзистора

цифровая

цветовая маркировка транзисторов

техника

радио транзистор

(логика,

блокинг генератор на транзисторе

память, процессоры,

транзистор pnp

компьютеры,

как подключить транзистор

цифровая

блокинг генератор на транзисторе

связь

импортные транзисторы справочник

и

база транзисторов

т.

вах транзистора

п.), где,

маркировка полевого транзистора

напротив,

маркировка полевого транзистора

биполярные транзисторы почти

завод транзистор

полностью

применение транзисторов

вытеснены

принцип транзистора

полевыми.

маркировка полевой транзистор


        

как проверить транзистор

Вся

13009 транзистор

современная цифровая

мощный полевой транзистор

техника

мдп транзистор

построена,

транзисторы продам

в

транзисторы irf

основном,

продажа транзисторы

на

13001 транзистор

полевых

транзистор процессор

МОП

типы транзисторов

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

аналоги импортных транзисторов

(МОПТ),

регулятор на полевом транзисторе

как более

транзистор процессор

экономичных,

полевой транзистор схема

по

характеристики полевых транзисторов

сравнению

транзистор pnp

с

конструкция транзистора

БТ,

d880 транзистор

элементах. Иногда

транзистор мп

их

подключение транзистора

называют

преобразователь напряжения на транзисторах

МДП

работа транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

n p n транзистор

транзисторы.

315 транзистор

Международный

маркировка полевого транзистора

термин

принцип действия транзистора

транзисторы тиристоры

MOSFET

транзистор кт827

(metal-oxide-semiconductor

параметры транзисторов

field effect

полевой транзистор схема

transistor).

триггер на транзисторах

Транзисторы изготавливаются

вч транзисторы

в

полевые транзисторы параметры

рамках

преобразователь на полевом транзисторе

интегральной технологии

усилитель звука на транзисторах

на

маркировка импортных транзисторов

одном

испытатель транзисторов

кремниевом

транзисторы отечественные

кристалле

транзисторы микросхемы

(чипе) и

фото транзисторов

составляют

цоколевка транзисторов

элементарный

тесла на транзисторах

«кирпичик» для

стабилизатор тока на транзисторе

построения

полевой транзистор схема

микросхем логики,

p канальный транзистор

памяти,

схема включения полевого транзистора

процессора

мощные биполярные транзисторы

и

транзистор кт3102

т.

транзисторы микросхемы

п.

маркировка полевого транзистора

Размеры

стабилизатор напряжения на транзисторе

современных МОПТ

справочник по зарубежным транзисторам

составляют

транзисторы bu

от

тесла на транзисторах

90

n p n транзистор

до

включение биполярного транзистора

32

принцип работы полевых транзисторов

нм[источник

ключи на полевых транзисторах

не указан

испытатель транзисторов

134

подбор транзисторов по параметрам

дня].

как проверить транзистор

На одном

цоколевка импортных транзисторов

современном

аналоги транзисторов

чипе

генератор на полевом транзисторе

(обычно размером

6822 транзистор

1—2

импортные транзисторы справочник

см?)

mosfet транзисторы

размещаются

работа биполярного транзистора

несколько

мощные полевые транзисторы

(пока единицы)

маркировка транзисторов

миллиардов

13009 транзистор

МОПТ.

d209l транзистор

На

принцип действия транзистора

протяжении

аналоги отечественных транзисторов

60

транзисторы куплю

лет происходит уменьшение размеров

цветовая маркировка транзисторов

(миниатюризация) МОПТ и

биполярные транзисторы справочник

увеличение их

схемы включения полевых транзисторов

количества

цоколевка транзисторов

на

цветовая маркировка транзисторов

одном

усилитель на транзисторах

чипе (степень

мосфет транзисторы

интеграции),

транзистор кт

в

полевой транзистор цоколевка

ближайшие

коммутатор транзистор

годы

коллектор транзистора

ожидается дальнейшее

советские транзисторы

увеличение

коэффициент усиления транзистора

степени интеграции

схема включения полевого транзистора

транзисторов

строчные транзисторы

на

реле на транзисторе

чипе

параметры полевых транзисторов

(см.

1 транзистор

Закон

унч на полевых транзисторах

Мура).

транзистор принцип работы

Уменьшение размеров

транзистор это просто

МОПТ

включение биполярного транзистора

приводит

скачать бесплатно справочник по транзисторам

также

радиоприемник на транзисторах

к

транзистор это просто

повышению быстродействия процессоров.

маркировка полевой транзистор


        

маркировка импортных транзисторов

Первые патенты

цоколевка импортных транзисторов

на

транзистор дарлингтона

принцип работы

прибор для проверки транзисторов

полевых

умзч на транзисторах

транзисторов

конструкция транзистора

были зарегистрированы

высокочастотные транзисторы

в

принцип транзистора

Германии в

n p n транзистор

1928

силовые транзисторы

году

лавинный транзистор

справочник полевых транзисторов

Канаде, 22

полевые транзисторы импортные справочник

октября

транзисторы куплю

1925

блок питания на полевых транзисторах

года)

обозначение транзисторов на схеме

на

транзисторы tip

имя

простой усилитель на транзисторах

австро-венгерского

мп39 транзистор

физика

транзистор затвор сток исток

Юлия Эдгара

составной транзистор

Лилиенфельда.[источник

схема подключения транзистора

не

генератор на транзисторе

указан

драйвер транзистора

107

лавинный транзистор

дней] В

транзисторы irf

1934 году

типы корпусов транзисторов

немецкий

принцип работы полевого транзистора

физик

ключи на полевых транзисторах

Оскар

транзистор в ключевом режиме

Хейл

конструкция транзистора

запатентовал

усилитель звука на транзисторах

полевой

полевые транзисторы импортные справочник

транзистор.

радио транзистор

Полевые

регулятор на полевом транзисторе

транзисторы

315 транзистор

как проверить транзистор мультиметром

частности, МОП-транзисторы)

аналоги отечественных транзисторов

основаны

как работает транзистор

на

схема включения полевого транзистора

простом

конструкция транзистора

электростатическом

13003 транзистор

эффекте

как сделать транзистор

поля,

тесла на транзисторах

по

схема включения полевого транзистора

физике

транзистор 3102

они

как проверить полевые транзисторы

существенно

биполярный транзистор принцип работы

проще

n p n транзистор

биполярных транзисторов,

блок питания на полевом транзисторе

и поэтому

усилительный каскад на транзисторе

они

зарубежные транзисторы и их аналоги

придуманы

мощные полевые транзисторы

и

выходная характеристика транзистора

запатентованы

стабилизатор на полевом транзисторе

задолго

как прозванивать транзисторы

до биполярных

поиск транзисторов

транзисторов.

транзистор принцип работы

Тем

ключ на биполярном транзисторе

не

драйвер транзистора

менее,

транзисторы irf

первый

параметры биполярных транзисторов

МОП-транзистор,

управление полевым транзистором

составляющий

стабилизатор на полевом транзисторе

основу

транзистор кт

современной компьютерной

справочник аналогов транзисторов

индустрии,

мощные транзисторы

был

datasheet транзистор

изготовлен

аналоги импортных транзисторов

позже биполярного

прямой транзистор

транзистора,

советские транзисторы

в

13003 транзистор

1960

коэффициент усиления транзистора

году. Только

полевой транзистор характеристики

в

биполярный транзистор принцип работы

90-х

параметры транзисторов

годах XX

включение биполярного транзистора

века МОП-технология

полевой транзистор принцип работы

стала

полевой транзистор принцип работы

доминировать

полевой транзистор применение

над биполярной.

маркировка полевой транзистор

маркировка полевой транзистор

Полевой транзистор »Электроника

Полевой транзистор, полевой транзистор, представляет собой трехконтактное активное устройство, которое использует электрическое поле для управления током и имеет высокий входной импеданс, который используется во многих схемах.


FET, полевой транзистор, руководство включает:
FET основы Характеристики полевого транзистора JFET МОП-транзистор МОП-транзистор с двойным затвором Силовой МОП-транзистор MESFET / GaAs полевой транзистор HEMT & PHEMT Технология FinFET


Полевой транзистор FET — ключевой электронный компонент, используемый во многих областях электронной промышленности.

Полевой транзистор, используемый во многих схемах, состоящих из дискретных электронных компонентов, в областях от ВЧ-технологий до управления мощностью и электронного переключения до общего усиления.

Однако в основном полевые транзисторы используются в интегральных схемах. В этом приложении схемы на полевых транзисторах потребляют гораздо меньше энергии, чем микросхемы, использующие технологию биполярных транзисторов. Это позволяет работать очень крупным интегральным схемам. Если бы использовалась биполярная технология, потребляемая мощность была бы на несколько порядков больше, а генерируемая мощность была бы слишком большой, чтобы рассеиваться на интегральной схеме.

Помимо использования в интегральных схемах, дискретные версии полевых транзисторов доступны как в виде выводных электронных компонентов, так и в качестве устройств для поверхностного монтажа.

Типичные полевые транзисторы

Полевой транзистор, история полевых транзисторов

До того, как первые полевые транзисторы были представлены на рынке электронных компонентов, эта концепция была известна в течение ряда лет. Было много трудностей в реализации этого типа устройства и в том, чтобы заставить его работать.

Некоторые из ранних концепций полевого транзистора были изложены в статье Лилиенфилда в 1926 году и в другой статье Хайля в 1935 году.

Следующие основы были заложены в 1940-х годах в Bell Laboratories, где была создана группа по исследованию полупроводников. Эта группа исследовала ряд областей, относящихся к полупроводникам и полупроводниковой технологии, одним из которых было устройство, которое могло бы модулировать ток, протекающий в полупроводниковом канале, путем размещения электрического поля рядом с ним.

Во время этих ранних экспериментов исследователи не смогли воплотить идею в жизнь, превратив свои идеи в другую идею и, в конечном итоге, изобрели другую форму компонента полупроводниковой электроники: биполярный транзистор.

После этого большая часть исследований в области полупроводников была сосредоточена на улучшении биполярного транзистора, и идея полевого транзистора некоторое время не была полностью исследована. Сейчас полевые транзисторы очень широко используются, являясь основным активным элементом во многих интегральных схемах.Без этих электронных компонентов технология электроники была бы совсем другой, чем сейчас.

Полевой транзистор — основы

Концепция полевого транзистора основана на концепции, согласно которой заряд на соседнем объекте может притягивать заряды в полупроводниковом канале. По сути, он работает с использованием эффекта электрического поля — отсюда и название.

Полевой транзистор состоит из полупроводникового канала с электродами на обоих концах, называемых стоком и истоком.

Управляющий электрод, называемый затвором, помещается в непосредственной близости от канала, так что его электрический заряд может влиять на канал.

Таким образом, затвор полевого транзистора контролирует поток носителей (электронов или дырок), текущий от истока к стоку. Он делает это, контролируя размер и форму проводящего канала.

Полупроводниковый канал, по которому протекает ток, может быть P-типа или N-типа. Это дает начало двум типам или категориям полевых транзисторов, известных как полевые транзисторы с P-каналом и N-каналом.

Кроме этого, есть еще две категории. Увеличение напряжения на затворе может либо истощить, либо увеличить количество носителей заряда, доступных в канале. В результате есть полевые транзисторы в режиме улучшения и полевые транзисторы в режиме истощения.

Обозначение схемы соединения на полевом транзисторе

Поскольку только электрическое поле управляет током, протекающим в канале, говорят, что устройство работает от напряжения и имеет высокое входное сопротивление, обычно много МОм. Это может быть явным преимуществом перед биполярным транзистором, работающим от тока и имеющим гораздо более низкий входной импеданс.

Переходный полевой транзистор, JFET работает ниже насыщения

Цепи на полевых транзисторах

Полевые транзисторы широко используются во всех схемах, от схем с дискретными электронными компонентами до интегральных схем.

Примечание по конструкции схемы полевого транзистора:

Полевые транзисторы могут использоваться во многих типах схем, хотя есть три основные конфигурации: общий исток, общий сток (истоковый повторитель) и общий затвор.Сама схема довольно проста и может быть взята на вооружение довольно легко.

Подробнее о Схема полевого транзистора

Поскольку полевой транзистор представляет собой устройство, работающее от напряжения, а не токовое устройство, такое как биполярный транзистор, это означает, что некоторые аспекты схемы сильно отличаются: в частности, устройства смещения. Однако проектировать электронную схему с полевыми транзисторами относительно просто — она ​​немного отличается от схемы с использованием биполярных транзисторов.

Используя полевые транзисторы, можно спроектировать такие схемы, как усилители напряжения, буферы или повторители тока, генераторы, фильтры и многое другое, а схемы очень похожи на схемы для биполярных транзисторов и даже термоэмиссионных клапанов / вакуумных ламп. Интересно, что клапаны / лампы также являются устройствами, работающими от напряжения, и поэтому их схемы очень похожи, даже с точки зрения устройства смещения.

Типы полевых транзисторов

Есть много способов определить различные типы доступных полевых транзисторов.Различные типы означают, что при проектировании электронной схемы необходимо выбрать правильный электронный компонент для схемы. Правильно подобрав устройство, можно получить наилучшие характеристики для данной схемы.

Полевые транзисторы

можно разделить на несколько категорий, но некоторые из основных типов полевых транзисторов можно рассмотреть на древовидной диаграмме ниже.

Типы полевых транзисторов

На рынке существует множество различных типов полевых транзисторов, которые имеют разные названия.Некоторые из основных категорий отложены ниже.

  • Junction FET, JFET: Junction FET, или JFET, использует диодный переход с обратным смещением для обеспечения соединения затвора. Структура состоит из полупроводникового канала, который может быть N-типа или P-типа. Затем на канал устанавливается полупроводниковый диод таким образом, чтобы напряжение на диоде влияло на канал полевого транзистора.

    При работе он имеет обратное смещение, а это означает, что он эффективно изолирован от канала — только обратный ток диода может течь между ними.JFET — это самый базовый тип полевого транзистора, который был разработан впервые. Тем не менее, он по-прежнему обеспечивает отличный сервис во многих областях электроники.


  • Полевой транзистор с изолированным затвором / полевой транзистор на основе оксида металла и кремния МОП-транзистор: В МОП-транзисторе используется изолированный слой между затвором и каналом. Обычно он формируется из слоя оксида полупроводника.

    Название IGFET относится к любому типу полевого транзистора с изолированным затвором.Наиболее распространенной формой IGFET является кремниевый MOSFET — металлооксидный кремниевый полевой транзистор. Здесь затвор выполнен из слоя металла, нанесенного на оксид кремния, который, в свою очередь, находится на канале кремния. МОП-транзисторы широко используются во многих областях электроники, особенно в интегральных схемах.

    Ключевым фактором IGFET / MOSFET является чрезвычайно высокий импеданс затвора, который эти полевые транзисторы могут обеспечить. Тем не менее, будет соответствующая емкость, и это уменьшит входное сопротивление при повышении частоты.


  • МОП-транзистор с двумя затворами: Это специализированная форма МОП-транзистора, у которого два затвора расположены последовательно вдоль канала. Это позволяет значительно улучшить производительность, особенно на ВЧ, по сравнению с устройствами с одним затвором.

    Второй затвор полевого МОП-транзистора обеспечивает дополнительную изоляцию между входом и выходом, и в дополнение к этому его можно использовать в таких приложениях, как смешивание / умножение.


  • MESFET: Кремниевый полевой транзистор MEtal обычно изготавливается с использованием арсенида галлия и часто называется полевым транзистором на основе GaAs. Часто GaAsFET используются в ВЧ-приложениях, где они могут обеспечить низкий уровень шума с высоким коэффициентом усиления. Одним из недостатков технологии GaAsFET является очень маленькая структура затвора, что делает ее очень чувствительной к повреждению статическим электричеством. При обращении с этими устройствами необходимо соблюдать особую осторожность.


  • HEMT / PHEMT: Транзистор с высокой подвижностью электронов и псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов являются развитием базовой концепции полевого транзистора, но разработаны для обеспечения работы на очень высоких частотах. Несмотря на то, что они дороги, они позволяют достичь очень высоких частот и высокого уровня производительности.


  • FinFET: Технология FinFET теперь используется в интегральных схемах, чтобы обеспечить более высокий уровень интеграции за счет меньших размеров элементов.Поскольку требуются более высокие уровни плотности и становится все труднее реализовать все более мелкие размеры элементов, технология FinFET используется все более широко.


  • VMOS: Стандарт VMOS для вертикальной MOS. Это тип полевого транзистора, который использует вертикальный ток для улучшения коммутационных и токонесущих характеристик. Полевые транзисторы VMOS широко используются в энергетических приложениях.

Хотя в литературе можно встретить и другие типы полевых транзисторов, часто эти типы являются торговыми наименованиями для конкретной технологии и являются вариантами некоторых типов полевых транзисторов, перечисленных выше.

Характеристики полевого транзистора

Помимо выбора конкретного типа полевого транзистора для данной схемы, также необходимо понимать различные спецификации. Таким образом можно гарантировать, что полевой транзистор будет работать с требуемыми рабочими параметрами.

Спецификации полевого транзистора

включают все: от максимально допустимых напряжений и токов до уровней емкости и крутизны. Все они играют роль в определении того, подходит ли какой-либо конкретный полевой транзистор для данной схемы или приложения.

Технология полевых транзисторов может использоваться в ряде областей, где биполярные транзисторы не так подходят: каждое из этих полупроводниковых устройств имеет свои преимущества и недостатки и может использоваться с большим эффектом во многих схемах. Полевой транзистор имеет очень высокий входной импеданс и является устройством, управляемым напряжением, что позволяет использовать его во многих областях.

Другие электронные компоненты:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Полевые транзисторы (FET) — что это такое и для чего они нужны? — ES Components

Полевой транзистор, иногда называемый униполярным транзистором , использует для проводимости электроны (в полевом транзисторе с n-каналом ) или дырки (в полевом транзисторе с р-каналом ). Четыре вывода полевого транзистора названы исток , затвор , сток и корпус ( подложка ). На большинстве полевых транзисторов корпус подключен к источнику внутри корпуса, и это предполагается в следующем описании.

В полевом транзисторе ток сток-исток протекает через проводящий канал, который соединяет область истока с областью стока . Электропроводность изменяется электрическим полем, которое создается при приложении напряжения между выводами затвора и истока; следовательно, ток, протекающий между стоком и истоком, регулируется напряжением, приложенным между затвором и истоком. По мере увеличения напряжения затвор-исток ( В, GS) ток сток-исток ( I DS) экспоненциально увеличивается для VGS ниже порогового значения, а затем примерно с квадратичной скоростью ( I DS ∝ ( V GS — V T) 2) (где V T — пороговое напряжение, при котором начинается ток стока).в области «ограниченного пространственным зарядом» выше порога. В современных устройствах, например, на технологическом узле 65 нм, квадратичного поведения не наблюдается.

Для низкого уровня шума при узкой полосе пропускания более высокое входное сопротивление полевого транзистора является преимуществом.

Полевые транзисторы

делятся на два семейства: полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET). IGFET более известен как полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET), что отражает его первоначальную конструкцию из слоев металла (затвор), оксида (изоляция) и полупроводника.В отличие от IGFET, затвор JFET образует p – n-диод с каналом, который находится между истоком и стоком. Функционально это делает n-канальный полевой транзистор JFET твердотельным эквивалентом триода для электронных ламп, который аналогично образует диод между своей сеткой и катодом. Кроме того, оба устройства работают в режиме истощения , они оба имеют высокий входной импеданс и оба проводят ток под управлением входного напряжения.

Полевые транзисторы металл-полупроводник (MESFET) — это полевые транзисторы с обратным смещением p − n-перехода, замененные переходом металл-полупроводник.Они, а также HEMT (транзисторы с высокой подвижностью электронов или HFET), в которых для переноса заряда используется двумерный электронный газ с очень высокой подвижностью носителей, особенно подходят для использования на очень высоких частотах (микроволновые частоты; несколько ГГц).

Полевые транзисторы

далее делятся на типы с режимом истощения, и , с режимом улучшения, , в зависимости от того, включен или выключен канал с нулевым напряжением затвор-исток. Для режима улучшения канал отключен при нулевом смещении, и потенциал затвора может «улучшить» проводимость.Для режима обеднения канал включен при нулевом смещении, и потенциал затвора (противоположной полярности) может «истощить» канал, уменьшая проводимость. Для любого режима более положительное напряжение затвора соответствует большему току для n-канальных устройств и более низкому току для p-канальных устройств. Почти все полевые транзисторы JFET работают в режиме истощения, потому что диодные переходы будут направлять смещение и проводить, если бы они были устройствами в режиме улучшения; большинство IGFET — это типы расширенного режима.

Источник: Википедия

Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) | Теория твердотельных устройств

Полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET), также известный как металлооксидный полевой транзистор (MOSFET), является производным полевого транзистора (FET).Сегодня большинство транзисторов относятся к типу MOSFET как компоненты цифровых интегральных схем. Хотя дискретных BJT больше, чем дискретных MOSFET. Количество MOSFET-транзисторов в интегральной схеме может приближаться к сотням миллионов. Размеры отдельных устройств MOSFET менее одного микрона, уменьшаясь каждые 18 месяцев. Полевые МОП-транзисторы гораздо большего размера способны переключать ток около 100 ампер при низких напряжениях; некоторые выдерживают почти 1000 В при более низких токах. Эти устройства занимают добрую долю квадратного сантиметра кремния.MOSFET находит гораздо более широкое применение, чем JFET. Однако в настоящее время силовые устройства MOSFET не так широко используются, как транзисторы с биполярным переходом.

Работа полевого МОП-транзистора

MOSFET имеет выводы истока, затвора и стока, как и у полевого транзистора. Однако вывод затвора не имеет прямого соединения с кремнием по сравнению с корпусом для полевого транзистора. Затвор MOSFET представляет собой металлический или поликремний слой поверх изолятора из диоксида кремния. Затвор имеет сходство с конденсатором Metal Oxide Semiconductor (MOS) на рисунке ниже.При зарядке пластины конденсатора принимают полярность заряда соответствующих клемм аккумулятора. Нижняя пластина изготовлена ​​из кремния P-типа, электроны отталкиваются отрицательной (-) клеммой батареи в сторону оксида и притягиваются положительной (+) верхней пластиной. Этот избыток электронов около оксида создает инвертированный (избыток электронов) канал под оксидом. Этот канал также сопровождается обедненной областью, изолирующей канал от объемной кремниевой подложки.

N-канальный МОП-конденсатор: (а) не заряжен, (б) заряжен.

На рисунке ниже (а) МОП-конденсатор помещен между парой диффузоров N-типа в подложке P-типа. При отсутствии заряда конденсатора, отсутствии смещения на затворе диффузоры N-типа, исток и сток остаются электрически изолированными.

N-канальный полевой МОП-транзистор (расширенного типа): (a) смещение затвора 0 В, (b) положительное смещение затвора.

Положительное смещение, приложенное к затвору, заряжает конденсатор (затвор). Затвор наверху оксида берет положительный заряд от батареи смещения затвора.Подложка P-типа под затвором принимает отрицательный заряд. Под оксидом затвора образуется область инверсии с избытком электронов. Эта область теперь соединяет исток и сток N-типа, образуя непрерывную N-область от истока до стока. Таким образом, полевой МОП-транзистор, как и полевой транзистор, является униполярным устройством. За проводимость отвечает один тип носителя заряда. Этот пример представляет собой N-канальный MOSFET. При приложении напряжения между этими соединениями возможно проведение большого тока от истока к стоку.Практическая схема будет иметь нагрузку последовательно с разрядной батареей на рисунке выше (b).

E-MOSFET

МОП-транзистор, описанный выше на рисунке выше, известен как МОП-транзистор режима расширения . Непроводящий, выключенный канал включается путем усиления канала ниже затвора путем приложения смещения. Это самый распространенный вид устройств. Другой тип полевого МОП-транзистора здесь описываться не будет. См. Главу о полевых транзисторах с изолированным затвором для устройства с режимом истощения.

МОП-транзистор, как и полевой транзистор, представляет собой устройство, управляемое напряжением. Входное напряжение на затвор управляет потоком тока от истока к стоку. Ворота не потребляют постоянный ток. Тем не менее, затвор потребляет импульс тока, чтобы зарядить емкость затвора.

Поперечное сечение N-канального дискретного МОП-транзистора показано на рисунке ниже (а). Дискретные устройства обычно оптимизированы для коммутации большой мощности. N + указывает, что исток и сток сильно легированы N-типом. Это сводит к минимуму резистивные потери на пути высокого тока от истока к стоку.N- указывает на легкое легирование. P-область под затвором, между истоком и стоком, может быть инвертирована путем приложения положительного напряжения смещения. Профиль легирования представляет собой поперечное сечение, которое может быть расположено в виде змеевика на кремниевом кристалле. Это значительно увеличивает площадь и, следовательно, текущую управляемость.

N-канальный полевой МОП-транзистор (тип расширения): (a) поперечное сечение, (b) условное обозначение.

Условное обозначение полевого МОП-транзистора на рисунке выше (b) показывает «плавающий» затвор, указывающий на отсутствие прямого подключения к кремниевой подложке.Пунктирная линия от истока к стоку указывает, что это устройство выключено, не проводит ток, с нулевым смещением на затворе. Обычно «выключенный» полевой МОП-транзистор является устройством режима улучшения. Канал должен быть усилен путем приложения напряжения к затвору для обеспечения проводимости. «Указывающий» конец стрелки на подложке соответствует материалу P-типа, который указывает на канал N-типа, «не указывающий» конец. Это символ N-канального MOSFET. Стрелка указывает в противоположном направлении для устройства с P-каналом (не показано).MOSFET — это четыре оконечных устройства: исток, затвор, сток и подложка. Подложка подключается к источнику в дискретных полевых МОП-транзисторах, превращая собранную часть в трехполюсное устройство. Полевые МОП-транзисторы, которые являются частью интегральной схемы, имеют общую подложку для всех устройств, если они специально не изолированы. Это общее соединение может быть выведено из кристалла для подключения к заземлению или напряжению смещения источника питания.

V-MOS

N-канальный «V-MOS» транзистор: (а) поперечное сечение, (б) условное обозначение.

Устройство V-MOS на (рисунок выше) представляет собой улучшенный силовой полевой МОП-транзистор с профилем легирования, расположенным так, чтобы снизить сопротивление истока к стоку в открытом состоянии. VMOS получил свое название от V-образной области затвора, которая увеличивает площадь поперечного сечения пути исток-сток. Это минимизирует потери и позволяет переключать более высокие уровни мощности. UMOS, вариант с U-образной канавкой, более воспроизводим при изготовлении.

ОБЗОР:

  • MOSFET — это униполярные проводящие устройства, проводящие с одним типом носителя заряда, как у полевого транзистора, но в отличие от BJT.
  • МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением, подобное полевому транзистору. Входное напряжение затвора управляет истоком для стока тока.
  • Затвор полевого МОП-транзистора не потребляет постоянного тока, за исключением утечки. Однако для зарядки емкости затвора требуется значительный начальный скачок тока.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

MOSFETS — МОП полевые транзисторы

В Разделе 10-3 мы рассматриваем полевые МОП-транзисторы.MOSFET — это аббревиатура от Metallic-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor. Разве это не полный рот? MOSFET изготавливается иначе и работает иначе, чем JFET, но имеет некоторые сходства. Есть два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения. Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения — буквой N или P. У нас есть четыре разных типа полевых МОП-транзисторов.

МОП полевые транзисторы: режим истощения

Сначала мы рассмотрим MOSFET в режиме истощения. Обратите внимание, непрерывный канал из материала n-типа между истоком и стоком. Вы заметите, что здесь источник, вот сток, и у нас есть непрерывный канал из материала n-типа. Напряжение, приложенное к истоку и стоку, вызовет протекание тока. Мы прикладываем напряжение между истоком и стоком, у нас будет протекать ток. Канал действует как резистор.Это очень похоже на то, что мы видели в JFET. Отрицательное напряжение уменьшит ток. Мы ставим здесь отрицательное напряжение, оно будет увеличивать сопротивление канала n-типа и уменьшать ток. Более положительное напряжение приведет к уменьшению сопротивления канала и пропусканию большого тока.

Затвор соединен с алюминием, который изолирован от канала тонким слоем диоксида кремния. Вот и наши ворота. В этом мы сильно отличаемся от полевого транзистора тем, что здесь на самом деле металл.Это алюминий. Алюминий изолирован от канала куском диоксида кремния. Что это будет делать, так это отсутствие электрического соединения между затвором и материалом n-типа, потому что у нас есть изолятор между ними, но мы сможем индуцировать электронное поле через материал. Нет связи между затвором и истоком и стоком.

Три слоя привели к названию устройства, следовательно, у нас есть металл, металл, оксид, оксид, полупроводники, полупроводники.Эти три слоя привели к названию устройства. Здесь у нас есть собственно схематический символ. У нас есть вентиль, сток и исток, и их обычно соединяют по три. Однако есть вариант для четвертого подключения, и это будет здесь. Это добавляет дополнительный контроль. Наша главная забота будет связана с тремя связями.

Это р-тип. Это то же самое, что и N, за исключением разворота материала. Линия со стрелкой также указывает на соединение между истоком и стоком прямо здесь.Опять же, то же самое, за исключением того, что материалы были перевернуты.

МОП-транзистор в режиме истощения, в МОП-транзисторе в режиме истощения между выводами истока и стока имеется непрерывный канал или материал n-типа. При подаче напряжения ток может легко течь между клеммами. Металлический затвор полевого МОП-транзистора изолирован от подложки слоем диоксида кремния.

MOSFET режима расширения

МОП-транзисторы с расширенным режимом, выводы истока и стока подключаются к сильно легированному кремнию n-типа в n-канальном МОП-транзисторе с расширенным режимом.Вот и источник. Вот и сток. Они связаны с сильно легированным материалом n-типа. Область между истоком и стоком состоит из слаболегированного материала p-типа. Между истоком и стоком нет непрерывного канала, как у полевых транзисторов JFET и в режиме истощения. Помните, что это режим улучшения, здесь в этом и заключается главное отличие.

Для протекания тока необходимо подать напряжение затвора правильной полярности. Нам понадобится напряжение затвора для протекания тока, и мы рассмотрим это на нескольких слайдах.Пунктирная линия в условном обозначении указывает на отсутствие непрерывного пути от истока к сливу. Когда вы посмотрите на схематический символ полевого МОП-транзистора электронного режима, вы заметите, что обычно у вас здесь будет непрерывная линия, как мы это делали с полевыми транзисторами и режимом истощения. Здесь он нарушен и нарушен, потому что это не непрерывный канал.

Смещение и работа полевого МОП-транзистора

Сопротивление канала в полевом транзисторе зависит от легирования и физических размеров материала.В полевом МОП-транзисторе эффективный уровень легирования изменяется смещением. Мы собираемся рассмотреть смещение в режимах истощения и улучшения. Начнем с режима истощения.

Если внешний источник постоянного тока подключен между истоком и стоком полевого МОП-транзистора в режиме истощения, измеряемый ток будет течь, обратите внимание на это, в зависимости от значения сопротивления канала. Что мы говорим? Здесь исток, здесь сток, а здесь через резистор подается напряжение.У нас будет ток через канал. Теперь величина протекающего тока будет зависеть от сопротивления канала. Мы обнаружим, что это будет по-разному.

Если сделать затвор более положительным, чем у истока, произойдет увеличение тока стока. Сделав ворота более положительными, чем источник, хорошо. Вот и наш источник напряжения. В MOSFET происходит кое-что интересное. Обратите внимание, что у нас есть металлический материал прямо здесь. Он отделен от материала n-типа изолирующим диоксидом кремния.Затем у нас есть материал n-типа. Ну, это действует как емкость. По сути, диоксид кремния является диэлектрическим материалом, причем металл здесь является одной стороной конденсатора, а материал n-типа — другой стороной. Когда мы подаем здесь положительное напряжение, на этой стороне будет положительный заряд. У нас будет негатив с этой стороны. Отрицательный здесь будет представлять свободные электроны, и для этого потребуется материал n-типа, добавляющий гораздо больше свободных электронов. Это будет сильно легированный материал n-типа, он будет легко проводить ток и будет иметь очень небольшое сопротивление току.

Во втором сценарии, если затвор сделан более отрицательным, чем источник, легирование канала эффективно уменьшается, замедляя прохождение тока. Эта картинка такая же, как эта, за исключением того, что мы изменили смещение на затворе. Теперь мы подаем отрицательное напряжение на затвор. Мы имеем тот же эффект емкости, за исключением того, что теперь электроны находятся на верхней пластине. У нас внизу положительный заряд. Это эффективно снижает уровень легирования в материале n-типа. В зависимости от величины отрицательного напряжения, оно становится очень резистивным и препятствует прохождению тока.

В режиме истощения MOSFET заряд этого конденсатора в конечном итоге определяет, какой ток будет проходить через канал. Теперь, в полевом МОП-транзисторе в режиме улучшения, когда прикладывается положительное напряжение затвора, емкость затвора заряжается до значения напряжения затвор-исток. Теперь помните, на самом деле на этом чертеже этот материал n-типа не является непрерывным, это примерно так прямо здесь. Опять же, мы помещаем положительное напряжение. Опять же, это явление емкости.Здесь у нас есть положительный заряд на верхней пластине, если это положительное напряжение. Тогда у нас есть отрицательный заряд. Отрицательного заряда здесь нет в материале p-типа. На самом деле отрицательный заряд находится прямо по краю диоксида кремния. Это формирует то, что называется слоем инверсии n-типа. Это не совсем материал n-типа, но его называют инверсионным слоем n-типа. Этот тонкий слой расположен прямо по краю кремния, и в нем будет много электронов. Что в конечном итоге произойдет, так это то, что это заставит ток течь по краю этого диоксида кремния, и у нас будет ток.То есть с положительным напряжением на затворе.

Когда мы делаем прямо противоположное, опять же, это то же самое, за исключением того, что теперь у нас здесь отрицательное напряжение. Емкость, опять же, заряд, отрицательный, электроны будут сверху. Положительный заряд будет внизу. Это эффективно отключит текущий поток. Текущего потока не будет, потому что в этой точке нет пути. Нет инверсионного слоя n-типа, поэтому у нас есть этот положительный материал и материал p-типа, и мы отключим ток.Сейчас есть неполный канал, и он будет отключен.

Представлены полевые МОП-транзисторы в режиме истощения и улучшения. Мы также рассмотрели смещение обоих устройств.

Видеолекции, созданные Тимом Фигенбаумом в Общественном колледже Северного Сиэтла.

Полупроводниковый прибор | электроника | Britannica

Полупроводниковые материалы

Твердотельные материалы обычно делятся на три класса: изоляторы, полупроводники и проводники.(При низких температурах некоторые проводники, полупроводники и изоляторы могут стать сверхпроводниками.) На рисунке 1 показаны удельные проводимости σ (и соответствующие удельные сопротивления ρ = 1 / σ), которые связаны с некоторыми важными материалами каждого из трех классов. Изоляторы, такие как плавленый кварц и стекло, имеют очень низкую проводимость, порядка от 10 -18 до 10 -10 сименс на сантиметр; а проводники, такие как алюминий, обладают высокой проводимостью, обычно от 10 4 до 10 6 сименс на сантиметр.Электропроводность полупроводников находится между этими крайними значениями.

проводимости

Типичный диапазон проводимости для изоляторов, полупроводников и проводников.

Британская энциклопедия, Inc.

Проводимость полупроводника обычно чувствительна к температуре, освещению, магнитным полям и незначительным количествам примесных атомов. Например, добавление менее 0,01 процента примеси определенного типа может увеличить электропроводность полупроводника на четыре или более порядков величины ( i.е., 10000 раз). Диапазоны проводимости полупроводников за счет примесных атомов для пяти распространенных полупроводников приведены на рисунке 1.

Изучение полупроводниковых материалов началось в начале 19 века. За прошедшие годы было исследовано множество полупроводников. В таблице показана часть периодической таблицы, относящаяся к полупроводникам. Элементарные полупроводники состоят из отдельных видов атомов, таких как кремний (Si), германий (Ge) и серое олово (Sn) в столбце IV и селен (Se) и теллур (Te) в столбце VI.Однако существует множество сложных полупроводников, состоящих из двух или более элементов. Например, арсенид галлия (GaAs) представляет собой бинарное соединение III-V, которое представляет собой комбинацию галлия (Ga) из колонки III и мышьяка (As) из колонки V.

Получите подписку Britannica Premium и получите доступ к эксклюзивному контенту. Подпишитесь сейчас
Часть периодической таблицы элементов, относящихся к полупроводникам
период колонка
II III IV В VI
2 бор
B
углерод
C
азот
N
3 магний
мг
алюминий
Al
кремний
Si
фосфор
P
сера
S
4 цинк
Zn
галлий
Ga
германий
Ge
мышьяк
As
селен
Se
5 кадмий
Cd
Индий
В
банка
Sn
сурьма
Sb
теллур
Te
6 ртуть
Hg
свинец
Pb

Тройные соединения могут быть образованы элементами из трех различных колонок, как, например, теллурид ртути и индия (HgIn 2 Te 4 ), соединение II-III-VI.Они также могут быть образованы элементами из двух столбцов, такими как арсенид алюминия-галлия (Al x Ga 1 — x As), который представляет собой тройное соединение III-V, где как Al, так и Ga происходят из столбец III и нижний индекс x относятся к составу двух элементов от 100 процентов Al ( x = 1) до 100 процентов Ga ( x = 0). Чистый кремний является наиболее важным материалом для применения в интегральных схемах, а бинарные и тройные соединения III-V являются наиболее важными для излучения света.

До изобретения биполярного транзистора в 1947 году полупроводники использовались только как двухполюсные устройства, такие как выпрямители и фотодиоды. В начале 1950-х годов германий был основным полупроводниковым материалом. Однако он оказался непригодным для многих применений, поскольку устройства, изготовленные из этого материала, демонстрируют высокие токи утечки только при умеренно повышенных температурах. С начала 1960-х годов кремний стал практическим заменителем, фактически вытеснив германий в качестве материала для производства полупроводников.Для этого есть две основные причины: (1) кремниевые устройства демонстрируют гораздо более низкие токи утечки и (2) высококачественный диоксид кремния (SiO 2 ), который является изолятором, легко производить. Кремниевая технология в настоящее время является самой передовой среди всех полупроводниковых технологий, а устройства на основе кремния составляют более 95 процентов всего полупроводникового оборудования, продаваемого во всем мире.

Многие сложные полупроводники обладают электрическими и оптическими свойствами, отсутствующими в кремнии.Эти полупроводники, особенно арсенид галлия, используются в основном для высокоскоростных и оптоэлектронных приложений.

Электронные свойства

Полупроводниковые материалы, рассматриваемые здесь, представляют собой монокристаллы — т.е. атомов расположены в трехмерном периодическом порядке. На рис. 2А показано упрощенное двумерное представление кристалла собственного кремния, который очень чистый и содержит пренебрежимо малое количество примесей. Каждый атом кремния в кристалле окружен четырьмя ближайшими соседями.Каждый атом имеет четыре электрона на своей внешней орбите и делит эти электроны со своими четырьмя соседями. Каждая общая электронная пара представляет собой ковалентную связь. Сила притяжения электронов обоими ядрами удерживает два атома вместе.

При низких температурах электроны связаны в своих положениях в кристалле; следовательно, они недоступны для электропроводности. При более высоких температурах тепловая вибрация может разрушить некоторые ковалентные связи. Разрыв связи дает свободный электрон, который может участвовать в проводимости тока.Как только электрон удаляется от ковалентной связи, в этой связи возникает недостаток электронов. Этот недостаток может быть восполнен одним из соседних электронов, что приводит к смещению местоположения недостатка с одного сайта на другой. Таким образом, этот недостаток можно рассматривать как частицу, подобную электрону. Эта фиктивная частица, названная дыркой, несет положительный заряд и движется под действием приложенного электрического поля в направлении, противоположном направлению движения электрона.

Для изолированного атома электроны атома могут иметь только дискретные уровни энергии.Когда большое количество атомов объединяется, чтобы сформировать кристалл, взаимодействие между атомами заставляет дискретные уровни энергии расширяться в энергетические зоны. Когда нет тепловой вибрации (, то есть при низкой температуре), электроны в полупроводнике полностью заполняют ряд энергетических зон, оставляя остальные энергетические зоны пустыми. Полоса с самым высоким заполнением называется валентной полосой. Следующая более высокая зона — это зона проводимости, которая отделена от валентной зоны запрещенной зоной.Эта запрещенная зона, также называемая запрещенной зоной, представляет собой область, обозначающую энергии, которыми электроны в полупроводнике не могут обладать. Большинство важных полупроводников имеют ширину запрещенной зоны от 0,25 до 2,5 эВ. Ширина запрещенной зоны кремния, например, составляет 1,12 эВ, а ширина запрещенной зоны арсенида галлия — 1,42 эВ.

Как обсуждалось выше, при конечных температурах тепловые колебания разрывают некоторые связи. Когда связь разрывается, свободный электрон вместе со свободной дыркой дает , то есть электрон обладает достаточной тепловой энергией, чтобы пересечь запрещенную зону в зону проводимости, оставляя дырку в валентной зоне.Когда к полупроводнику прикладывают электрическое поле, как электроны в зоне проводимости, так и дырки в валентной зоне получают кинетическую энергию и проводят электричество. Электропроводность материала зависит от количества носителей заряда (, т.е. свободных электронов и свободных дырок) в единице объема и от скорости, с которой эти носители перемещаются под действием электрического поля. В собственном полупроводнике существует равное количество свободных электронов и свободных дырок.Однако электроны и дырки обладают разной подвижностью, то есть они движутся с разными скоростями в электрическом поле. Например, для собственного кремния при комнатной температуре подвижность электронов составляет 1500 квадратных сантиметров на вольт-секунду (см 2 / В · с) — , т.е. электрон будет двигаться со скоростью 1500 сантиметров в секунду под действием электрического поле в один вольт на сантиметр — при подвижности дырок 500 см 2 / В · с. Подвижности данного полупроводника обычно уменьшаются с повышением температуры или с увеличением концентрации примесей.

Электрическая проводимость в собственных полупроводниках довольно низкая при комнатной температуре. Чтобы добиться более высокой проводимости, можно намеренно ввести примеси (обычно до концентрации одной части на миллион атомов хозяина). Это так называемый процесс допинга. Например, когда атом кремния заменяется атомом с пятью внешними электронами, такими как мышьяк (рис. 2C), четыре электрона образуют ковалентные связи с четырьмя соседними атомами кремния. Пятый электрон становится электроном проводимости, который «дарится» зоне проводимости.Кремний становится полупроводником типа n из-за добавления электрона. Атом мышьяка является донором.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *