Схема en25f80 — 7wz5dw1.getenjoyment.net
Скачать схема en25f80 txt
Интегральная схема. EN25F80 датащи(бесплатно), EN25F80 Datasheet, EN25F80 датащи, EN25F80 PDF, EN25F80 Цена за штуку покупка, EN25F80 Подробнее. EN25FHCP лапками углублением SOP-8 EN25F80 25F80 SOP8 EN25FH стандартного режима работы. en25f80 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector, EN25F80 datasheet, EN25F80 circuit, En25f80 data sheet: EON, alldatasheet, datasheet, Datasheet search site for Electronic Схема and Semiconductors, integrated circuits, diodes, triacs, and other.
EN25F80 — 8 Megabit Serial Flash Схема with 4Kbytes Uniform Sector by EON.
cFeon EN25F80 qcp. 98m09b. mda.) Интересует: если в перечне возможных программируемых bios’ов нет моей платы а в общем указаны платы фирмы ASUS — какова вероятность что реализовав эту схему — получится установить bios на неуказанную модель?
От чего(как(ой/их) дет(али/алей))) зависит пригодность программатора для конкретной модели микросхемы.
EN25F80 магазин, продавец, EN25F80 полупроводник, название детали, Электронные компоненты, ic. EN25F80 datasheet, cross reference, circuit and application notes in pdf format. Abstract: EN25F80 cFeon* SPI Flash KB Text: EN25F80 Purpose Eon Silicon Solution Inc. (hereinafter called «Eon») is going to provide its, EN25F80 EN25F80 8 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector FEATURES · Single power, temperature Range GENERAL DESCRIPTION The EN25F80 is an.
8M-bit (K-byte) Serial Flash memory, with, programmed 1 to bytes at a time, using the Page Program instruction. The EN25F80 is designed to allow either single Sector/Block at a time or full chip erase operation.
The EN25F80 can be configured to. Original. PDF. EN25F80 cFeon EN25F Eon EN2SB05 EN25F10 EN25LF20 EN25T80 EN25Q16 EN2ST16 M2SQ32 EN2SB Es ES25P10 ES25M80A ES2SM16A esmt E25L04UA E25L16PA.
gigadevice GD25Q GD25Q80 GD25Q32 KH KHE. С ресет-генератором. при подаче сигнала от замка зажигания дает внутрисхемное питание +5в. и вырабатывает сигнал сброса на схему.
(RESI) DD2 AM29F Flash 1 Mbit (K x 8) DD3 74HC параллельный регистр на 8 DD4 SAF80C однокристальная микро ЭВМ DD5 MCD Драйвер ISO (K and L Interface) DD6 NM24C04 Последовательный (2-wire serial) EEPROM 4K ( x 8) DD7. 74HC14 6 шт. инверторов. 27 ноября в Метки: электроника. 8 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector, EN25F80 datasheet, EN25F80 circuit, EN25F80 data sheet: EON, alldatasheet, datasheet, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes, triacs, and other.
MYSTERY MTV-2417WHD. Ремонт, схема, сервис
Техническое описание и состав телевизора MYSTERY MTV-2417WHD, тип панели и применяемые модули. Состав модулей.
Общие рекомендации по ремонту TV LCD
Видимые повреждения элементов иногда могут обозначить направления поиска дефекта ещё до начала проведения необходимых измерений.
Элементы с видимыми повреждениями, например, вздувшиеся после кипения электролита конденсаторы, обуглившиеся резисторы в определённых узлах схемы, а так же кольцевые трещины в пайках помогут мастеру догадаться о причинах и возможных последствиях произошедшей неисправности.Если телевизор MTV-2417WHD не включается, не издаёт никаких звуков при включении, а так же на передней панели не горят и не моргают никакие индикаторы, — есть большая вероятность неисправности в модуле питания. В некоторых случаях может быть неисправен только стабилизатор или преобразователь питания процессора управления, что характерно для некоторых моделей MYSTERY.
При ремонте блока питания, диагностику целесообразно начинать с проверки сетевого предохранителя и электролитических конденсаторов фильтров вторичных выпрямителей преобразователя. В случае обрыва предохранителя, причину следует искать в силовых полупроводниковых элементах импульсного преобразователя основного БП.
Если при включении телевизора изображение появляется и сразу пропадает, либо отсутствует изначально при включении, но звук есть и другие функции работают, есть большая вероятность неисправности инвертора (преобразователя питания ламп подсветки). В таких случаях проверке подлежат лампы, инвертор и общий модуль питания, в котором следует проверить электролитические конденсаторы фильтра выпрямителя, питающего инвертор.
Отключая защиту в целях диагностики, необходимо помнить, что в данном случае есть риск выхода из строя силовых элементов инвертора.
При попытках ремонта материнской платы, следует в первую очередь проверить исправность линейных стабилизаторов или преобразователей питания микросхем и, при необходимости, произвести обновление программного обеспечения (ПО). Если нет возможности замены платы MB (SSB), необходимо проверить исправность её элементов — FLASH: Kh35L4005, EEPROM 24C32. DVD: DV1106-ZC01-01 CPU/; ZR36968PQCG, FLASH: EN25F80, Pick: SF-HD850. Неисправные компоненты следует заменить.
Ещё раз напоминаем пользователям телевизора: не следует делать попытки самостоятельного ремонта, не имея соответствующих знаний, опыта и необходимой квалификации! Доверяйте ремонт только профессионалам с достаточным опытом работы в сфере ремонта электронной техники.
Скачивание файлов
Дополнительно по ремонту MainBoard
Внешний вид и замеры напряжений в контрольных точках MainBoard MSTV2203-ZC01-01 показаны на рисунке ниже:
MSTV2203-ZC01-01 может применяться в телевизорах:
BBK LT1929S (Panel F21WT-3BAR-E), BBK LT1529S (Panel M156MWR1), MYSTERY MTV-2206W (Panel CLAA216WA01), MYSTERY MTV-1906W (Panel M190MWW3), MYSTERY MTV-1607w (Panel M156MWR1), MYSTERY MTV-1907W (Panel BOE HT185WX2-10), MYSTERY MTV-2417WHD (Panel M236MWF1), MYSTERY MTV-2407WH (Panel V236h2-L05 Rev:C1), MYSTERY MTV-2217WD (Panel CLAA215FA05), MYSTERY MTV-1917WD (Panel CLAA185WA06).
Основные особенности устройства MYSTERY MTV-2417WHD:
Установлена матрица (LCD-панель) M236MWF1.
MainBoard — основная плата (материнская плата) представляет собой модуль MSTV2203-ZC01-01, с применением микросхем CPU:TSUMV26KE-LF; FLASH: Kh35L4005, EEPROM 24C32. DVD: DV1106-ZC01-01 CPU/; ZR36968PQCG, FLASH: EN25F80, Pick: SF-HD850 и других.
Тюнер F21WT-3BAR-E обеспечивает приём телевизионных программ и настройку на каналы.
Дополнительная техническая информация о панели:
Brand : IVO
Model : M236MWF1 R0
Type : a-Si TFT-LCD, Panel
Diagonal size : 23.6 inch
Resolution : 1920×1080, FHD
Display Mode : TN, Normally White, Transmissive
Surface : Antiglare, Hard coating (3H)
Brightness : 300 cd/m²
Contrast Ratio : 1000:1
Display Colors : 16.
7M
(6-bit + Hi-FRC), CIE1931 72% Response Time : 5 (Tr+Td)
Frequency : 60Hz
Lamp Type : 4 pcs CCFL Without Driver
Signal Interface : LVDS (2 ch, 8-bit), 30 pins
Voltage : 5.0V
Внимание мастерам!
Информация на этом сайте накапливается из записей ремонтников и участников форумов.
Будьте внимательны! Возможны опечатки или ошибки!
Пожалуйста, сообщайте нам о любых ляпах или несоответствиях в записях по почте [email protected], присылайте наработки их своего опыта и прошивки, опубликуем в помощь коллегам.
Ближайшие в таблице модели:
MYSTERY MTV-2418LWChassis(Version) MSTV2407-ZC01-01
Panel: HM236WUA-100
LED driver (backlight): integrated into MainBoard
PWM LED driver: AP3039AM, AP3608EM-G1
Power Supply (PSU): integrated into MainBoard
PWM Power: OB2273 (PWM SOT23-6 )
MainBoard: MSTV2407-ZC01-01
Тuner: F35WT-2A-E
IC Main: Cpu: MST6E181VG-LF-Z1, Spi Flash: 25Q32B
MYSTERY MTV-2415LW
Chassis(Version) V1K10
Panel: LC230FUE (TD)(A1)
Power Supply (PSU): 35015844 KPS-L032K1F (-02)
Тuner: AFT7/W034G
IC Main: CPU: MST6E181VS-LF-Z1; SPI Flash: S25FL032KIF;
Cfeon q64 104hip datasheet
【Qh26104 CFEON】Buy Now【Qh26-104HIP】【Qh26465-03】【Price】In Stock, Semiconductor, Capacitor, IC, new update 2020【Datasheet】【PDF】 HGCacheDateZOZOIZZB Widget_tabbedcontainer_tab_panel
EN25Q80B-104HIP from EON Silicon Solution, Inc.
. Find the PDF Datasheet, Specifications and Distributor Information.
An increase in the temperature of a solution usually does what
CV9202 CV9202H-A CV9202H-A39 CV9202H-B CV9202H-E nordmende uh42m1010 panelhv320wx2 CV9202L-A V236h2-LE4 SPI 25Q32 OK JTC DV…
Luke 5 17 39 nrsv
5 ピース/ロットen25q32b 104hip en25q32b en25q32 25q32 q32b 104hip sop8 在庫,中国や世界のセラーからお買い物。 無料の送料、期間限定セール、簡単な返品やバイヤープロテクションをお楽しみ下さい！
Harman kardon protect mode fix
Marking code : cFeon Q64-104HIP. Napięcie zasilania : 2,7 — 3,6V. Niski pobór prądu : 12mA, w stanie spoczynku 1 uA. Opinie. Bądź pierwszym który napisze recenzję!
Dell xps 15 7590 boot from usb
EN25Q40-100GIP Stock,EN25Q40-100GIP Price,EN25Q40-100GIP datsheet,Online distributor of EN25Q40-100GIP,Zeanoit.
com -Your trustworthy partner.
Ftpm nv corrupted
Кроме них на плате распаяны чипы памяти — 128 Мбайт оперативной в чипах Winbond W9751G6KB-25 и 8 Мбайт флэш-памяти cFeon Q64-104HIP.
Zz plant cats
cFeon Q64-104HIP这个闪存在我的编程器里面找不到，我是用EN25Q64代替备份出来的，也不知道对不对，请下载验证 西瑞克斯CMT-CBTNIG-24.part1.rar 2015-12-4 14:01 上传
Drupal 8 load node by id
Флешь: q64-104hip cfeon ОЗУ: h51s1g63efr dc/dc: 3502ew -g1, в корпусе so-8 4шт. up01 — 3.3Вольта up02 — 5,0Вольт up03 — 1.25Вольта up04 — 1,8Вольта hdmi: pn520 lan: ar8032-bl1a atmeros Управление: ht1628b Кардридер: ca019b-v2 20101231 БП: ШИМ,
Somerset borough building
This video show how to use a low cost EEPROM programmer.
The unit used is a USB based device and is intended for series 24 and 25 EEPROM’s. Below is a downlo…
C5 corvette hood vents
ACLU1 ACLU2 A271 REV.1.0 CFEON QH64-104HIP : 8 MB . 168 . Lenovo G505S … ACDET adapter into the detection threshold voltage to check the data sheet -EXTPWR, EXTPWR …
Cookie clicker 2 cheats ios
Brand: OTHERS Product Code: CFEON Q64-104HIP Availability: In Stock. Q64-104HIP BIOS PDF,cfeon Q64-104HIP BIOS schematic,cfeon Q64-104HIP BIOS datasheet,cfeon Q64-104HIP BIOS diagram.
Terralift complaints
1【Qh26104 CFEON】Buy Now【Qh26-104HIP】【Qh26465-03】【Price】In Stock, Semiconductor, Capacitor, IC, new update 2020【Datasheet】【PDF】 HGCacheDateZOZOIZZB Dec 18, 2020 · CFEON Q64-104HIP PDF.
A million toys to choose from that I can play with. Buy toys at Wish – Shopping Made Fun. Toys “R” Us Outlet. Fallout 4 companion dislikesJun 05, 2020 · K4J52324QH HJ1A PDF — Cheap ddr , Buy Quality ddr iii directly from China ddr green Suppliers: SAMSUNG K4JQH-HJ1A K4JQH HJ1A DDR M FBGA96 New. with your K4JQH-HJ1A K4JQH-HJ1A, По запросу Cfeon также находят товары EN25Q64-104HIP EON EN25Q64 IC SPI FLASH 64MBIT 8-SOIC CFEON 25Q64 Q64-104HIP The new quality is very good work 100% of the IC ch, EN25F80-75HCP ORIGINAL EON IC 75MHz SPI FLASH 8MBIT 8SOIC CFEON.Unemployment wvPodman kubernetes yaml
- M63028fp M63028 — See Price. M63028fp M63028 Spindle Motor And 5ch Actuator Driver Ssop42 Vw golf wipers not working
- La soluzione c’è ma non è alla portata di tutti: nella maggior parte dei casi si tratta di sostituire il chip EEPROM, rappresentato in questo caso dal modello SPI-Flash Cfeon Q64-104Hip (o similare) con uno nuovo e poi programmarlo con una versione di Bios compatibile con la propria scheda madre; oppure in altri casi basta solo .
.. Adaptive beamforming - 2016-11-02 电脑cfeon坏了会怎样; 2014-03-18 cFeOn F16-100。 IC的形号是什么? 1 2013-08-13 求文档: cfeon f20-100gcp 是什么 2; 2015-12-23 求助高手，路由变砖，CFEON Q64-104HIP是什么芯… Which of the following would be sufficient for the hardy weinberg equation to accurately predict
- 电脑主板上有cfeon en25f16是什么芯片_ ： 搜一下:电脑主板上有cfeon en25f16是什么芯片 cfeon是什么牌子 ： cfeon:宜扬,台湾一家IC公司 求助高手,路由变砖,CFEON Q64_104HIP是什么芯片 ： Q64-104HIP cFeon 贴片SOP8收藏产品该产品是供应商为会员提供的低价或新款产品,登录并申请成为会员后,可查看供应商所有授权 … What dpo bfp mumsnet
- Cfeon Q32b-104HIP: Reply #1 ZLM. 2936 Posts. Posted — 12/16/2014 : 19:34:05 . It is normal if the programmer does not recognize it. Because this chip is not listed in … Rv awning rail pulling away
- 【Qh26104 CFEON】Buy Now【Qh26-104HIP】【Qh26465-03】【Price】In Stock, Semiconductor, Capacitor, IC, new update 2020【Datasheet】【PDF】 HGCacheDateZOZOIZZB Sig p365 micro conversion kit
.. Adaptive beamformingEN25F80-100QCP техническое описание — 8-мегабитная последовательная флэш-память с 4 Кбайтами унифицированного сектора
8-мегабитная последовательная флэш-память с 4-битным однородным сектором
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Работа от одного источника питания — Полный диапазон напряжения: 2,7-3,6 В 8 Мбит Последовательная флэш-память M-бит 1024 Кбайт / 4096 страниц — 256 байтов на программируемую страницу Высокая производительность — тактовая частота 100 МГц Низкое энергопотребление Типичный активный ток 5 мА 1 Типичный ток при отключении питания Единая секторная архитектура: 256 секторов 4 Кбайта 16 блоков по 64 Кбайт Любой сектор или блок можно стереть индивидуально — Защита от записи всей или части памяти с помощью программного обеспечения — Включение / отключение защиты с помощью вывода WP # Высокая производительность программы / скорости стирания Время программирования страницы: 1.
Типично 5 мсек. Время стирания сектора: типично 150 мсек. Время стирания блока — типично 800 мс. Время стирания микросхемы: типично 10 секунд —
Запираемый 256-байтовый сектор безопасности OTP Минимальный цикл износостойкости 100K Варианты комплектации 8 контактов SOP Ширина корпуса 200 мил 8 контактов VDFN 8 контактов PDIP Все бессвинцовые пакеты соответствуют требованиям RoHS
8-мегабитная (1024 Кбайт) последовательная флэш-память с расширенными механизмами защиты от записи, доступ к которой осуществляется по высокоскоростной SPI-совместимой шине. Память может быть запрограммирована на 256 байтов за раз, используя инструкцию Page Program.
EN25F80 спроектирован так, чтобы обеспечить одновременную операцию как одного сектора, так и полного стирания чипа. EN25F80 можно настроить для защиты части памяти в режиме программной защиты. Устройство может выдерживать не менее 100 000 циклов программирования / стирания в каждом секторе.
В этот лист данных могут быть внесены изменения в последующих версиях 1 или модификациях в связи с изменениями технических характеристик.
В этот технический паспорт могут вноситься изменения в последующих версиях или модификациях в связи с изменениями технических характеристик.
Последовательный ввод данных (DI) Вывод последовательного ввода данных (DI) SPI обеспечивает средства для последовательной записи (смещения) инструкций, адресов и данных в устройство. Данные фиксируются на переднем фронте входного вывода последовательного тактового сигнала (CLK). Вывод последовательных данных (DO) Вывод последовательного вывода данных (DO) SPI обеспечивает средство для последовательного считывания данных и состояния (смещения) из устройства. Данные сдвигаются по заднему фронту входного вывода последовательного синхросигнала (CLK). Последовательная синхронизация (CLK) Вывод последовательной синхронизации (CLK) SPI обеспечивает синхронизацию для операций последовательного ввода и вывода.(«См. Режим SPI») Выбор микросхемы (CS #) Контакт выбора микросхемы SPI (CS #) включает и отключает работу устройства. Когда CS # высокий, устройство не выбрано, а вывод последовательного вывода данных (DO) находится на высоком импедансе.
Если этот параметр не выбран, энергопотребление устройств будет на уровне ожидания, если только не выполняется внутреннее стирание, программирование или цикл регистра состояния. Когда CS # становится низким, будет выбрано устройство, потребление энергии увеличится до активного уровня, и можно будет записывать инструкции и считывать данные с устройства.После включения питания CS # должен перейти с высокого уровня на низкий, прежде чем будет принята новая инструкция. Удержание (HOLD #) Контакт HOLD позволяет приостановить работу устройства, пока оно активно выбрано. Когда HOLD устанавливается на низкий уровень, а CS # на низком уровне, вывод DO будет иметь высокий импеданс, а сигналы на выводах DI и CLK будут игнорироваться (все равно). Функция удержания может быть полезна, когда несколько устройств используют одни и те же сигналы SPI. Защита от записи (WP #) Вывод защиты от записи (WP #) может использоваться для предотвращения записи в регистр состояния.При использовании вместе с битами защиты блока BP1 и BP2) регистра состояния и битами защиты регистра состояния (SRP) часть или весь массив памяти может быть защищен аппаратно.
Символ CLK DI DO CS # WP # HOLD # Vcc Vss Имя вывода Последовательный ввод тактовых импульсов Последовательный ввод данных Последовательный вывод данных Чип Включение защиты от записи Удержание Входное напряжение питания (2,7-3,6 В) Заземление
| Teilenummer | Beschreibung | Hersteller | |
| TPAR3J | 200V — 600V Выпрямители для поверхностного монтажа с быстрым восстановлением лавин | Taiwan Semiconductor | |
| TPAR3G | 200V — 600V Выпрямители для поверхностного монтажа с быстрым восстановлением лавин | Taiwan Semiconductor | |
| TPAR3D | 200V — 600V Выпрямители для поверхностного монтажа с быстрым восстановлением лавин | Taiwan Semiconductor | |
| TC58NYG2S3ETA00 | 4 ГБит (512 м x 8 бит) CMOS NAND E2PROM | Toshiba | |
| SPFMPR302 | Пластиковый оптоволоконный приемник | Avago | |
| OS81110 | Оценочная платаcPHY Руководство пользователя | Микрочип | |
| NCP3170BDR2G | Преобразователь синхронной ШИМ-коммутации | ON Semiconductor | |
| NCP3170ADR2G | Преобразователь синхронной ШИМ-коммутации | ON Semiconductor | |
| NCP3170 | Преобразователь синхронной ШИМ-коммутации | ON Semiconductor | |
| LTM4630 | Двойной регулятор uModule 18A или одиночный 36A DC / DC | Линейные технологии | |
| LQW15CA1R0K00 | Индуктор | Murata Electronics | |
| KBU1007G | Однофазный 10 Ампер. Мостовые выпрямители с пассивированным стеклом | Taiwan Semiconductor |
| PART | Описание | Чайник |
| SST25VF080B-50-4C-PAE SST25VF080B-50-4C-PAF SST25V | 8 Mbit SPI Serial Flash 4 Mbit Uniform Sector, последовательная флэш-память 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 | Microchip Technology Inc. Silicon Storage Technology, Inc. Silicon Storage Technol … |
| SST45VF010 SST45VF010-10-4C-SA SST45VF020 SST45VF0 | Унифицированный сектор 4 Мбит, последовательная флэш-память 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 4 Mbit Uniform Sector, последовательная флэш-память 1M X 1 FLASH 2.  7V PROM, PDSO8 512 Кбит / 1 Мбит / 2 Мбит последовательная флэш-память | Silicon Storage Technology, Inc. SST [Silicon Storage Technology Inc] SST [Silicon Storage Technology, Inc] |
| W25X32VSSIZ W25X32VZEIZ W25X16VDAIG | Однородный сектор, 4 Мбит, последовательная флэш-память 32M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 4 Мбит унифицированный сектор, последовательная флэш-память 16M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 | Winbond Electronics, Corp. |
| SST25VF040B-50-4C-SAF SST25VF040B-50-4C-QAF SST25V | Равномерный сектор 4 Мбит, последовательная флэш-память Флэш-память 4 Мбит SPI последовательная | Silicon Storage Technology, Inc. http: // |
| SST45LF010 SST45LF010-10-4C-QA SST45LF010-10-4C-SA | Однородный сектор 4 Мбит, последовательная флэш-память 1M X 1 FLASH 3V PROM, PDSO8 Последовательная флэш-память 1 мегабит | Silicon Storage Technology, Inc. SST [Silicon Storage Technology Inc] SST [Silicon Storage Technology, Inc] |
| SST49LF016C-66-4C-NHE SST49LF016C-33-4C-WHE | Равномерный сектор 4 Мбит, последовательная флэш-память 2M X 8 FLASH 3V PROM, 2 нс, PQCC32 Равномерный сектор 4 Mbit, последовательная флэш-память 2M X 8 FLASH 3V PROM, 11 нс, PDSO32 | Silicon Storage Technology, Inc. |
| PM25LV080B | (PN25LV080B / PM25LV016B) 8 Мбит / 16 Мбит одно рабочее напряжение Последовательная флэш-память | Chingis Technology |
| Lh38F002SCH Lh38F002SCH-L Lh38F002SCN-L12 Lh38F002 | 2-Мбит (256 КБ x 8) флэш-память Smart Voltage 2-МБИТ (256 КБ x 8) Флэш-память SmartVoltage 2-МБИТ (256 КБ x 8) Флэш-память SmartVoltage | Sharp Electrionic Components |
| F28F008SA-120 E28F008SA-120 E28F008SA-85 F28F008SA | 8 Мбит (1 Мбит x 8) FlashFileTM ПАМЯТЬ 8 兆 （1 兆位 × 8FlashFileTM 记忆 8-Мбит (1-Мбит x 8) FlashFileTM ПАМЯТЬ 1M X 8 FLASH 12V PROM, 120 нс, PDSO44 8-MBIT (1 Мбит x 8) FlashFileTM MEMORY 1M X 8 FLASH 12V PROM, 85 ns, PDSO44 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFile MEMORY | Intel, Corp. Корпорация Intel Корпорация Intel |
| AT25DF081A AT25DF081A-MH-T AT25DF081A-MH-Y AT25DF0 | Последовательный периферийный интерфейс, 8 Мбит, 2,7 В, последовательная флэш-память, минимум | ATMEL Corporation 聚 兴 科技 股份有限公司 |
| F25L004A-100PG | Однородный сектор, 4 Мбит, последовательная флэш-память 512K X 8 FLASH 3V PROM, PDSO8 | Elite Semiconductor Memory Technology, Inc. |
EN25F80 Лидеры продаж, ценовая динамика, загрузка таблицы данных EN25F80, принципиальная схема с SeekIC.com
Характеристики:
• Работа от одного источника питания
— Полный диапазон напряжения: 2,7–3,6 В
• Последовательная флэш-память 8 Мбит
— 8 Мбит / 1024 Кбайт / 4096 страниц
— 256 байтов на программируемую страницу
• Высокая производительность
— Тактовая частота 100 МГц
• Низкое энергопотребление
— Типичный активный ток 5 мА
— Типичный ток отключения питания 1 А
• Единая секторная архитектура:
— 256 секторов по 4 Кбайта
— 16 блоков по 64 Кбайта
— Любой сектор или блок можно стереть индивидуально
• Программная и аппаратная защита от записи:
— Защита от записи всей или части памяти с помощью программного обеспечения
— Включение / выключение защиты с помощью вывода WP #
• Высокая скорость программирования / стирания
— Время программирования страницы: 1.5 мс типично
— Время стирания сектора: 150 мс типичное
— Время стирания блока 800 мс типичное
— Время стирания чипа: 10 секунд типичное
• Блокируемый 256-байтовый сектор безопасности OTP
• Минимальный цикл износостойкости 100K
• Варианты упаковки
— 8 контактов SOP 200 мил ширина корпуса
— 8 контактов VDFN
— 8 контактов PDIP
— Все бессвинцовые корпуса соответствуют требованиям RoHS
• Диапазон рабочих и промышленных температур
Распиновка
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Агрегат |
| Температура хранения | -65 до +125 | ° C |
| Пластиковые упаковки | -65 до +125 | ° C |
| Выходной ток короткого замыкания 1 | 200 | мА |
| Входное и выходное напряжение (относительно земли) 2 | -0.5 до +4,0 | V |
| Vcc | от -0,5 до +4,0 | В |
Примечания:
1. Одновременно закорочено не более одного выхода. Продолжительность короткого замыкания не должна превышать одной секунды.
2. Минимальное напряжение постоянного тока на входе или контактах ввода / вывода составляет 0,5 В. Во время переходов напряжения на входе могут быть ниже значения Vss до 1,0 В в течение периодов до 50 нс и до 2,0 В в течение периодов до 20 нс. См. Рисунок ниже. Максимальное напряжение постоянного тока на выходе и выводах ввода / вывода составляет Vcc + 0.5 В. Во время скачков напряжения на выходах могут наблюдаться выбросы до Vcc + 1,5 В в течение периодов до 20 нс. См. Рисунок ниже.
Описание
EN25F80 — это 8-мегабитная (1024 Кбайт) последовательная флэш-память с расширенными механизмами защиты от записи, доступ к которой осуществляется по высокоскоростной SPI-совместимой шине. Память может быть запрограммирована от 1 до 256 байтов за раз, используя инструкцию Page Program.
EN25F80 спроектирован так, чтобы разрешить как одиночный сектор за раз, так и операцию полного стирания чипа.EN25F80 можно настроить для защиты части памяти в режиме программной защиты. Устройство может выдерживать не менее 100 000 циклов программирования / стирания в каждом секторе.
cFeon EN25F80-75HCP Flash EEPROM BIOS SOP8 IC, 7,49 €
Настройки конфиденциальности данныхУказанные здесь настройки сохраняются в «локальном хранилище» вашего устройства. Настройки будут сохранены в памяти при следующем посещении нашего интернет-магазина. Вы можете изменить эти настройки в любое время (значок отпечатка пальца в нижнем левом углу).
Для получения дополнительной информации о времени жизни файлов cookie и необходимых основных файлах cookie см. Уведомление о конфиденциальности.
YouTube Дальнейшая информация
Чтобы просмотреть содержимое YouTube на этом веб-сайте, вам необходимо дать согласие на передачу данных и хранение сторонних файлов cookie с помощью YouTube (Google). Это позволяет нам улучшить ваш пользовательский опыт и сделать наши сайт лучше и интереснее.Без вашего согласия никакие данные не будут переданы на YouTube. Однако вы также не сможете пользоваться услугами YouTube на этом веб-сайте.
Описание:Встраивание видео
Процессинговая компания:Google Inc.
Условия эксплуатации: Ссылка на сайтVimeo Дальнейшая информация
Чтобы просматривать содержимое Vimeo на этом веб-сайте, вам необходимо дать согласие на передача данных и хранение сторонних файлов cookie с помощью Vimeo.. Это позволяет нам улучшить вашего пользователя опыта и сделать наш сайт лучше и интереснее. Без вашего согласия никакие данные не будут быть переданы на Vimeo. Однако вы также не сможете пользоваться услугами Vimdeo на этом веб-сайте.
Описание:Встраивание видео
Процессинговая компания:Vimeo
Условия эксплуатации: Ссылка на сайтReCaptcha Дальнейшая информация
Чтобы отправлять формы на этой странице, вам необходимо дать согласие на передачу данных и хранение сторонних файлов cookie компанией Google.С вашего согласия будет встроена reCAPTCHA, служба Google для предотвращения спама через контактные формы. Эта услуга позволяет нам предоставлять нашим клиентам безопасный способ связаться с нами через онлайн-формы. В то же время сервис не позволяет спам-ботам скомпрометировать наши сервисы. После того, как вы дадите свое разрешение, вас могут попросить ответить на запрос безопасности, чтобы отправить форму. Если вы не согласны, к сожалению, вы не сможете использовать эту форму. Пожалуйста, свяжитесь с нами другим способом.
Описание:Остановка спам-ботов
Процессинговая компания:Google Inc.
Условия эксплуатации: Ссылка на сайтEN25F80 ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ PDF
EN25FQCP 8-мегабитная последовательная флэш-память с однородным сектором 4 КБ. 8 Mbit Serial Flash Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: EN25FQCP. EN25F80 Datasheet PDF Download — Последовательная флэш-память 8 Мбит, техническое описание EN25F80.Техническое описание Eon EN25F80, последовательная флэш-память 8 Мбит (1 страница), техническое описание EN25F80, EN25F80 pdf, техническое описание EN25F80 pdf, распиновка EN25F80.
| Автор: | Тубар Шаджинд |
| Страна: | Шри-Ланка |
| Язык: | английский (испанский) |
| Жанр: | Автомобильная промышленность |
| Опубликовал (последний): | 21 апреля 2014 |
| Страниц: | 264 |
| PDF Размер файла: | 2.35 Мб |
| Размер файла ePub: | 17.34 Мб |
| ISBN: | 381-4-76914-807-4 |
| Загрузки: | 41399 |
| Цена: | Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ] |
| Загрузил: | Тоджинд |
Это характеристики защелкивания dn25f80, устройство никогда не следует ставить в этих условиях.Это предотвращает возврат устройства в состояние удержания. Однако получение этого сигнала низкого уровня не прерывает выполняющийся в данный момент цикл записи в регистр состояния, программу или цикл стирания. Основное различие в таблице данных между режимом 0 и режимом 3, как показано на рисунке 3, касается нормального состояния сигнала SCK, когда мастер шины SPI находится в режиме ожидания и данные не передаются на последовательную флэш-память.
Используемый флэш-модуль имеет очень хороший срок службы и может выдерживать два цикла перезаписи с периодом хранения данных около 20 лет.Расположение битов регистра состояния Примечание. Я проверил свою проводку. За этой инструкцией следует адрес, из которого данные сдвигаются в выходной регистр и считываются ведущим MCU.
Однако он всегда возвращает 0. Основное различие между режимом 0 и режимом en25f880, как показано на рисунке 3, dxtasheet показывает нормальное состояние сигнала SCK, когда мастер шины SPI находится в режиме ожидания и данные не передаются на последовательную флэш-память. .
Я сделал код, который считывает адреса и регистр состояния и печатает их через последовательный порт.
Это таблица данных, гарантирующая, что состояние внутренней логики остается неизменным с момента входа в состояние удержания. Устройство сначала выбирается с помощью Chip Select Low.
Обычно каждая операция записи начинается с инструкции WREN. D Eon Silicon Solution, Inc.
Опция массового хранения в мультимедийных устройствах, накопителях данных, энергонезависимое хранилище данных во встроенных приложениях, безопасное хранилище и аналогичные приложения, которые требуют надежного постоянного хранения цифровой информации.Набор команд приведен в таблице 4.
Инициализация приложения — Установите флэш-драйвер и щелкните инициализацию. Далее следует внутренний. Таблица синхронизации включения питания 7. Для решения этой проблемы EN25F80 предоставляет следующие механизмы защиты данных: Содержимое регистра состояния будет повторяться непрерывно, пока CS не завершит выполнение инструкции. Они определяют размер области, которая будет программно защищена от инструкций Program и Erase.
EN25F80 спроектирован так, чтобы обеспечить одновременную операцию как одного сектора, так и полного стирания чипа.
8-мегабитная последовательная флэш-память с единым сектором
4КбайтЕго можно использовать в качестве справочника при разработке индивидуального проекта. Могу ли я использовать quad spi с arduino? Каждая последовательность инструкций начинается с однобайтового кода инструкции.
За этим следует идентификация битового устройства, таблица в памяти, сдвигающаяся при выводе последовательных данных, каждый бит сдвигается во время спада последовательного тактового сигнала. Можно записать меньше байтов, и эти данные будут записаны по начальному адресу, не затрагивая остальные данные на той же странице.Для режима 3 сигнал SCK обычно высокий. Этот лист данных может быть изменен в последующих версиях. En25r80 Программная последовательность PP, состоящая из четырех байтов плюс данные.
Вы все еще можете использовать это для выбора чипа.
Флэш-чип SPI не работает должным образом
Chip Select CS должен быть переведен в высокий уровень после фиксации восьмого бита последнего байта адреса, в противном случае инструкция BE удаления блока не выполняется. Также возможно непрерывное считывание регистра состояния.У меня есть spi через делители напряжения на микросхеме, с vcc равным 3. Затем однобайтовый код инструкции должен быть сдвинут в устройство, старший бит первым должен быть на последовательном вводе данных бит Dleach, который фиксируется на передних фронтах последовательного интерфейса. Часы CLK. При значении 1 такой цикл выполняется, при сбросе на 0 — нет.
Я считаю, что вам нужно объявить D10, вывод SS, связанный с внутренним оборудованием SPI, также как выход, иначе я думаю, что чип может подумать, что это ведомый SPI, а не ведущий.Приведенный пример приложения демонстрирует функциональность библиотечных функций. Chip Select CS должен быть переведен в высокий уровень после фиксации восьмого бита байта данных.
Выполнение этой инструкции выводит устройство из режима глубокого отключения питания.
Приращение адреса выполняется автоматически, что позволяет прочитать всю память с помощью одной команды чтения данных. Подобные фишки есть везде. Высокая надежность циклов записи, сохранение данных в течение 20 лет, безопасный блок памяти OTP, высокая скорость передачи, режим SFDP для легкого поиска информации, специфичной для IC.
Минимальный объем заказа для продукта — 1. Существуют специальные инструкции Dual и Quad SPI, которые используют эти два дополнительных режима, что позволяет в несколько раз увеличить скорость передачи данных. Чтобы запрограммировать один байт данных, требуются две инструкции: Эти биты записываются с расширением.
Этот бит автоматически устанавливается в 0 после выполнения некоторых инструкций, а также во время самой операции записи, предотвращая случайное повреждение содержимого памяти.
EN25F80 Лист данных PDF
Защита от записи Приложения, использующие энергонезависимую память, должны учитывать возможность шума и других неблагоприятных системных условий, которые могут поставить под угрозу целостность данных.Поля байтов с данными в скобках «» указывают на данные, считываемые с устройства табличной информации на выводе DO.
Данные могут быть прочитаны командой чтения байтов данных. Это то, что вызывает мою проблему? Для режима 3 SCK. Расход устройства падает до I CC1. Продолжительность короткого замыкания не должна превышать одной секунды.
| |||||