A1 транзистор: Маркировка радиодеталей, Коды SMD A1, A1 GN*, A1*, A1**, A1***, A1-***, A10*, A1013, A1038S, A10A, A10B, A10C, A10D, A10E, A10F, A10G, A10H, A10I, A10J, A10K, A10L, A10M, A10N, A10O, A10P, A10Q, A10R, A10S, A10T, A10U, A10V, A10W, A10X, A10Y, A10Z, A11, A11*, A113ZS, A114GS, A114TS, A114WS, A114YS, A115ES, A115TS, A123JS, A123YS, A124ES, A124GS, A124TS, A124XS, A125TS, A13, A14, A143ES, A143XS, A144ES, A144VS, A15, A1515S, A1585S, A16*, A17, A17*, A1727, A1776, A18, A1862, A19, A1=***, A1C, A1O*, A1Y*. Даташиты 1KSMB10A, 1KSMB11A, 1KSMB12A, 1KSMB13A, 1KSMB15A, 1KSMB16A, 1KSMB18A, 1KSMB20A, 1KSMB22A, 1KSMB24A, 1KSMB27A, 1KSMB30A, 1KSMB33A, 1KSMB36A, 1KSMB39A, 1KSMB43A, 1KSMB47A, 1KSMB51A, 1KSMB56A, 1KSMB6.8A, 1KSMB62A, 1KSMB68A, 1KSMB7.5A, 1KSMB75A, 1KSMB8.2A, 1KSMB9.1A, 2SA1013, 2SA1038S, 2SA1515S, 2SA1585S, 2SA1727, 2SA1776, 2SA1862, 2SK436, ADT7110, AO3401L, APS1006ET5, BGA2001, DTA113ZSA, DTA114GSA, DTA114TSA, DTA114WSA, DTA114YM, DTA115ESA, DTA115TSA, DTA123JSA, DTA123YSA, DTA124ESA, DTA124GSA, DTA124TSA, DTA124XSA, DTA125TSA, DTA143ESA, DTA143XSA, DTA144ESA, DTA144VSA, ELM9710NBA, ELM9711NBA, FMA1A, KB3426-ADJ, MMBD1501A, MMBD1503A, MMBD1504A, MMBD1505A, N6200M5G, P2003BEA, RT9011-KNPQV, RT9193-33GU5, RT9193-33PU5, RT9198-18PY, RT9261-50PB, RT9284A-15PJ6, RT9284APJ5, SSM2301CPZ, SSM2301RMZ, STB1132, Si2301DS, UMA1N.

Содержание

Маркировка радиодеталей, Коды SMD A1, A1 GN*, A1*, A1**, A1***, A1-***, A10*, A1013, A1038S, A10A, A10B, A10C, A10D, A10E, A10F, A10G, A10H, A10I, A10J, A10K, A10L, A10M, A10N, A10O, A10P, A10Q, A10R, A10S, A10T, A10U, A10V, A10W, A10X, A10Y, A10Z, A11, A11*, A113ZS, A114GS, A114TS, A114WS, A114YS, A115ES, A115TS, A123JS, A123YS, A124ES, A124GS, A124TS, A124XS, A125TS, A13, A14, A143ES, A143XS, A144ES, A144VS, A15, A1515S, A1585S, A16*, A17, A17*, A1727, A1776, A18, A1862, A19, A1=***, A1C, A1O*, A1Y*. Даташиты 1KSMB10A, 1KSMB11A, 1KSMB12A, 1KSMB13A, 1KSMB15A, 1KSMB16A, 1KSMB18A, 1KSMB20A, 1KSMB22A, 1KSMB24A, 1KSMB27A, 1KSMB30A, 1KSMB33A, 1KSMB36A, 1KSMB39A, 1KSMB43A, 1KSMB47A, 1KSMB51A, 1KSMB56A, 1KSMB6.8A, 1KSMB62A, 1KSMB68A, 1KSMB7.5A, 1KSMB75A, 1KSMB8.2A, 1KSMB9.1A, 2SA1013, 2SA1038S, 2SA1515S, 2SA1585S, 2SA1727, 2SA1776, 2SA1862, 2SK436, ADT7110, AO3401L, APS1006ET5, BGA2001, DTA113ZSA, DTA114GSA, DTA114TSA, DTA114WSA, DTA114YM, DTA115ESA, DTA115TSA, DTA123JSA, DTA123YSA, DTA124ESA, DTA124GSA, DTA124TSA, DTA124XSA, DTA125TSA, DTA143ESA, DTA143XSA, DTA144ESA, DTA144VSA, ELM9710NBA, ELM9711NBA, FMA1A, KB3426-ADJ, MMBD1501A, MMBD1503A, MMBD1504A, MMBD1505A, N6200M5G, P2003BEA, RT9011-KNPQV, RT9193-33GU5, RT9193-33PU5, RT9198-18PY, RT9261-50PB, RT9284A-15PJ6, RT9284APJ5, SSM2301CPZ, SSM2301RMZ, STB1132, Si2301DS, UMA1N.

A1 SOT-343R BGA2001Philips (Now NXP)MMIC усилитель
A1 SOT-753 FMA1AROHMЦифровые PNP транзисторы
A1 SOT-353 UMA1NROHMЦифровые PNP транзисторы
A1 GN* DFN-8 3×3 P2003BEAUnikcN-канальный MOSFET
A1* VDFN-8 2×2 RT9011-KNPQVRichtekСтабилизатор напряжения
A1** SOT-23 AO3401LAlpha & OmegaПолевой транзистор с P-каналом
A1** SOT-25 APS1006ET5APSemiПонижающий преобразователь
A1** SOT-25 N6200M5GNIKO-SEMПонижающий преобразователь
A1*** SOT-23 Si2301DSVishayПолевой транзистор с P-каналом
A1-*** SOT-353 RT9193-33PU5RichtekСтабилизатор напряжения
A1-*** SOT-343 RT9198-18PYRichtekСтабилизатор напряжения
A1-*** SOT-25 RT9261-50PBRichtekПовышающий пребразователь
A1-*** SOT-26 RT9284A-15PJ6RichtekДрайвер светодиода
A1-*** SOT-25 RT9284APJ5RichtekДрайвер светодиода
A10* SOT-23 ELM9710NBAELMДетектор напряжения
A1013 TO-92 2SA1013ToshibaPNP транзистор
A1038S SPT / SC-72 2SA1038SROHMPNP транзистор
A10A DO-214AA 1KSMB6.8ALittelfuseЗащитный диод
A10B DO-214AA 1KSMB7.5ALittelfuseЗащитный диод
A10C DO-214AA 1KSMB8.2ALittelfuseЗащитный диод
A10D DO-214AA 1KSMB9.1ALittelfuseЗащитный диод
A10E DO-214AA 1KSMB10ALittelfuseЗащитный диод
A10F DO-214AA 1KSMB11ALittelfuseЗащитный диод
A10G DO-214AA 1KSMB12ALittelfuseЗащитный диод
A10H DO-214AA 1KSMB13ALittelfuseЗащитный диод
A10I DO-214AA 1KSMB15ALittelfuseЗащитный диод
A10J DO-214AA 1KSMB16ALittelfuseЗащитный диод
A10K DO-214AA 1KSMB18ALittelfuseЗащитный диод
A10L DO-214AA 1KSMB20ALittelfuseЗащитный диод
A10M DO-214AA 1KSMB22ALittelfuseЗащитный диод
A10N DO-214AA 1KSMB24ALittelfuseЗащитный диод
A10O DO-214AA 1KSMB27ALittelfuseЗащитный диод
A10P DO-214AA 1KSMB30ALittelfuseЗащитный диод
A10Q DO-214AA 1KSMB33ALittelfuseЗащитный диод
A10R DO-214AA 1KSMB36ALittelfuseЗащитный диод
A10S DO-214AA 1KSMB39ALittelfuseЗащитный диод
A10T DO-214AA 1KSMB43ALittelfuseЗащитный диод
A10U DO-214AA 1KSMB47ALittelfuseЗащитный диод
A10V DO-214AA 1KSMB51ALittelfuseЗащитный диод
A10W DO-214AA 1KSMB56ALittelfuseЗащитный диод
A10X DO-214AA 1KSMB62ALittelfuseЗащитный диод
A10Y DO-214AA 1KSMB68ALittelfuseЗащитный диод
A10Z DO-214AA 1KSMB75ALittelfuseЗащитный диод
A11 SOT-26 ADT7110AD-TechДрайвер светодиода
A11 SOT-23 MMBD1501ABL Galaxy ElectricalДиод
A11 SOT-23 MMBD1501AFairchild (Now ON)Диод
A11* SOT-23 ELM9711NBAELM
Детектор напряжения
A113ZS SPT / SC-72 DTA113ZSAROHMЦифровой PNP транзистор
A114GS SPT / SC-72 DTA114GSAROHMЦифровой PNP транзистор
A114TS SPT / SC-72 DTA114TSAROHMЦифровой PNP транзистор
A114WS SPT / SC-72 DTA114WSAROHMЦифровой PNP транзистор
A114YS SPT / SC-72 DTA114YMROHMЦифровой PNP транзистор
A115ES SPT / SC-72 DTA115ESAROHMЦифровой PNP транзистор
A115TS SPT / SC-72 DTA115TSAROHMЦифровой PNP транзистор
A123JS SPT / SC-72 DTA123JSAROHMЦифровой PNP транзистор
A123YS SPT / SC-72 DTA123YSAROHMЦифровой PNP транзистор
A124ES SPT / SC-72 DTA124ESAROHMЦифровой PNP транзистор
A124GS SPT / SC-72 DTA124GSAROHMЦифровой PNP транзистор
A124TS SPT / SC-72 DTA124TSAROHMЦифровой PNP транзистор
A124XS SPT / SC-72 DTA124XSAROHMЦифровой PNP транзистор
A125TS SPT / SC-72 DTA125TSAROHMЦифровой PNP транзистор
A13 SOT-23 MMBD1503ABL Galaxy ElectricalДиоды
A13 SOT-23 MMBD1503AFairchild (Now ON)Диоды
A14 SOT-23 MMBD1504ABL Galaxy ElectricalДиоды
A14 SOT-23 MMBD1504AFairchild (Now ON)Диоды
A143ES SPT / SC-72 DTA143ESAROHMЦифровой PNP транзистор
A143XS SPT / SC-72 DTA143XSAROHMЦифровой PNP транзистор
A144ES TO-92S DTA144ESASecosЦифровой PNP транзистор
A144VS SPT / SC-72 DTA144VSAROHMЦифровой PNP транзистор
A15
SOT-23
MMBD1505ABL Galaxy ElectricalДиоды
A15 SOT-23 MMBD1505AFairchild (Now ON)Диоды
A1515S SPT / SC-72 2SA1515SROHMPNP транзистор
A1585S SPT / SC-72 2SA1585SROHMPNP транзистор
A16* SOT-25 KB3426-ADJKingborПонижающий преобразователь
A17 SOT-23 2SK436Sanyo (Now Panasonic)N-канальный JFET
A17* SOT-25 KB3426-ADJKingborПонижающий преобразователь
A1727 SOT-428 2SA1727ROHMPNP транзистор
A1776 ATV 2SA1776ROHMPNP транзистор
A18 SOT-23 2SK436Sanyo (Now Panasonic)N-канальный JFET
A1862 SOT-428 2SA1862ROHMPNP транзистор
A19 SOT-23 2SK436Sanyo (Now Panasonic)N-канальный JFET
A1=*** SOT-353 RT9193-33GU5RichtekСтабилизатор напряжения
A1C LFCSP_VD 3×3 SSM2301CPZAnalog DevicesАудио усилитель
A1C MSOP-8 SSM2301RMZAnalog DevicesАудио усилитель
A1O* SOT-89 STB1132AUKPNP транзистор
A1Y* SOT-89 STB1132AUKPNP транзистор

A1 SMD маркировка | Все для ремонта электроники

A1 SOT-343R
BGA2001 MMIC усилитель Скачать
A1 SOT-753
FMA1A Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 SOT-353
UMA1N Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 GN* DFN-8 3×3
P2003BEA N-канальный MOSFET Скачать
A1* VDFN-8 2×2
RT9011-KNPQV Стабилизатор напряжения Скачать
A1** SOT-23
AO3401L Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1** SOT-25
APS1006ET5 Понижающий преобразователь Скачать
A1** SOT-25
N6200M5G Понижающий преобразователь Скачать
A1*** SOT-23
Si2301DS Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1-*** SOT-353
RT9193-33PU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-343
RT9198-18PY Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-25
RT9261-50PB Повышающий преобразователь Скачать
A1-*** SOT-26
RT9284A-15PJ6 Драйвер светодиода Скачать
A1-*** SOT-25
RT9284APJ5 Драйвер светодиода Скачать
A10* SOT-23
ELM9710NBA Детектор напряжения Скачать
A1013
TO-92
2SA1013 PNP транзистор Скачать
A1038S SPT / SC-72 2SA1038S PNP транзистор Скачать
A10A
DO-214AA 1KSMB6.8A Защитный диод Скачать
A10B
DO-214AA 1KSMB7.5A Защитный диод Скачать
A10C
DO-214AA 1KSMB8.2A Защитный диод Скачать
A10D
DO-214AA 1KSMB9.1A Защитный диод Скачать
A10E
DO-214AA 1KSMB10A Защитный диод Скачать
A10F
DO-214AA 1KSMB11A Защитный диод Скачать
A10G
DO-214AA 1KSMB12A Защитный диод Скачать
A10H
DO-214AA 1KSMB13A Защитный диод Скачать
A10I
DO-214AA 1KSMB15A Защитный диод Скачать
A10J
DO-214AA 1KSMB16A Защитный диод Скачать
A10K
DO-214AA 1KSMB18A Защитный диод Скачать
A10L
DO-214AA 1KSMB20A Защитный диод Скачать
A10M
DO-214AA 1KSMB22A Защитный диод Скачать
A10N
DO-214AA 1KSMB24A Защитный диод Скачать
A10O
DO-214AA 1KSMB27A Защитный диод Скачать
A10P
DO-214AA 1KSMB30A Защитный диод Скачать
A10Q
DO-214AA 1KSMB33A Защитный диод Скачать
A10R
DO-214AA 1KSMB36A Защитный диод Скачать
A10S
DO-214AA 1KSMB39A Защитный диод Скачать
A10T
DO-214AA 1KSMB43A Защитный диод Скачать
A10U
DO-214AA 1KSMB47A Защитный диод Скачать
A10V
DO-214AA 1KSMB51A Защитный диод Скачать
A10W
DO-214AA 1KSMB56A Защитный диод Скачать
A10X
DO-214AA 1KSMB62A Защитный диод Скачать
A10Y
DO-214AA 1KSMB68A Защитный диод Скачать
A10Z
DO-214AA 1KSMB75A Защитный диод Скачать
A11 SOT-26
ADT7110 Драйвер светодиода Скачать
A11 SOT-23
MMBD1501A Диод Скачать
A11* SOT-23
ELM9711NBA Детектор напряжения Скачать
A113ZS SPT / SC-72 DTA113ZSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114GS SPT / SC-72 DTA114GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114TS SPT / SC-72 DTA114TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114WS SPT / SC-72 DTA114WSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114YS SPT / SC-72 DTA114YM Цифровой PNP транзистор Скачать
A115ES SPT / SC-72 DTA115ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A115TS SPT / SC-72 DTA115TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123JS SPT / SC-72 DTA123JSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123YS SPT / SC-72 DTA123YSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124ES SPT / SC-72 DTA124ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124GS SPT / SC-72 DTA124GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124TS SPT / SC-72 DTA124TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124XS SPT / SC-72 DTA124XSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A125TS SPT / SC-72 DTA125TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A13 SOT-23
MMBD1503A Диоды Скачать
A14 SOT-23
MMBD1504A Диоды Скачать
A14 SOT-23
MMBD1504A Диоды Скачать
A143** SPT / SC-72 DTA143ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144ES TO-92S
DTA144ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144VS SPT / SC-72 DTA144VSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A15 SOT-23
MMBD1505A Диоды Скачать
A1515S SPT / SC-72 2SA1515S PNP транзистор Скачать
A1585S SPT / SC-72 2SA1585S PNP транзистор Скачать
A16* SOT-25
KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A17 SOT-23
2SK436 N-канальный JFET Скачать
A17* SOT-25
KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A1727 SOT-428
2SA1727 PNP транзистор Скачать
A1776 ATV 2SA1776 PNP транзистор Скачать
A18 SOT-23
2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1862
SOT-428
2SA1862 PNP транзистор Скачать
A19 SOT-23
2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1=*** SOT-353
RT9193-33GU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1C LFCSP_VD 3×3 SSM2301CPZ Аудио усилитель Скачать
A1C MSOP-8
SSM2301RMZ Аудио усилитель Скачать
A1O* SOT-89
STB1132 PNP транзистор Скачать
A1Y* SOT-89
STB1132 PNP транзистор Скачать

Качество a1 smd транзистор для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. a1 smd транзистор на выбор в соответствии с вашими потребностями. a1 smd транзистор являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. a1 smd транзистор, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

a1 smd транзистор состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. a1 smd транзистор охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. a1 smd транзистор скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. a1 smd транзистор для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. a1 smd транзистор на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. a1 smd транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. a1 smd транзистор на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

BC547C A1, NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 3-Pin TO-92, Taiwan Semiconductor

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 5.1мм
Maximum Collector Base Voltage 50 В
Transistor Configuration Одинарный
Brand Taiwan Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type TO-92
Maximum Power Dissipation 500 mW
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Width 4.1мм
Maximum DC Collector Current 100 mA
Transistor Type NPN
Height 4.7мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Dimensions 5.1 x 4.1 x 4.7mm
Minimum DC Current Gain 420
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage 50 В
Transistor Configuration Одинарный
Brand Taiwan Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 В
Package Type TO-92
Maximum Power Dissipation 500 мВт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Максимальный пост. ток коллектора 100 мА
Тип транзистора NPN
Pin Count 3
Dimensions 5.1 x 4.1 x 4.7мм
Maximum Emitter Base Voltage 6 В
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы — BJT
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 4000
Серия BC5xxA/B/C
Технология Si
Тип продукта BJTs — Bipolar Transistors
Торговая марка Taiwan Semiconductor
Упаковка Ammo Pack
Упаковка / блок TO-92-3

2SA1124 транзистор (1124 PNP 000A50 0150V TO-92L-A1 2SA1124-R Panasonic)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. 2SA….

Производитель: Panasonic

Код товара: Т0000014519

Маркировка: A1124 R

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость PNP
Функциональное назначение выводов 1=E 2=C 3=B
Напряжение коллектор-база -150 Vdc
Напряжение коллектор-эмиттер -150 Vdc
Напряжение эмиттер-база -5 Vdc
Ток коллектора max -50 mA
Ток коллектор импульсный max -100 mA
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 130…220 V=−[email protected]=−2mA
Обратный ток коллектора -1 mkA max @[email protected]=0
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения -1 V Ic=−[email protected]=−3mA
Граничная частота 200 MHz Vcb=−[email protected][email protected]=200 MHz
Мощность рассеивания 1 W @25*C
Температура рабочая -55…+150 *C
> комплементарная пара 2SC2632 (NPN)

Преобразователь частоты ADT серии iMaster A1, 380~480B (3 фазы), 18.5 кВт / 38 A (HD), перегрузка 150% / 1 мин., ПИД-регулирование, IP20, с ЭМС-фильтром, встроенный RS485, пульт управления, тормозной транзистор (A1-045A-4)

Код товара 6692103

Артикул A1-045A-4

Производитель ADT

Страна Корея Республика

Наименование  

Упаковки  

Сертификат  

Тип изделия Преобразователь частоты

Номинальная мощность электродвигателя, КВт 18.5

Количество фаз 3

Напряжение, В 380

Номинальный ток,А 38

Степень защиты IP20

Способ задания параметров Интерфейс, клеммы, пульт

Наличие интерфейса связи RS-485

Номинальное напряжение, В 400

Все характеристики

Характеристики

Код товара 6692103

Артикул A1-045A-4

Производитель ADT

Страна Корея Республика

Наименование  

Упаковки  

Сертификат  

Тип изделия Преобразователь частоты

Номинальная мощность электродвигателя, КВт 18.5

Количество фаз 3

Напряжение, В 380

Номинальный ток,А 38

Степень защиты IP20

Способ задания параметров Интерфейс, клеммы, пульт

Наличие интерфейса связи RS-485

Номинальное напряжение, В 400

Все характеристики

Всегда поможем:
Центр поддержки
и продаж

Скидки до 10% +
баллы до 10%

Доставка по городу
от 150 р.

Получение в 150
пунктах выдачи

Маркировка smd транзисторов — расшифровка кодовых обозначений

A1 SOT-343R BGA2001 MMIC усилитель Скачать
A1 SOT-753 FMA1A Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 SOT-353 UMA1N Цифровые PNP транзисторы Скачать
A1 GN* DFN-8 3×3 P2003BEA N-канальный MOSFET Скачать
A1* VDFN-8 2×2 RT9011-KNPQV Стабилизатор напряжения Скачать
A1** SOT-23 AO3401L Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1** SOT-25 APS1006ET5 Понижающий преобразователь Скачать
A1** SOT-25 N6200M5G Понижающий преобразователь Скачать
A1*** SOT-23 Si2301DS Полевой транзистор с P-каналом Скачать
A1-*** SOT-353 RT9193-33PU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-343 RT9198-18PY Стабилизатор напряжения Скачать
A1-*** SOT-25 RT9261-50PB Повышающий преобразователь Скачать
A1-*** SOT-26 RT9284A-15PJ6 Драйвер светодиода Скачать
A1-*** SOT-25 RT9284APJ5 Драйвер светодиода Скачать
A10* SOT-23 ELM9710NBA Детектор напряжения Скачать
A1013 TO-92 2SA1013 PNP транзистор Скачать
A1038S SPT / SC-72 2SA1038S PNP транзистор Скачать
A10A DO-214AA 1KSMB6.8A Защитный диод Скачать
A10B DO-214AA 1KSMB7.5A Защитный диод Скачать
A10C DO-214AA 1KSMB8.2A Защитный диод Скачать
A10D DO-214AA 1KSMB9.1A Защитный диод Скачать
A10E DO-214AA 1KSMB10A Защитный диод Скачать
A10F DO-214AA 1KSMB11A Защитный диод Скачать
A10G DO-214AA 1KSMB12A Защитный диод Скачать
A10H DO-214AA 1KSMB13A Защитный диод Скачать
A10I DO-214AA 1KSMB15A Защитный диод Скачать
A10J DO-214AA 1KSMB16A Защитный диод Скачать
A10K DO-214AA 1KSMB18A Защитный диод Скачать
A10L DO-214AA 1KSMB20A Защитный диод Скачать
A10M DO-214AA 1KSMB22A Защитный диод Скачать
A10N DO-214AA 1KSMB24A Защитный диод Скачать
A10O DO-214AA 1KSMB27A Защитный диод Скачать
A10P DO-214AA 1KSMB30A Защитный диод Скачать
A10Q DO-214AA 1KSMB33A Защитный диод Скачать
A10R DO-214AA 1KSMB36A Защитный диод Скачать
A10S DO-214AA 1KSMB39A Защитный диод Скачать
A10T DO-214AA 1KSMB43A Защитный диод Скачать
A10U DO-214AA 1KSMB47A Защитный диод Скачать
A10V DO-214AA 1KSMB51A Защитный диод Скачать
A10W DO-214AA 1KSMB56A Защитный диод Скачать
A10X DO-214AA 1KSMB62A Защитный диод Скачать
A10Y DO-214AA 1KSMB68A Защитный диод Скачать
A10Z DO-214AA 1KSMB75A Защитный диод Скачать
A11 SOT-26 ADT7110 Драйвер светодиода Скачать
A11 SOT-23 MMBD1501A Диод Скачать
A11* SOT-23 ELM9711NBA Детектор напряжения Скачать
A113ZS SPT / SC-72 DTA113ZSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114GS SPT / SC-72 DTA114GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114TS SPT / SC-72 DTA114TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114WS SPT / SC-72 DTA114WSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A114YS SPT / SC-72 DTA114YM Цифровой PNP транзистор Скачать
A115ES SPT / SC-72 DTA115ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A115TS SPT / SC-72 DTA115TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123JS SPT / SC-72 DTA123JSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A123YS SPT / SC-72 DTA123YSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124ES SPT / SC-72 DTA124ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124GS SPT / SC-72 DTA124GSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124TS SPT / SC-72 DTA124TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A124XS SPT / SC-72 DTA124XSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A125TS SPT / SC-72 DTA125TSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A13 SOT-23 MMBD1503A Диоды Скачать
A14 SOT-23 MMBD1504A Диоды Скачать
A14 SOT-23 MMBD1504A Диоды Скачать
A143** SPT / SC-72 DTA143ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144ES TO-92S DTA144ESA Цифровой PNP транзистор Скачать
A144VS SPT / SC-72 DTA144VSA Цифровой PNP транзистор Скачать
A15 SOT-23 MMBD1505A Диоды Скачать
A1515S SPT / SC-72 2SA1515S PNP транзистор Скачать
A1585S SPT / SC-72 2SA1585S PNP транзистор Скачать
A16* SOT-25 KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A17 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A17* SOT-25 KB3426-ADJ Понижающий преобразователь Скачать
A1727 SOT-428 2SA1727 PNP транзистор Скачать
A1776 ATV 2SA1776 PNP транзистор Скачать
A18 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1862 SOT-428 2SA1862 PNP транзистор Скачать
A19 SOT-23 2SK436 N-канальный JFET Скачать
A1=*** SOT-353 RT9193-33GU5 Стабилизатор напряжения Скачать
A1C LFCSP_VD 3×3 SSM2301CPZ Аудио усилитель Скачать
A1C MSOP-8 SSM2301RMZ Аудио усилитель Скачать
A1O* SOT-89 STB1132 PNP транзистор Скачать
A1Y* SOT-89 STB1132 PNP транзистор Скачать

Качество a1 smd транзистор Для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор.  a1 smd транзистор  на выбор, чтобы удовлетворить ваши конкретные потребности.  a1 smd транзистор  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  a1 smd транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать.Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. 

a1 smd-транзистор изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. a1 smd транзистор охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования.В качестве усилителей. a1 smd-транзистор скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. a1 smd-транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. a1 smd-транзистор на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желательному 0.Напряжение перехода 6 В. Основные параметры для. a1 smd транзистор для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. a1 smd транзистор на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Маркировка электронных компонентов, коды SMD A1, A1 GN *, A1 *, A1 **, A1 ***, A1 — ***, A10 *, A1013, A1038S, A10A, A10B, A10C, A10D, A10E, A10F, A10G, A10H, A10I, A10J, A10K, A10L, A10M, A10N, A10O, A10P, A10Q, A10R, A10S, A10T, A10U, A10V, A10W, A10X, A10Y, A10Z, A113, A11 *, A113 * , A114GS, A114TS, A114WS, A114YS, A115ES, A115TS, A123JS, A123YS, A124ES, A124GS, A124TS, A124XS, A125TS, A13, A14, A143ES, A143XS, A1685, A155, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A154, A15, A15, A15, A15, A15, A15, A15 A17 *, A1727, A1776, A18, A1862, A19, A1 = ***, A1C, A1O *, A1Y *.Даташиты 1КСМБ10А, 1КСМБ11А, 1КСМБ12А, 1КСМБ13А, 1КСМБ15А, 1КСМБ16А, 1КСМБ18А, 1КСМБ20А, 1КСМБ22А, 1КСМБ24А, 1КСМБ27А, 1КСМБ30А, 1КСМБ33АКС, 1КСМБАКМБА, 1КСМБАКМБ, 1КСМБАКСМБА, 1КСМБАКСМБА, 1КСМБАКСМБА, 1КСМБАКСМБА, 1КСМБАКСМБ. , 1KSMB75A, 1KSMB8.2A, 1KSMB9.1A, 2SA1013, 2SA1038S, 2SA1515S, 2SA1585S, 2SA1727, 2SA1776, 2SA1862, 2SK436, ADT7110, AO3401L, APS1006ET5, BGA2001, DTA113ZSA, DTA114GSA, DTA114TSA, DTA114WSA, DTA114YM, DTA115ESA, DTA115TSA, DTA123JSA , DTA123YSA, DTA124ESA, DTA124GSA, DTA124TSA, DTA124XSA, DTA125TSA, DTA143ESA, DTA143XSA, DTA144ESA, DTA144VSA, ELM9710NBA, ELM9711NBA, FMA1A, KB3426-ADJ, MMBD1501A, MMBD1503A, MMBD1504A, MMBD1505A, N6200M5G, P2003BEA, RT9011-KNPQV, RT9193-33GU5 , RT9193-33PU5, RT9198-18PY, RT9261-50PB, RT9284A-15PJ6, RT9284APJ5, SSM2301CPZ, SSM2301RMZ, STB1132, Si2301DS, UMA1N.

Главная
Автозвук
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Таблицы данных
Маркировка SMD
Forum
  1. Основной
  2. Маркировка SMD
  3. A1
Код SMD Упаковка Название устройства Производитель Данные Лист данных
A1 СОТ-343Р BGA2001 Philips (теперь NXP) Усилитель MMIC
A1 СОТ-753 FMA1A ROHM Цифровые транзисторы PNP
A1 СОТ-353 UMA1N ROHM Цифровые транзисторы PNP
A1 GN * DFN-8 3×3 P2003BEA Unikc N-канальный полевой МОП-транзистор
A1 * ВДФН-8 2х2 RT9011-KNPQV Richtek Линейный регулятор напряжения
A1 ** СОТ-23 AO3401L Alpha и Omega P-канальный полевой МОП-транзистор
A1 ** СОТ-25 APS1006ET5 APSemi Понижающий преобразователь
A1 ** СОТ-25 N6200M5G NIKO-SEM Понижающий преобразователь
A1 *** СОТ-23 Si2301DS Vishay МОП-транзистор с P-каналом
A1 — *** СОТ-353 RT9193-33PU5 Richtek Линейный регулятор напряжения
A1 — *** СОТ-343 RT9198-18PY Richtek Линейный регулятор напряжения
A1 — *** СОТ-25 RT9261-50PB Richtek Повышающий преобразователь
A1 — *** СОТ-26 RT9284A-15PJ6 Richtek Светодиодный драйвер
A1 — *** СОТ-25 RT9284APJ5 Richtek Светодиодный драйвер
A10 * СОТ-23 ELM9710NBA ELM Детектор напряжения
A1013 К-92 2SA1013 Toshiba PNP транзистор
A1038S SPT / SC-72 2SA1038S ROHM PNP транзистор
A10A DO-214AA 1КСМБ6.8A Littelfuse TVS диод
A10B DO-214AA 1KSMB7.5A Littelfuse TVS диод
A10C DO-214AA 1KSMB8.2A Littelfuse TVS диод
A10D DO-214AA 1KSMB9.1A Littelfuse TVS диод
A10E DO-214AA 1KSMB10A Littelfuse Диод TVS
A10F DO-214AA 1KSMB11A Littelfuse Диод TVS
A10G DO-214AA 1KSMB12A Littelfuse Диод TVS
A10H DO-214AA 1KSMB13A Littelfuse Диод TVS
A10I DO-214AA 1KSMB15A Littelfuse Диод TVS
A10J DO-214AA 1KSMB16A Littelfuse Диод TVS
A10K DO-214AA 1KSMB18A Littelfuse Диод TVS
A10L DO-214AA 1KSMB20A Littelfuse Диод TVS
A10M DO-214AA 1KSMB22A Littelfuse Диод TVS
A10N DO-214AA 1KSMB24A Littelfuse TVS диод
A10O DO-214AA 1KSMB27A Littelfuse Диод TVS
A10P DO-214AA 1KSMB30A Littelfuse Диод TVS
A10Q DO-214AA 1KSMB33A Littelfuse Диод TVS
A10R DO-214AA 1KSMB36A Littelfuse Диод TVS
A10S DO-214AA 1KSMB39A Littelfuse Диод TVS
A10T DO-214AA 1KSMB43A Littelfuse Диод TVS
A10U DO-214AA 1KSMB47A Littelfuse Диод TVS
A10V DO-214AA 1KSMB51A Littelfuse Диод TVS
A10W DO-214AA 1KSMB56A Littelfuse Диод TVS
A10X DO-214AA 1KSMB62A Littelfuse Диод TVS
A10Y DO-214AA 1KSMB68A Littelfuse Диод TVS
A10Z DO-214AA 1KSMB75A Littelfuse Диод TVS
A11 СОТ-26 ADT7110 AD-Tech Светодиодный драйвер
A11 СОТ-23 MMBD1501A BL Galaxy Electric Диод
A11 СОТ-23 MMBD1501A Fairchild (сейчас включено) Диод
A11 * СОТ-23 ELM9711NBA ELM Детектор напряжения
A113ZS SPT / SC-72 ДТА113ЗСА РОХМ ПНП цифровой транзистор
A114GS SPT / SC-72 DTA114GSA ROHM PNP цифровой транзистор
A114TS SPT / SC-72 DTA114TSA ROHM PNP цифровой транзистор
A114WS SPT / SC-72 ДТА114ВСА РОХМ ПНП цифровой транзистор
A114YS SPT / SC-72 ДТА114ИМ РОХМ ПНП цифровой транзистор
A115ES SPT / SC-72 DTA115ESA ROHM PNP цифровой транзистор
A115TS SPT / SC-72 DTA115TSA ROHM PNP цифровой транзистор
A123JS SPT / SC-72 ДТА123ДЖСА РОХМ ПНП цифровой транзистор
A123YS SPT / SC-72 DTA123YSA ROHM PNP цифровой транзистор
A124ES SPT / SC-72 DTA124ESA ROHM PNP цифровой транзистор
A124GS SPT / SC-72 DTA124GSA ROHM PNP цифровой транзистор
A124TS SPT / SC-72 DTA124TSA ROHM PNP цифровой транзистор
A124XS SPT / SC-72 DTA124XSA ROHM PNP цифровой транзистор
A125TS SPT / SC-72 DTA125TSA ROHM PNP цифровой транзистор
A13 СОТ-23 MMBD1503A BL Galaxy Электрические Диоды
A13 СОТ-23 MMBD1503A Fairchild (сейчас включено) Диоды
A14 СОТ-23 MMBD1504A BL Galaxy Электрические Диоды
A14 СОТ-23 MMBD1504A Fairchild (сейчас включено) Диоды
A143ES SPT / SC-72 DTA143ESA ROHM PNP цифровой транзистор
A143XS SPT / SC-72 DTA143XSA ROHM PNP цифровой транзистор
A144ES ТО-92С DTA144ESA Secos Цифровой транзистор PNP
A144VS SPT / SC-72 DTA144VSA ROHM PNP цифровой транзистор
A15 СОТ-23 MMBD1505A BL Galaxy Электрические Диоды
A15 СОТ-23 MMBD1505A Fairchild (теперь включено) Диоды
A1515S SPT / SC-72 2SA1515S ROHM PNP транзистор
A1585S SPT / SC-72 2SA1585S ROHM PNP транзистор
A16 * СОТ-25 KB3426-ADJ Kingbor Понижающий преобразователь
A17 СОТ-23 2SK436 Sanyo (теперь Panasonic) N-канал JFET
A17 * СОТ-25 KB3426-ADJ Kingbor Понижающий преобразователь
A1727 СОТ-428 2SA1727 ROHM PNP транзистор
A1776 квадроцикл 2SA1776 ROHM PNP транзистор
A18 СОТ-23 2SK436 Sanyo (теперь Panasonic) N-канал JFET
A1862 СОТ-428 2SA1862 ROHM PNP транзистор
A19 СОТ-23 2SK436 Sanyo (теперь Panasonic) N-канал JFET
A1 = *** СОТ-353 RT9193-33GU5 Richtek Линейный регулятор напряжения
A1C LFCSP_VD 3×3 SSM2301CPZ Analog Devices Аудио усилитель мощности
A1C МСОП-8 SSM2301RMZ Analog Devices Звуковой усилитель мощности
A1O * СОТ-89 STB1132 AUK PNP транзистор
A1Y * СОТ-89 STB1132 AUK PNP транзистор

smd% 20transistor% 20a1% 20sot-23 техническое описание и примечания по применению

SMD 43

Реферат: Катушки индуктивности Силовые дроссели smd diode j 100N 1FW + 43 + smd
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D18LD 2D18LD SMD 43 Индукторы Силовые индукторы smd диод j 100N 1FW + 43 + smd
SDC3D11

Аннотация: smd led smd диод j транзистор SMD 41068 smd
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC3D11 smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd
smd 356 в

Аннотация: дроссель smd we 470356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j светодиодный smd дроссель smd 470 SMD INDUCTOR 47
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC3D16LD 3D16LD smd 356 AT индуктор smd we 470 356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j Светодиод smd индуктор smd 470 ИНДУКТОР SMD 47
SMD d105

Аннотация: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS3012E 3012E SMD d105 SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD Силовые индукторы k439
к439

Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS3015ELD 3015ELD k439 B34 SMD SMD a34 SDS301
SDC2D14

Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ SMD индуктор
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D14 SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Индуктор SMD
SDS2D10-4R7N-LF

Аннотация: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B индуктивности 221 a32 smd
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B индукторы 221 a32 smd
2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC3D28
SDC2D11-100N-LF

Реферат: Катушки индуктивности Power Inductors smd led «Power Inductors» smd 123 smd diode j 4263B SMD INDUCTOR 47
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D11 SDC2D11-100N-LF Индукторы Силовые индукторы smd led «Силовые индукторы» smd 123 smd диод j 4263B ИНДУКТОР SMD 47
SDC2D11HP-3R3N-LF

Реферат: Силовые индукторы Inductors smd led smd diode j 4263B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D11HP 2D11HP SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы smd led smd диод j 4263B
2012 — SDC2D14-1R5N-LF

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D14 SDC2D14-1R5N-LF
A44 SMD

Абстракция: smd 5630 5630 smd coilmaster smd B44 SDS4212E-100M-LF
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS4212E 4212E A44 SMD smd 5630 5630 smd катушка smd B44 SDS4212E-100M-LF
индуктор

Аннотация: smd led SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D14HP 2D14HPS индуктор smd led SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБо 100N SDC2D14HPS
индукторы

Реферат: СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Diode smd 86 smd diode j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы»
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2D18HP индукторы СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод smd 86 smd диод j 100N «Силовые индукторы»
2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D18HP 2D18HP
SMD.A40

Аннотация: a40 smd smd D10 индукторы силовые индукторы SMD A40 smd g12
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS4010E 4010E SMD .A40 a40 smd smd D10 Индукторы Силовые индукторы SMD A40 smd g12
Силовые индукторы

Реферат: smd диод j 100N индукторы
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC3D18 Силовые индукторы smd диод j 100N Индукторы
2Д18

Аннотация: дроссели 221 lf 1250 smd diode j SDS2D18
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS2D18 2D18 индукторы 221 lf 1250 smd диод j
SMD 43

Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd diode j «Power Inductors» 3D14.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC3D14 SMD 43 индукторы Силовые индукторы 3Д-14 smd диод j «Силовые индукторы» 3Д14
smd 3250

Реферат: Coilmaster Electronics smd-диод j
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDC2D09 smd 3250 Coilmaster Electronics smd диод j
пгб 4220

Реферат: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T smd 2035 82526-N SICOFI PEF 2465 DSP / pmb 4220 2705-F
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2025-N 2025-П 2026Т-П 2026T-S 20320-Н 2035-N 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н пмб 4220 Сименс pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-Т smd 2035 82526-Н SICOFI PEF 2465 ДСП / пмб 4220 2705-F
Катушки индуктивности

Аннотация: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF
SMD 43

Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd diode j 340 smd «Силовые индукторы» a32 smd.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SDS2D12 SMD 43 Индукторы транзистор SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd диод j 340 см «Силовые индукторы» a32 smd
2004 — стабилитрон SMD код маркировки 27 4F

Аннотация: smd-диод код Шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL level smd стабилитрон код a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон маркировка 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2002/95 / EC) Стабилитрон SMD маркировка код 27 4F smd диод код шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f Маркировочный код стабилитрона SMD 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf
5a6 стабилитрон

Аннотация: стабилитрон с двойным МОП-транзистором.2в 1вт 10в стабилитрон 5A6 smd sot23 DG9415
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF Si4418DY 130мОм @ Si4420BDY Si6928DQ 35мОм @ Si6954ADQ 53мОм @ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24мОм @ Стабилитрон 5a6 двойной МОП-транзистор диод стабилитрон 6.2в 1вт ЗЕНЕР ДИОД 10В 5А6 смд сот23 DG9415

Транзистор общего назначения Кремний NPN

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > ручей BroadVision, Inc.2020-08-10T14: 21: 57 + 02: 002016-10-13T08: 53: 40-07: 002020-08-10T14: 21: 57 + 02: 00application / pdf

  • MMBT3904LT1 — Транзистор общего назначения NPN Silicon
  • ОН Полупроводник
  • Кремний NPN
  • Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows) uuid: 9a51116e-b14c-43dc-89fc-e05d33f641f9uuid: 868ca80c-0b01-41ac-87d5-f1bd8ae5b254 Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > ручей HVMSH ڣ (U0 = 8 @ JvRLvoӷG_ ؤ lQ ټ up! W

    Биполярный транзистор, NPN, THT, 45 В, 0,8 А, 0,625 Вт, TO92 BC337-40 A1

    Транзистор биполярный, NPN, THT, 45 В, 0,8 А, 0,625 Вт, TO92 BC337-40 A1 | GM электронный COM

    Для правильной работы и отображения веб-страницы, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 Вт, корпус ТО92 Параметры: Ic = 0,8 А Uce0 = 45 В, Ucb0 = 50…

    Брендовое название ТАЙВАНСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИК Код товара 210-019 Kód výrobce BC337-40 A1 Вес 0.00032 кг Мин. количество 8 шт.

    Цена с НДС от 500 шт. 0,07 € / 0,0587 € Цена нетто Цена с НДС от 100 шт. € 0,08 / 0.0621 € цена нетто Цена с НДС от 50 Шт. 0,08 € / 0,0635 € Цена нетто Цена с НДС от 25 Шт. 0,08 € / 0,0656 € Цена нетто О доставке Твоя цена € 0,10

    Склад Есть в наличии (3954 кс)

    Пражский филиал в наличии 2 шт.

    Брненский филиал Распродано

    Остравский филиал Есть в наличии (24 шт.)

    Пльзенский филиал Распродано

    Филиал в Градец-Кралове Распродано

    Братиславский филиал На складе (64 шт.)

    Код товара 210-019
    Масса 0.00032 кг
    Монтаж электрика:
    Поуздро: TO92 —
    h (21E): 250..630 —
    Pd: 0,625 Вт
    U (CB0): 50 В
    U (CE0): 45 В
    IC: 0,8 А
    Полярита транзистору: NPN —

    Транзистор NPN биполярный — Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 Вт, корпус TO92

    Параметры:
    Ic = 0,8 А
    Uce0 = 45 В,
    Ucb0 = 50 В,
    Pd = 0,625 Вт,
    h31E = 250..630,
    fT = 210 МГц,
    case = TO92

    Код товара 210-019
    Масса 0,00032 кг
    Монтаж электрика:
    Поуздро: TO92 —
    h (21E): 250.0,630 —
    Pd: 0,625 Вт
    U (CB0): 50 В
    U (CE0): 45 В
    IC: 0,8 А
    Полярита транзистору: NPN —

    Подобные товары

    Есть в наличии

    SMD биполярный транзистор NPN — Ic = 0,5 A, Pd = 0,33 Вт…

    0,08 € Цена нетто € 0,10

    Код 912-156

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 Вт, c …

    0,09 € Цена нетто € 0,11

    Код 212-028

    Есть в наличии

    SMD биполярный транзистор NPN — Ic = 0,2 A, Pd = 0,36 Вт…

    0,08 € Цена нетто € 0,10

    Код 912-052

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 Вт, c …

    0,08 € Цена нетто € 0,10

    Код 210-017

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 Вт, c…

    0,07 € Цена нетто € 0,09

    Код 210-018

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,6 A, Pd = 0,625 Вт, c …

    0,07 € Цена нетто € 0,08

    Код 215-091

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 1 A, Pd = 0,625 Вт, пак…

    0,09 € Цена нетто € 0,11

    Код 215-373

    Есть в наличии

    Биполярный транзистор NPN — Ic = 0,8 A, Pd = 0,625 Вт, T …

    0,07 € Цена нетто € 0,08

    Код 210-131

    Nejprodávanější výrobci

    Введите имя пользователя и пароль или зарегистрируйтесь для новой учетной записи.

    наименьший. Транзистор. Всегда. | Berkeley Lab

    Более десяти лет инженеры смотрели на финишную черту в гонке по уменьшению размеров компонентов в интегральных схемах. Они знали, что законы физики установили порог в 5 нанометров для размера затвора транзистора среди обычных полупроводников, что составляет около четверти размера высококлассных транзисторов с затвором 20 нанометров, имеющихся сейчас на рынке.

    Некоторые законы созданы для того, чтобы их нарушать или, по крайней мере, оспаривать.

    Схема транзистора с каналом из дисульфида молибдена и затвором из углеродных нанотрубок размером 1 нм. (Источник: Суджай Десаи / Калифорнийский университет в Беркли)

    Группа исследователей во главе с преподавателем Али Джави из Национальной лаборатории Лоуренса Беркли Министерства энергетики (лаборатория Беркли) сделала именно это, создав транзистор с рабочим затвором размером 1 нанометр. Для сравнения: прядь человеческого волоса имеет толщину около 50 000 нанометров.

    «Мы сделали самый маленький транзистор из всех известных на сегодняшний день», — сказал Джейви, ведущий исследователь программы «Электронные материалы» в отделе материаловедения лаборатории Беркли. «Длина затвора считается определяющим размером транзистора. Мы продемонстрировали транзистор с затвором размером 1 нанометр, показав, что при правильном выборе материалов есть гораздо больше возможностей для уменьшения размеров нашей электроники ».

    Ключевым моментом было использование углеродных нанотрубок и дисульфида молибдена (MoS 2 ), моторного масла, обычно продаваемого в магазинах автозапчастей.MoS 2 является частью семейства материалов с огромным потенциалом для применения в светодиодах, лазерах, наноразмерных транзисторах, солнечных элементах и ​​т. Д.

    Научный сотрудник лаборатории Беркли, профессор Калифорнийского университета в Беркли Али Джави (слева) и аспирант Суджай Десаи создали самый маленький транзистор на сегодняшний день. Рядом с ними находится станция вакуумного пробника, используемая для измерения электрических характеристик транзисторов длиной 1 нанометр. (Источник: Мэрилин Чанг / Лаборатория Беркли)

    Результаты были опубликованы сегодня в журнале Science .Среди других исследователей этой статьи — Джефф Бокор, старший научный сотрудник лаборатории Беркли и профессор Калифорнийского университета в Беркли; Ченмин Ху, профессор Калифорнийского университета в Беркли; Мун Ким, профессор Техасского университета в Далласе; и H.S. Филип Вонг, профессор Стэнфордского университета.

    Эта разработка может стать ключом к поддержанию прогноза соучредителя Intel Гордона Мура о том, что плотность транзисторов в интегральных схемах будет удваиваться каждые два года, что позволит повысить производительность наших ноутбуков, мобильных телефонов, телевизоров и другой электроники.

    «Полупроводниковая промышленность давно предполагала, что любые затворы ниже 5 нанометров не будут работать, поэтому все, что ниже, даже не рассматривалось», — сказал ведущий автор исследования Суджай Десаи, аспирант в лаборатории Джейви. «Это исследование показывает, что нельзя сбрасывать со счетов ворота размером менее 5 нанометров. Промышленность выжимает из кремния все до последней капли. Изменив материал с кремния на MoS 2 , мы можем сделать транзистор с затвором длиной всего 1 нанометр и работать с ним как с переключателем.”

    Когда «электроны вышли из-под контроля»

    Транзисторы

    состоят из трех выводов: истока, стока и затвора. Ток течет от истока к стоку, и этот поток управляется затвором, который включается и выключается в ответ на приложенное напряжение.

    Изображение поперечного сечения транзистора, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа. На нем показаны затвор из углеродной нанотрубки размером 1 нанометр и полупроводник из дисульфида молибдена, разделенные диоксидом циркония, изолятором.(Кредит: Ван Цинсяо / UT Даллас)

    И кремний, и MoS 2 имеют структуру кристаллической решетки, но электроны, протекающие через кремний, имеют меньшую эффективную массу по сравнению с MoS 2 . Это благо, когда размер ворот составляет 5 нанометров или больше. Но ниже этой длины срабатывает квантово-механическое явление, называемое туннелированием, и барьер затвора больше не может препятствовать проникновению электронов от истока к выводам стока.

    «Это означает, что мы не можем выключить транзисторы», — сказал Десаи.«Электроны вышли из-под контроля».

    Поскольку электроны, протекающие через MoS 2 , имеют более высокую эффективную массу, их потоком можно управлять с помощью затвора меньшей длины. MoS 2 также может быть уменьшен до атомарно тонких листов, толщиной около 0,65 нанометра, с более низкой диэлектрической проницаемостью, мерой, отражающей способность материала накапливать энергию в электрическом поле. Оба эти свойства, в дополнение к эффективной массе электрона, помогают улучшить контроль потока тока внутри транзистора, когда длина затвора уменьшается до 1 нанометра.

    Как только они остановились на MoS 2 в качестве полупроводникового материала, пришло время построить ворота. Оказывается, создание 1-нанометровой структуры — непростое дело. Обычные методы литографии не работают в таком масштабе, поэтому исследователи обратились к углеродным нанотрубкам, полым цилиндрическим трубкам диаметром всего 1 нанометр.

    Затем они измерили электрические свойства устройств, чтобы показать, что транзистор MoS 2 с затвором из углеродных нанотрубок эффективно контролирует поток электронов.

    «Эта работа продемонстрировала самый короткий транзистор из когда-либо существовавших», — сказал Джейви, который также является профессором электротехники и компьютерных наук Калифорнийского университета в Беркли. «Тем не менее, это доказательство правильности концепции. Мы еще не упаковали эти транзисторы в микросхему, и мы не делали этого миллиарды раз. Мы также не разработали самовыравнивающиеся схемы изготовления для уменьшения паразитных сопротивлений в устройстве. Но эта работа важна, чтобы показать, что мы больше не ограничены 5-нанометровым затвором для наших транзисторов.Закон Мура может продолжаться еще некоторое время при правильной разработке полупроводникового материала и архитектуры устройства ».

    Работа в Berkeley Lab в основном финансировалась программой Министерства энергетики США по фундаментальным энергетическим наукам. Некоторые из этих исследований проводились в Molecular Foundry, офисе научного учреждения Министерства энергетики США.

    ###

    Национальная лаборатория Лоуренса Беркли решает самые насущные научные проблемы мира, продвигая устойчивую энергетику, защищая здоровье человека, создавая новые материалы и раскрывая происхождение и судьбу Вселенной.Основанная в 1931 году, лаборатория Berkeley Lab была отмечена 13 Нобелевскими премиями. Калифорнийский университет управляет лабораторией Беркли в Управлении науки Министерства энергетики США. Для получения дополнительной информации посетите www.lbl.gov.

    Управление науки Министерства энергетики США является крупнейшим спонсором фундаментальных исследований в области физических наук в Соединенных Штатах и ​​работает над решением некоторых из наиболее насущных проблем нашего времени. Для получения дополнительной информации посетите сайт science.energy.gov.

    Конфигурация усилителя с общей базой

    Усилитель с общей базой — это еще один тип биполярного переходного транзистора (BJT) конфигурации, в котором клемма базы транзистора является общей клеммой как для входных, так и для выходных сигналов, отсюда и его название , общая база (CB).Общая базовая конфигурация менее распространена в качестве усилителя, чем по сравнению с более популярными конфигурациями с общим эмиттером (CE) или с общим коллектором (CC), но все же используется благодаря своим уникальным характеристикам ввода / вывода.

    Чтобы конфигурация с общей базой работала в качестве усилителя, входной сигнал подается на вывод эмиттера, а выходной сигнал снимается с вывода коллектора. Таким образом, ток эмиттера также является входным током, а ток коллектора также является выходным током, но поскольку транзистор представляет собой трехслойное устройство с двумя pn-переходами, он должен быть правильно смещен, чтобы он работал как усилитель с общей базой . .То есть переход база-эмиттер смещен в прямом направлении.

    Рассмотрим приведенную ниже базовую конфигурацию усилителя с общей базой.

    Усилитель с общей базой на NPN-транзисторе

    Тогда мы можем видеть из базовой конфигурации общей базы, что входные переменные относятся к току эмиттера I E и напряжению база-эмиттер, V BE , в то время как выходные переменные относятся к току коллектора I C и напряжение коллектор-база, В CB .

    Поскольку ток эмиттера I E также является входным током, любые изменения входного тока вызовут соответствующее изменение тока коллектора I C . Для общей конфигурации базового усилителя коэффициент усиления по току A i задается как i OUT / i IN , что само по себе определяется формулой I C / I E . Текущее усиление для конфигурации CB называется Alpha, (α).

    В усилителе BJT ток эмиттера всегда больше, чем ток коллектора, поскольку I E = I B + I C , коэффициент усиления по току (α) усилителя должен быть меньше единицы (единицы), поскольку I C всегда меньше I E на значение I B .Таким образом, усилитель CB ослабляет ток с типичными значениями альфа в диапазоне от 0,980 до 0,995.

    Электрическая связь между тремя токами транзистора может быть показана, чтобы дать выражения для альфа, α и бета, β, как показано.

    Коэффициент усиления по току усилителя с общей базой

    Следовательно, если значение бета стандартного биполярного переходного транзистора равно 100, то значение альфа будет иметь следующий вид: 100/101 = 0,99.

    Коэффициент усиления напряжения усилителя с общей базой

    Поскольку усилитель с общей базой не может работать как усилитель тока (A i ≅ 1), он должен иметь возможность работать как усилитель напряжения.Коэффициент усиления по напряжению для усилителя с общей базой равен отношению V OUT / V IN , то есть напряжения коллектора V C к напряжению эмиттера V E . Другими словами, V OUT = V C и V IN = V E .

    , поскольку выходное напряжение V OUT возникает на сопротивлении коллектора, R C , выходное напряжение должно, следовательно, зависеть от I C согласно закону Ома, V RC = I C * R С .Таким образом, любое изменение в I E будет иметь соответствующее изменение в I C .

    Тогда мы можем сказать, что для общей конфигурации базового усилителя:

    Поскольку I C / I E является альфа-каналом, мы можем представить коэффициент усиления по напряжению усилителя как:

    Следовательно, коэффициент усиления по напряжению более или менее равен отношению сопротивления коллектора к сопротивлению эмиттера. Однако в биполярном переходном транзисторе между выводами базы и эмиттера имеется единственный pn-диодный переход, который приводит к так называемому динамическому сопротивлению эмиттера транзистора, r’e.

    Для входных сигналов переменного тока эмиттерный диодный переход имеет эффективное сопротивление слабого сигнала, которое определяется как: r’e = 25 мВ / I E , где 25 мВ — тепловое напряжение pn-перехода, а I E — эмиттер. Текущий. Таким образом, по мере увеличения тока, протекающего через эмиттер, сопротивление эмиттера будет пропорционально уменьшаться.

    Часть входного тока проходит через это внутреннее сопротивление перехода база-эмиттер к базе, а также через подключенный извне эмиттерный резистор R E .Для анализа слабого сигнала эти два сопротивления подключены параллельно друг другу.

    Поскольку значение r’e очень мало, а R E обычно намного больше, обычно в диапазоне килом (кОм), величина усиления по напряжению усилителей динамически изменяется с разными уровнями тока эмиттера.

    Таким образом, если R E ≫ r’e, то истинное усиление по напряжению общего базового усилителя будет:

    Поскольку коэффициент усиления по току приблизительно равен единице, как I C ≅ I E , тогда уравнение усиления по напряжению упрощается до простого:

    Так, если, например, через переход эмиттер-база протекает ток 1 мА, его динамическое сопротивление будет 25 мВ / 1 мА = 25 Ом.Коэффициент усиления по напряжению, В для сопротивления нагрузки коллектора 10 кОм, будет: 10,000 / 25 = 400, и чем больше тока протекает через переход, тем меньше становится его динамическое сопротивление и тем выше коэффициент усиления по напряжению.

    Аналогичным образом, чем выше значение сопротивления нагрузки, тем больше усиление напряжения усилителя. Однако в практической схеме общего базового усилителя вряд ли будет использоваться нагрузочный резистор более примерно 20 кОм с типичным диапазоном значений усиления по напряжению примерно от 100 до 2000 в зависимости от значения R C .Обратите внимание, что усиление мощности усилителя примерно такое же, как его усиление по напряжению.

    Поскольку коэффициент усиления по напряжению усилителя с общей базой зависит от отношения этих двух значений сопротивления, отсюда следует, что инверсия фазы между эмиттером и коллектором отсутствует. Таким образом, формы входных и выходных сигналов являются «синфазными» друг с другом, показывая, что общий базовый усилитель представляет собой неинвертирующую конфигурацию усилителя.

    Коэффициент усиления сопротивления усилителя с общей базой

    Одной из интересных характеристик схемы усилителя с общей базой является соотношение его входного и выходного импедансов, что приводит к так называемому усилению Resistance Gain , фундаментальному свойству, которое делает возможным усиление.Выше мы видели, что вход подключен к эмиттеру, а выход — к коллектору.

    Между входом и клеммой заземления есть два возможных параллельных резистивных пути. Один через сопротивление эмиттера, R E на землю, а другой через r’e и клемму базы на землю. Таким образом, мы можем сказать, глядя на эмиттер с заземленным основанием, что: Z IN = R E || r’e.

    Но поскольку динамическое сопротивление эмиттера r’e очень мало по сравнению с R E (r’e≪R E ), внутреннее динамическое сопротивление эмиттера r’e доминирует в уравнении, что приводит к приблизительно низкому входному сопротивлению. равно r’e

    Итак, для конфигурации с общей базой входное сопротивление очень низкое, и в зависимости от значения импеданса источника, R S , подключенного к клемме эмиттера, значения входного сопротивления могут находиться в диапазоне от 10 Ом до 200 Ом.Низкое входное сопротивление схемы общего базового усилителя является одной из основных причин ее ограниченного применения в качестве одноступенчатого усилителя.

    Однако выходное сопротивление усилителя CB может быть высоким в зависимости от сопротивления коллектора, используемого для управления усилением напряжения, и подключенного сопротивления внешней нагрузки, R L . Если сопротивление нагрузки подключено к выходному зажиму усилителя, оно фактически подключено параллельно сопротивлению коллектора, тогда Z OUT = R C || R L .

    Но если внешнее сопротивление нагрузки R L очень велико по сравнению с сопротивлением коллектора R C , тогда R C будет доминировать в параллельном уравнении, что приведет к умеренному выходному сопротивлению Z OUT , становясь приблизительно равно R C . Тогда для общей базовой конфигурации его выходное сопротивление, смотрящее на клемму коллектора, будет: Z OUT = R C .

    Поскольку выходной импеданс усилителя, смотрящий назад на клемму коллектора, потенциально может быть очень большим, схема с общей базой работает почти как идеальный источник тока, принимая входной ток со стороны с низким входным сопротивлением и отправляя ток на сторону с высоким выходным сопротивлением. боковая сторона.Таким образом, конфигурация транзистора с общей базой также называется конфигурацией: токового буфера, или повторителя тока , а конфигурация, противоположная конфигурации с общим коллектором (CC), упоминается как повторитель напряжения .

    Краткое описание усилителя с общей базой

    В этом руководстве мы видели, что усилитель с общей базой имеет коэффициент усиления по току (альфа) приблизительно один (единица), но также коэффициент усиления по напряжению, который может быть очень высоким с типичными значениями в диапазоне от 100 до более 2000. в зависимости от номинала коллекторной нагрузки используется резистор R L .

    Мы также видели, что входное сопротивление схемы усилителя очень низкое, но выходное сопротивление может быть очень высоким. Мы также сказали, что усилитель с общей базой не инвертирует входной сигнал, поскольку это неинвертирующая конфигурация усилителя.

    Благодаря своим характеристикам входного-выходного импеданса общий базовый усилитель чрезвычайно полезен в аудио- и радиочастотных приложениях в качестве токового буфера для согласования источника с низким импедансом с нагрузкой с высоким импедансом или в качестве одноступенчатого усилителя как части каскодированная или многокаскадная конфигурация, в которой один каскад усилителя используется для управления другим.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *